光刻设备、转移衬底的方法和器件制造方法技术

一种光刻设备包括：衬底台、曝光后处理模块、衬底处理机器人及干燥站。所述衬底台被配置成支撑衬底用于曝光过程。所述曝光后处理模块是用于在曝光后处理所述衬底。所述衬底处理机器人被配置成将所述衬底从所述衬底台沿着衬底卸载路径转移至所述曝光后处理模块中。所述干燥站被配置成从所述衬底的表面主动地移除液体。所述干燥站定位于所述衬底卸载路径中。所述干燥站定位于所述曝光后处理模组中。所述曝光后处理模块可以是晶片处理器。

Lithography equipment, transfer substrate method and device manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
光刻设备、转移衬底的方法和器件制造方法相关申请的交叉引用本申请主张2014年6月16日提交的欧洲申请14172626.5，和2014年7月25日提交的欧洲申请14178554.3，以及2014年12月18日提交的欧洲申请14198779.2的权益，其通过援引而全文合并到本文中。
本专利技术涉及一种光刻设备、一种转移衬底的方法及一种器件制造方法。
技术介绍
光刻设备是将所需图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可(例如)用于集成电路(IC)的制造中。在浸没式光刻中，液体(例如，水)可在曝光工艺之后遗留于衬底上的抗蚀剂上。液体可造成抗蚀剂发生劣化。抗蚀剂的劣化能够引起残留有液体的缺陷。需要减少由残留液体造成的缺陷，而不会不利地影响光刻设备的生产率。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括：衬底台，被配置成支撑衬底用于曝光过程，在所述曝光过程中将所述衬底曝光至辐射光束以经由液体而形成图案；曝光后处理模块，用于在曝光后处理所述衬底；衬底处理机器人，被配置成将所述衬底从所述衬底台沿着衬底卸载路径转移至所述曝光后处理模块内；以及干燥站，被配置成从所述衬底的表面主动地移除液体；其中所述干燥站定位于所述衬底卸载路径中并且定位于所述曝光后处理模块中，使得所述衬底能够在沿着所述衬底卸载路径转移期间完全地通过所述干燥站。根据本专利技术的一方面，提供一种在光刻设备中转移衬底的方法，所述方法包括：在衬底台上支撑衬底用于曝光过程，在所述曝光过程中将所述衬底曝光至辐射光束以经由液体而形成图案；将所述衬底从所述衬底台沿着衬底卸载路径转移至曝光后处理模块内以用于在曝光后处理所述衬底；和干燥站从所述衬底的表面主动地移除液体；其中在所述衬底卸载路径中及在所述曝光后处理模块中执行液体的所述主动移除，使得所述衬底在沿着所述衬底卸载路径的转移期间完全地通过所述干燥站。附图说明现在将参看所附的示意图而仅作为实例来描述本专利技术的实施例，在所述图中，对应附图标记指示对应部件，且在所述图中：图1描绘根据本专利技术的实施例的光刻设备；图2描绘根据本专利技术的实施例的光刻设备的部件；图3描绘根据本专利技术的实施例的光刻设备的部件；图4和图5描绘根据本专利技术的实施例的光刻设备的部件；图6至图8示意性地描绘根据本专利技术的实施例的光刻设备；图9至图14描绘根据本专利技术的实施例的光刻设备的部件；和图15及图16各自描绘根据本专利技术的实施例的干燥站。具体实施方式图1示意性地描绘根据本专利技术的实施例的光刻设备100。光刻设备100包括：照射系统(照射器)IL，其被配置成调节辐射光束B(例如，UV辐射或任何其它合适辐射)；掩膜支撑结构(例如，掩膜台)MT，其被构造成用以支撑图案化装置(例如，掩膜)MA，且连接到被配置成用以根据某些参数而准确地定位图案化装置MA的第一定位装置PM。光刻设备100也包括衬底台(例如，晶片台)WT，其被构造成用以保持衬底(例如，抗蚀剂涂覆的晶片)W，且连接到被配置成根据某些参数而准确地定位衬底W的第二定位装置PW。光刻设备100进一步包括投影系统(例如，折射式投影透镜系统)PS，其被配置成用以将由图案化装置MA赋予至辐射光束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。掩膜支撑结构MT支撑(即，承载)图案化装置MA的重量。掩膜支撑结构MT以取决于图案化装置MA的定向、光刻设备100的设计及其它条件(诸如，以图案化装置MA是否被保持于真空环境中为例)的方式来保持图案化装置MA。掩膜支撑结构MT可使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案化装置。掩膜支撑结构MT可以是(例如)框架或台，其可根据需要而固定或可移动。掩膜支撑结构MT可确保图案化装置MA例如相对于投影系统PS处于所需位置。这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”可以看作与更为上位的术语“图案形成装置”同义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射光束B的横截面上赋予辐射光束、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。应该注意的是，赋予辐射光束B的图案可能不与衬底W的目标部分C上的所需图案精确地对应(例如，如果所述图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。辅助特征可置放于图案化装置MA上以使能够图案化隔离型和/或半隔离型设计特征，就好象这些隔离型和/或半隔离型设计特征比其实际情况更密集。通常，被赋予至辐射光束B的图案将对应于目标部分C中产生的装置(诸如，集成电路)中的特定功能。图案形成装置可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻技术中是熟知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射光束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射光束。这里使用的术语“投影系统”可以广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。所述照射系统IL可以包括被配置用于调整所述辐射光束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射系统IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射系统IL可以包括各种其它部件，例如整合器IN和聚光器CN。可以将所述照射系统IL用于调节所述辐射光束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。照射系统IL可被或可不被认为形成光刻设备100的部件。举例而言，照射系统IL可以是光刻设备100的整体部件，或可以是与光刻设备100分离的实体。在后者状况下，光刻设备100可被配置成允许照射系统IL安装于其上。视情况，照射系统IL为可拆卸式，且可被分离地提供(例如，由光刻设备制造商或另一供货商提供)。如此处所描绘，光刻设备100是透射型的(例如，使用透射掩模)。替代地，光刻设备100可以是反射型(例如，使用如上文所提及的类型的可编程反射镜阵列，或使用反射掩膜)。光刻设备100可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT和/或掩膜支撑结构MT，或可以在一个或更多个衬底台WT和/或掩膜支撑结构MT上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT和/或掩膜支撑结构MT用于曝光。图案化装置MA被保持在掩膜支撑结构M本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理衬底的设备，包括：/n曝光后处理模块，被配置为处理曝光后的衬底，所述曝光后处理模块包括被配置为存储所述衬底的储存单元；和/n干燥站，位于所述储存单元中，并配置为主动从所述衬底的表面去除残留的液体，其中，所述干燥站包括：/n伸长结构，包括流动供应开口和流动抽取开口，/n致动器系统，其被配置为在所述伸长结构和所述储存单元中的所述衬底之间提供相对运动，以及/n控制系统，其被配置为控制从所述流动供应开口的液体供应和从所述流动抽取开口的液体提取，以立即提取实质上所有供应的液体，从而形成在由致动器引起的所述伸长结构和储存单元中的所述衬底之间的相对运动期间扫描遍及衬底的液体的局部区域。/n

【技术特征摘要】
20140616 EP 14172626.5;20140725 EP 14178554.3;20141.一种处理衬底的设备，包括：
曝光后处理模块，被配置为处理曝光后的衬底，所述曝光后处理模块包括被配置为存储所述衬底的储存单元；和
干燥站，位于所述储存单元中，并配置为主动从所述衬底的表面去除残留的液体，其中，所述干燥站包括：
伸长结构，包括流动供应开口和流动抽取开口，
致动器系统，其被配置为在所述伸长结构和所述储存单元中的所述衬底之间提供相对运动，以及
控制系统，其被配置为控制从所述流动供应开口的液体供应和从所述流动抽取开口的液体提取，以立即提取实质上所有供应的液体，从而形成在由致动器引起的所述伸长结构和储存单元中的所述衬底之间的相对运动期间扫描遍及衬底的液体的局部区域。


2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述致动器系统还被配置为使所述伸长结构在于燥位置和非干燥位置之间、相对于所述衬底上下移动，在所述干燥位置中，所述干燥站主动地从所述衬底的表面去除所述液体。


3.一种处理衬底的设备，包括：
曝光后处理模块，其被配置为处理曝光后的衬底，所述曝光后处理模块包括：储存单元，被配置为将多个衬底存储在所述储存单元的各个堆叠的衬底容纳单元中；和
干燥站，其被配置为主动地从所述衬底的表面去除残留的液体，其中所述干燥站位于所述衬底容纳单元的第一衬底容纳单元的支撑表面上方，所述衬底容纳单元的位于第一衬底容纳单元下方的至少第二衬底容纳单元没有干燥设备。


4.根据权利要求3所述的设备，还包括：
伸长结构，包括流动供应开口和流动抽取开口，
致动器，其被配置为提供伸长结构和储存单元中的衬底之间的相对运动，以及
控制系统，配置为控制从流动供应开口的液体供应和从流动抽取开口的液体抽取，以立即提取实质上所有供应的液体，...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·A·范伯兹康，J·A·M·阿尔贝蒂，H·M·塞热，R·范德含，F·法尼，R·奥利斯拉格斯，G·彼得斯，C·M·诺普斯，P·范德艾登，P·范栋恩，B·威廉，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL