信息确定设备和方法技术

本公开描述了一种用于确定与半导体器件衬底(110)中的至少一个目标对准标记(114)有关的信息的设备(160)。所述目标对准标记(114)最初至少部分被衬底(110)上的不透明的碳或金属层(120)遮挡。所述设备(160)包括能量传递系统(140)，所述能量传递系统(140)配置成发射激光束(132)，以使所述不透明层(120)的至少一部分(134)改性从而使得在所述至少一部分(134)中发生提高所述部分(134)的透明度的相变和/或化学变化。光学信号(136)能够传播通过被改性的部分(134)以确定与目标对准标记(114)有关的信息。

Information determination equipment and methods

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】信息确定设备和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年7月17日提交的欧洲申请17181716.6和2017年12月4日提交的欧洲申请17205177.3的优先权，这些申请通过引用全文并入本文。
本公开涉及在制造半导体器件期间确定信息。
技术介绍
光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将在图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定能够形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(其波长在4-20nm范围内，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可用于在衬底上形成比使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备更小的特征。可以用作所谓的“硬掩模”的非晶碳层被沉积在某些衬底层上，以作为IC或半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于确定与半导体器件衬底中的至少一个特征有关的信息的设备，其中，所述至少一个特征被包括碳的层至少部分地遮挡，使得用于确定与所述至少一个特征有关的信息的光学信号被阻止到达所述特征，其中所述设备包括：/n能量传递系统，所述能量传递系统配置为用于使所述层的至少一部分改性以增加所述层的所述至少一部分的透明度，使得所述光学信号的至少一部分能够传播通过所述层的所述至少一部分，以确定与所述至少一个特征有关的信息，其中所述能量传递系统被配置为发射束，用于通过使得在所述层的所述至少一部分处的碳中发生相变和/或使得在所述层的所述至少一部分处的四价(sp3配位的)碳原子的浓度增加来使所述层的所述至少一部分改...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170717 EP 17181716.6;20171204 EP 17205177.31.一种用于确定与半导体器件衬底中的至少一个特征有关的信息的设备，其中，所述至少一个特征被包括碳的层至少部分地遮挡，使得用于确定与所述至少一个特征有关的信息的光学信号被阻止到达所述特征，其中所述设备包括：
能量传递系统，所述能量传递系统配置为用于使所述层的至少一部分改性以增加所述层的所述至少一部分的透明度，使得所述光学信号的至少一部分能够传播通过所述层的所述至少一部分，以确定与所述至少一个特征有关的信息，其中所述能量传递系统被配置为发射束，用于通过使得在所述层的所述至少一部分处的碳中发生相变和/或使得在所述层的所述至少一部分处的四价(sp3配位的)碳原子的浓度增加来使所述层的所述至少一部分改性。


2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述相变使所述层的所述至少一部分处的碳改性，从而使得碳形成以下中的至少一个：金刚石；和类金刚石碳。


3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述能量传递系统包括以下中的至少一个：用于发射辐射的至少一个脉冲激光源和/或高能粒子的聚焦束的至少一个源。


4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述至少一个激光器配置成发射以下中的一个或更多个：
可见和/或红外激光脉冲，脉冲持续时间在从5fs至500ps的范围内；
紫外线激光脉冲，脉冲持续时间在1ps至500ns的范围内；和
软X射线至DUV激光脉冲，脉冲持续时间在1fs至100ns的范围内。


5.根据权利要求3所述的设备，其中，所述至少一个激光器配置成发射初始脉冲串，所述初始脉冲串包括第一脉冲持续时间的至少一个激光脉冲，
所述至少一个激光器还配置成发射后续的脉冲串，所述后续的脉冲串包括更短的第二脉冲持续时间的至少一个激光脉冲。


6.根据权利要求3所述的设备，其中，所述至少一个脉冲激光源配置成发射峰值辐射通量或辐射强度在所述层的烧蚀阈值以下的辐射。


7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述能量传递系统配置成发射用于脉冲加热所述层的所述至少一部分的辐射和/或粒子。


8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述能量传递系统配置为发射以下中的一个或更多个：电子束；离子束；中性束；在从5至20nm范围内的极紫外(EUV)束；包括波长在从20至100nm范围内的辐...

【专利技术属性】
技术研发人员：高安，桑雅辛格·拉尔巴哈朵尔辛，A·尼基帕罗夫，A·O·波利亚科夫，布伦南·彼得森，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL