【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】确定所关注的参数的值的方法、清除包含关于所关注的参数的信息的信号的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月26日递交的欧洲申请17198461.0和于2017年11月23日递交的欧洲申请17203234.4的优先权，这两个申请的全部内容通过引用并入本文中。
本说明书涉及确定图案化过程(特别是使用光刻来形成制造过程的部分的图案化过程)的所关注的参数(诸如重叠)的值。本说明书也涉及清除包含关于图案化过程的所关注的参数的信息的信号。
技术介绍
光刻设备为将期望的图案涂覆至衬底上(通常涂覆至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)或设计用于功能的其它器件的制造中。在所述情况下，图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可以用以产生要形成在设计用于功能的器件的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或几个管芯)上。典型地经由成像至提供在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含经连续地图案化...
【技术保护点】
1.一种确定图案化过程的所关注的参数的值的方法，所述方法包括：/n获得辐射的检测到的第一表示与第二表示，所述辐射由通过使用所述图案化过程形成的结构对偏振后的入射辐射的重引导提供，分别从重引导后的辐射的第一偏振分量与第二偏振分量导出检测到的所述第一表示与第二表示，其中：/n检测到的所述第一表示的不对称性包括来自所述所关注的参数的贡献和来自不对称性的一个或更多个其它来源的贡献；/n相比于检测到的所述第一表示的不对称性，检测到的所述第二表示的不对称性包括相对于来自所述所关注的参数的贡献更大的来自不对称性的所述一个或更多个其它来源的贡献；以及/n所述方法还包括使用检测到的所述第一表...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171026 EP 17198461.0;20171123 EP 17203234.4;20181.一种确定图案化过程的所关注的参数的值的方法，所述方法包括：
获得辐射的检测到的第一表示与第二表示，所述辐射由通过使用所述图案化过程形成的结构对偏振后的入射辐射的重引导提供，分别从重引导后的辐射的第一偏振分量与第二偏振分量导出检测到的所述第一表示与第二表示，其中：
检测到的所述第一表示的不对称性包括来自所述所关注的参数的贡献和来自不对称性的一个或更多个其它来源的贡献；
相比于检测到的所述第一表示的不对称性，检测到的所述第二表示的不对称性包括相对于来自所述所关注的参数的贡献更大的来自不对称性的所述一个或更多个其它来源的贡献；以及
所述方法还包括使用检测到的所述第一表示与第二表示的组合以确定所述所关注的参数的值。
2.根据权利要求1所述的方法，其中检测到的所述第二表示的不对称性实质上不包括来自所述所关注的参数的贡献。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一偏振分量与所述第二偏振分量彼此正交。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一偏振分量与所述入射辐射的偏振正交。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述所关注的参数的值的所述确定包括使用检测到的所述第二表示以至少部分地识别和/或减小或移除来自所述一个或更多个其它来源的对于检测到的所述第一表示的不对称性的贡献。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述所关注的参数的值的所述确定包括：
确定所述第二表示的不对称性；
基于所述第二表示的被确定的不对称性而修改检测到的所述第一表示的至少一部分；以及
确定修改后的检测到的第一表示的不对称性。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述所关注的参数的值的所述确定包括由检测到的所述第二表示划分检测到的所述第一表示。
8.根据前述权利要求中任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：周子理，G·范德祖克，N·潘迪，M·G·M·M·范卡拉埃吉，M·H·M·范维尔特，A·齐亚托马斯，S·塔拉布林，H·D·博斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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