计算量测制造技术

一种方法包括：针对使用图案化过程产生的衬底的器件图案的多个特征中的每个特定特征，获得在所述衬底的测量目标与所述特定特征之间的所述图案化过程的参数的模型化或模拟关系；和基于所述关系和来自量测目标的所述参数的测量值，产生针对所述特征中的每个特征的横跨所述衬底的至少一部分的所述参数的分布，所述分布用于设计、控制或修改所述图案化过程。

Computational measurement

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】计算量测相关申请的交叉引用本申请要求于2017年8月7日提交的欧洲申请17185116.5和于2018年3月13日提交的欧洲申请18161406.6的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本专利技术中。
本公开涉及改善器件制造过程的性能的技术。所述技术可结合光刻设备或量测设备来使用。
技术介绍
光刻设备为将期望的图案施加至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于(例如)集成电路(IC)的制造中。在所述情形下，被可替代地称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用以产生对应于IC的单层的电路图案，且可以将这种图案成像至具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常，单个衬底将包含被连续曝光的邻近的目标部分的网络。已知光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光至目标部分上来辐照每个目标部分；和所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过束扫描图案的同时平行或反向平行于这种方向同步地扫描衬底来辐照每个目标部分。在将电路图案自图案形成装置转印本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，所述方法包括：/n针对使用图案化过程产生的衬底的器件图案的多个特征中的每个特定特征，获得在用于所述衬底的测量目标与所述特定特征之间的所述图案化过程的参数的模型化或模拟关系；/n基于所述模型化或模拟关系和来自量测目标的所述参数的测量值，产生针对所述特征中的每个特征的横跨所述衬底的至少一部分的所述参数的分布，所述分布用于设计、控制或修改所述图案化过程。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170807 EP 17185116.5;20180313 EP 18161406.61.一种方法，所述方法包括：
针对使用图案化过程产生的衬底的器件图案的多个特征中的每个特定特征，获得在用于所述衬底的测量目标与所述特定特征之间的所述图案化过程的参数的模型化或模拟关系；
基于所述模型化或模拟关系和来自量测目标的所述参数的测量值，产生针对所述特征中的每个特征的横跨所述衬底的至少一部分的所述参数的分布，所述分布用于设计、控制或修改所述图案化过程。


2.根据权利要求1所述的方法，其中进一步基于来自所述特征自身的所述参数的测量值产生所述分布。


3.根据权利要求2所述的方法，其中使用来自所述特征自身的所述参数的所述测量值来关联所述模型化或模拟关系。


4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括与图案化过程的至少一部分的实际的或预期的行为组合来分析所述分布，以将所述多个特征中的一个或更多个特征识别为关键特征。


5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括产生一个或更多个权重以对所述特征中的一个特征的分布与所述特征中的另一个特征的分布进行不同地加权。


6.根据权利要求1所述的方法，其中所述分布具有比来自所述量测目标的所述参数的所述测量值更大的参数信息密度。


7.根据权利要求1所述的方法，其中针对横跨所述衬底定位的多个场/管芯中的每个场/管...

【专利技术属性】
技术研发人员：帕特里克·华纳，P·A·J·廷内曼斯，G·格热拉，E·C·摩斯，W·T·特尔，M·乔詹姆森，B·P·B·西哥斯，弗兰克·斯塔尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL