【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于参数确定的方法及其设备相关申请的交叉引用本申请要求于2017年7月25日提交的美国申请62/536,675的优先权,该美国申请通过引用全文并入本文。
本公开涉及用于例如在通过光刻技术制造器件时可使用的检查(例如,量测)的方法和设备,并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如,光刻设备能够用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将在图案形成装置(例如,掩模)处的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影到衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定能够形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(其波长在4-20nm范围内,例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可用于在衬底上形成比使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备更小的特征。低k1光刻术可以用于 ...
【技术保护点】
1.一种量测设备,包括用于产生声波的源。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170725 US 62/536,6751.一种量测设备,包括用于产生声波的源。
2.一种方法,包括使用声波来测量图案化过程的参数。
3.根据权利要求2所述的方法,其中
使用声波获得...
【专利技术属性】
技术研发人员:N·潘迪,M·皮萨连科,亚历山德罗·波洛,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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