量测参数确定和量测配方选择组成比例

一种方法，该方法包括：对于使用图案化工艺创建的具有偏置的第一目标结构和不同偏置的第二目标结构的量测目标，获得包括用于第一目标结构的信号数据与用于第二目标结构的信号数据之间关系的量测数据，该量测数据是针对多个不同量测配方获得的，并且每个量测配方指定不同的测量参数；确定通过针对多个不同量测配方的量测数据的统计的拟合曲线或拟合函数作为参考；以及标识至少两个不同量测配方，所述至少两个不同量测配方的集体量测数据从所述参考的参数的变化超过或满足特定阈值。

Determination of measurement parameters and selection of measurement formula

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量测参数确定和量测配方选择相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月30日提交的EP申请17178949.8的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本公开涉及用于例如在通过光刻技术对器件的制造中可使用的检查(例如，量测)的方法和设备，并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备例如可以被使用在集成电路(IC)的制造中。在那种情形中，可替代地被称为掩模或掩模版的图案化装置可以被用来生成要被形成在IC的个体层上的电路图案。可以将这种图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转移通常是经由成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。实施图案化工艺(即，创建涉及图案化(诸如光刻曝光或压印)的器件或其它结构的工艺，其通常可以包括一个或多个相关联的处理步骤，诸如抗蚀剂的显影、蚀刻等)的重要方面包括显影工艺本身，对其进行设置以进行监视和控本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n对于使用图案化工艺创建的具有偏置的第一目标结构和不同偏置的第二目标结构的量测目标，获得包括用于所述第一目标结构的信号数据与用于所述第二目标结构的信号数据之间关系的量测数据，所述量测数据是针对多个不同量测配方获得的，并且每个量测配方指定不同的测量参数；/n确定通过针对所述多个不同量测配方的所述量测数据的统计的拟合曲线或拟合函数作为参考；以及/n标识至少两个不同量测配方，所述至少两个不同量测配方的集体量测数据从所述参考的参数的变化超过或满足特定阈值。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170630 EP 17178949.81.一种方法，包括：
对于使用图案化工艺创建的具有偏置的第一目标结构和不同偏置的第二目标结构的量测目标，获得包括用于所述第一目标结构的信号数据与用于所述第二目标结构的信号数据之间关系的量测数据，所述量测数据是针对多个不同量测配方获得的，并且每个量测配方指定不同的测量参数；
确定通过针对所述多个不同量测配方的所述量测数据的统计的拟合曲线或拟合函数作为参考；以及
标识至少两个不同量测配方，所述至少两个不同量测配方的集体量测数据从所述参考的参数的变化超过或满足特定阈值。


2.根据权利要求1所述的方法，包括确定所述拟合曲线或函数，并且其中所述曲线或函数是线性的。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述参数是扩展的统计度量。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述标识包括：确定通过所述至少两个不同量测配方的所述量测数据的统计的拟合曲线或拟合函数，并且其中所述变化位于针对所述多个不同量测配方的所述参考的所述参数与通过所述至少两个不同量测配方的所述量测数据的所述统计的拟合曲线或拟合函数的参数之间。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中用于所述参考的所述多个不同量测配方包括所考虑的并且所述量测数据可用于的所有不同量测配方。


6.根据权利要求5所述的方法，其中所述参考包括通过所述量测数据的曲线的斜率，并且所述标识包括：确定所述参考的斜率与通过所述至少两个不同量测配方的所述集体量测数据的曲线的斜率的差异，以及响应于所述差异满足或低于特定阈值而标识所述至少两个不同量测配方。


7.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中确定所述参考包括：针对多个子集中的每个...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·布哈塔查里亚，S·G·J·马斯杰森，M·J·诺特，A·J·登博夫，M·哈吉阿玛迪，F·法哈德扎德，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL