量测术中的数据估计制造技术

用于估计多个数据集中的至少一个数据集的未知值的方法和设备，每个数据集包括指示由制作于衬底中或衬底上的一个或更多个特征衍射和/或反射和/或散射的辐射的多个值，其中所述多个数据集包括至少一个已知值，和其中所述多个数据集中的至少一个数据集包括未知值，所述设备包括处理器，所述处理器基于以下估计所述至少一个数据集的所述未知值：所述多个数据集的多个已知值；所述多个数据集的一数据集内的两个或更多个值之间的第一条件；和作为所述多个数据集的不同数据集的部分的两个或更多个值之间的第二条件。

Data estimation in measurement

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量测术中的数据估计相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月1日提交的欧洲申请17199539.2的优先权，该欧洲申请通过引用全文并入本文。
本专利技术涉及量测术中的数据的估计。具体地，本专利技术可以涉及包括指示由制作于衬底中或衬底上的一个或更多个特征衍射和/或反射和/或散射的辐射的值的数据的估计，所述衬底可以是诸如晶片的半导体衬底。
技术介绍
光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将在图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定能够形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用软X射线或极紫外(EUV)辐射(其波长在1nm至100nm的范围内，例如在从5nm到20nm的范围内，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于估计多个数据集中的至少一个数据集的未知值的设备，每个数据集包括指示由制作于衬底中或衬底上的一个或更多个特征衍射和/或反射和/或散射的辐射的多个值，/n其中所述多个数据集包括至少一个已知值，/n其中所述多个数据集中的至少一个数据集包括未知值，所述设备包括处理器，所述处理器被配置成基于以下估计所述至少一个数据集的所述未知值：/n所述多个数据集的所述已知值；/n所述多个数据集中的一个数据集内的两个或更多个值之间的第一条件；和/n作为所述多个数据集中的不同数据集的部分的两个或更多个值之间的第二条件。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171101 EP 17199539.21.一种用于估计多个数据集中的至少一个数据集的未知值的设备，每个数据集包括指示由制作于衬底中或衬底上的一个或更多个特征衍射和/或反射和/或散射的辐射的多个值，
其中所述多个数据集包括至少一个已知值，
其中所述多个数据集中的至少一个数据集包括未知值，所述设备包括处理器，所述处理器被配置成基于以下估计所述至少一个数据集的所述未知值：
所述多个数据集的所述已知值；
所述多个数据集中的一个数据集内的两个或更多个值之间的第一条件；和
作为所述多个数据集中的不同数据集的部分的两个或更多个值之间的第二条件。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一条件包括平滑度条件，可选地其中所述第一条件包括指示所述多个数据集中的所述数据集内的一个或更多个值之间的幅值的差的数据。


3.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述第二条件包括相关性条件。


4.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述第二条件包括所述多个数据集的不同数据集中的对应值之间的相关性，可选地其中所述相关性条件还包括所述多个数据集的一个数据集中的多个值之间的相关性。


5.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述处理器配置成基于矩阵补全算法估计所述至少一个数据集的未知值。


6.根据权利要求5所述的设备，其中所述矩阵补全算法基于凸优化技术，可选地其中所述凸优化技术包括邻近分裂和原始对偶算法中的一个。


7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述处理器配置成基于：



估计所述至少一个数据集的未知值，
其中，di是一数据集并构成矩阵D的一行，DM是多个已知值，γ是相比于所述相关性条件向所述平滑度条件赋予一权重的值，∈是D中的已知值的估计的误差项，M是识别所述多个已知值的掩模，TV是总变差。


8.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述处理器配置成针对多个光学参数和/或特征参数中每一个参数估计在一个或更多个数据集中的未知值，并产生数据集的库，所述库能够与经由通过传感器执行的测量...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·奥纳斯，S·I·马萨瓦特，T·希尤维斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL