用于粒子抑制的粒子捕获器和阻挡件制造技术

提供了设计以减少具有大范围的尺寸、材料、行进速率和入射角的污染物粒子到达对粒子敏感的环境的可能性。根据本公开的方面，提供有包括第一腔室和第二腔室、具有第一表面的第一结构、和第二结构的物体平台。第二结构配置成支撑第二腔室中的物体，所述第二结构可相对于第一结构移动。第二结构包括第二表面，所述第二表面与第一结构的第一表面相对，从而限定在第一结构与第二结构之间的间隙，所述间隙在第一腔室与第二腔室之间延伸。第二结构还包括第一腔室内的第三表面。所述物体平台还包括设置在所述第三表面的至少一部分上的捕获器，所述捕获器包括多个挡板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于粒子抑制的粒子捕获器和阻挡件相关申请的交叉引用本申请要求于2017年7月28日提交的美国临时专利申请号62/538,198的优先权，并且所述申请的全部内容通过引用并入本文。
本公开涉及在例如光刻术中使用例如粒子捕获器和粒子阻挡件进行粒子抑制。
技术介绍
光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以使用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生要在IC的单层上形成的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。光刻术被广泛认为是制造IC和其它器件和/或结构的关键步骤之一。然而，由于使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成使得能够制造微型IC或其它器件和/或结构的更关键的因素。可以通过瑞利分辨率判据给出图案印制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种物体平台，包括：/n第一腔室；/n第二腔室；/n第一结构，所述第一结构具有第一表面；/n第二结构，所述第二结构配置成支撑所述第二腔室中的物体，所述第二结构能相对于所述第一结构移动，并且所述第二结构包括：/n第二表面，所述第二表面与所述第一结构的第一表面相对，从而限定在所述第一结构与所述第二结构之间的间隙，所述间隙在所述第一腔室与所述第二腔室之间延伸；和/n第三表面，所述第三表面在所述第一腔室内；和/n第一捕获器，所述第一捕获器设置在所述第三表面的至少一部分上，所述第一捕获器包括配置成阻止污染物粒子穿过所述间隙的多个挡板。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170728 US 62/538,1981.一种物体平台，包括：
第一腔室；
第二腔室；
第一结构，所述第一结构具有第一表面；
第二结构，所述第二结构配置成支撑所述第二腔室中的物体，所述第二结构能相对于所述第一结构移动，并且所述第二结构包括：
第二表面，所述第二表面与所述第一结构的第一表面相对，从而限定在所述第一结构与所述第二结构之间的间隙，所述间隙在所述第一腔室与所述第二腔室之间延伸；和
第三表面，所述第三表面在所述第一腔室内；和
第一捕获器，所述第一捕获器设置在所述第三表面的至少一部分上，所述第一捕获器包括配置成阻止污染物粒子穿过所述间隙的多个挡板。


2.根据权利要求1所述的物体平台，还包括第二捕获器，所述第二捕获器设置在所述第一表面的至少一部分上。


3.根据权利要求1所述的物体平台，其中，在第一挡板与与所述第一挡板相邻的第二挡板之间的第一距离不同于在所述第二挡板与与所述第二挡板相邻的第三挡板之间的第二距离。


4.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述多个挡板中的每个挡板具有三角形截面，所述三角形截面包括：被限定在所述三角形截面的相邻的谷部之间的虚线与所述挡板的第一突出表面之间的第一角度；和被限定在所述三角形截面的相邻的谷部之间的所述虚线与所述挡板的第二突出表面之间的第二角度。


5.根据权利要求4所述的物体平台，其中：
所述三角形的截面包括：被限定在所述三角形截面的相邻的谷部之间的虚线与所述挡板的第一突出表面之间的第一角度；和被限定在所述三角形截面的相邻的谷部之间的虚线与所述挡板的第二突出表面之间的第二角度，和
所述多个挡板中的第一挡板的第一角度不同于所述多个挡板中的第二挡板的第一角度。


6.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述第一捕获器可附接地耦接至所述第三表面。


7.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述第一捕获器包括微结构的带，所述微结构的带具有从其突出的多个挡板。


8.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述多个挡板浸渍有液体。


9.根据权利要求1所述的物体平台，其中：
所述第二结构包括长行程模块和短行程模块；
第二表面是所述长行程模块的一部分；和
所述第一结构是静止的。


10.根据权利要求1所述的物体平台，其中：
所述物体是掩模版；和
所述第二结构是配置成支撑所述掩模版的卡盘。


11.根据权利要求1所述的物体平台，其中，所述第一腔室和所述第二腔室每个都配置成保持在真空压力下。


12.一种物体平台，包括：
第一腔室；
第二腔室；
第一结构，所述第一结构具有第一表面；
第二结构，所述第二结构配置成支撑所述第二腔室中的物体，所述第二结构能相对于所述第一结构移动，并且所述第二结构包括第二表面，所述第二表面与所述第一结构的第一表面相对从而限定在所述第一结构与所述第二结构之间的间隙，所述间隙在所述第一腔室与所述第二腔室之间延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：HK·尼恩惠斯，R·P·奥尔布赖特，J·布林克特，黄仰山，H·G·舒密尔，A·H·维尔魏，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL