用于参数确定的方法及其设备技术

用于根据量测目标的图像测量重叠的方法和设备，所述图像是使用声波获得，例如使用声波显微镜获得的图像。获得两个目标的图像，一个图像使用声波获得，一个图像使用光波获得，确定图像的边缘，根据两个图像的边缘之间的差获得两个目标之间的重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于参数确定的方法及其设备相关申请的交叉引用本申请要求于2017年7月25日提交的美国申请62/536,675的优先权，该美国申请通过引用全文并入本文。
本公开涉及用于例如在通过光刻技术制造器件时可使用的检查(例如，量测)的方法和设备，并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备能够用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将在图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定能够形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(其波长在4-20nm范围内，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可用于在衬底上形成比使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备更小的特征。低k1光刻术可以用于尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的过程特征。在这种过程中，分辨率公式可以表达为CD＝k1×λ/NA，其中λ是所用辐射的波长，NA是光刻设备中投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常是印制的最小特征大小，但在这种情况下为半节距)，k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，在衬底上再现类似于由电路设计者规划的形状和尺寸以实现特定电学功能和性能的图案就变得越困难。为了克服这些困难，可以将复杂的精调步骤施加到光刻投影设备和/或设计布局。这些步骤包括例如但不限于：NA的优化、自定义照射方案、使用相移图案形成装置、设计布局中的各种优化(诸如光学近接校正(OPC，有时也称为“光学和过程校正”)、或通常被定义为“分辨率增强技术”(RET)的其它方法)。替代地，可以使用用于控制光刻设备的稳定性的紧密控制回路来改善低k1下的图案的再现。因此，在图案化过程中，经常期望对所产生的结构进行测量，例如用于过程控制和验证。已知用于进行这样的测量的各种工具，包括常常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜和用于测量重叠的专用工具，重叠是器件中的两个层的对准的准确度的量度。重叠可依据两个层之间的未对准的程度进行描述，例如，对1nm的测量重叠的参考描述了两个层存在1nm的未对准的情形。已经开发有各种形式的检查设备(例如，量测设备)用于光刻领域。这些装置将辐射束引导到目标上，并且测量被改变方向的(例如被散射的)辐射的一个或更多个属性——例如在单个反射角下作为波长的函数的强度；在一种或更多种波长下作为反射角的函数的强度；或者作为反射角的函数的偏振——以获得“光谱”，可以根据该“光谱”确定目标的感兴趣的属性。确定所感兴趣的属性可以通过各种技术来执行：例如，通过诸如严格耦合波分析或有限元方法等迭代方法进行的目标的重构；库搜索；以及主成分分析。
技术实现思路
用于根据量测目标的图像测量重叠的方法和设备，所述图像是使用声波获得的，例如使用声波显微镜获得的图像。一种量测设备，包括用于产生声波的源。一种方法，包括使用声波来测量图案化过程的参数，还包括使用声波获得第一目标的第一图像，使用光波获得第二目标的第二图像，确定所述第一图像的特性和所述第二图像的特性，和根据所述第一图像的特性和所述第二图像的特性之间的差确定所述图案化过程的参数。所述特性是图像的边缘。附图说明现在将参考随附示意图仅通过举例的方式描述本专利技术的实施例，在附图中：图1描绘了光刻设备的示意性概述；图2描绘了光刻单元的示意性概述；图3描绘了整体光刻术的示意性表示，该图表示三种关键技术之间的协作以优化半导体制造；图4在图4A中描绘了根据本公开的设备的实施例，该设备包括声学量测设备和光学量测设备；在图4B中描绘了所测量的重叠目标的图像。图5描绘了根据组合后的声学量测设备和光学量测设备的本公开的另一实施例。具体实施方式在本文中，术语“辐射”和“束”被用于涵盖全部类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外辐射(EUV，例如具有在约5-100nm的范围内的波长)。如本文中所使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被宽泛地解释为指代可以用于将图案化的横截面赋予入射辐射束的通用图案形成装置，所述图案化的横截面对应于要在衬底的目标部分中产生的图案；术语“光阀”也可以用于这种内容背景中。除了经典掩模(透射式或反射式；二元式、相移式、混合式等)以外，其它此类图案形成装置的示例包括：-可编程反射镜阵列。关于这种反射镜阵列的更多信息在美国专利No.5,296,891和No.5,523,193中给出,所述文献通过引用并入本文。-可编程LCD阵列。这种构造的示例在美国专利No.5,229,872中给出，其通过引用并入本文。图1示意性地描绘了一种光刻设备LA。所述光刻设备LA包括：照射系统(也称为照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)T，构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA并且连接到第一定位器PM，所述第一定位器PM配置成根据特定参数来准确地定位图案形成装置MA；衬底台(例如晶片台)WT，构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，所述第二定位器PW配置成根据特定参数来准确地定位衬底；以及投影系统(例如折射型投影透镜系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。在操作中，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束，例如经由束传递系统BD来接收。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。照射器IL可以用于调节辐射束B，以在图案形成装置MA的平面处在其横截面中具有所期望的空间和角度强度分布。本文使用的术语“投影系统”PS应该被广义地解释为涵盖各种类型的投影系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统、反射折射型光学系统、变形(anamorphic)光学系统、磁性型光学系统、电磁型光学系统和静电型光学系统或其任意组合，例如对于所使用的曝光辐射或者对于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素合适的。本文使用的任何术语“投影透镜”可以被认为与更上位的术语“投影系统”PS同义。光刻设备也可以是这样一种类型：其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间-其也称为浸没光刻术。关于这种浸没技术的更多信息在美国专利No.6,952,253和PCT公开出版物No.WO99-49504中给出,其通过引用并入本文。光刻设备LA也可以是具有两个(双平台)或更多衬底台WT和例如两个或更多支撑结构T(未示出)的类型。在这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量测设备，包括用于产生声波的源。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170725 US 62/536,6751.一种量测设备，包括用于产生声波的源。


2.一种方法，包括使用声波来测量图案化过程的参数。


3.根据权利要求2所述的方法，其中
使用声波获得...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·潘迪，M·皮萨连科，亚历山德罗·波洛，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL