EUV表膜制造技术

一种包括金属硅氧化物层的表膜。还公开一种表膜，该表膜包括钼层、钌层和氮氧化硅层，其中，钼层设置在钌层和氮氧化硅层之间。还公开了：一种制造用于光刻设备的表膜的方法，该方法包括提供金属硅氧化物层；一种光刻组件(LA)包括表膜(15)，该表膜包括金属硅氧化物层；以及一种包括在光刻设备中的金属硅氧化物层的表膜的用途。

EUV epimembrane

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】EUV表膜相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月10日提交的EP申请17201126.4和于2018年3月29日提交的EP申请18165122.5的优先权，这些EP申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及用于光刻设备的表膜、制造用于光刻设备的表膜的方法、包括该表膜的光刻设备、以及它们的用途。
技术介绍
光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将来自图案化装置(例如掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。被光刻设备用来将图案投影到衬底上的辐射的波长决定了能够在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(该辐射是电磁辐射，其波长在4-20nm范围内)的光刻设备可以用于在衬底上形成比常规光刻设备(该常规光刻设备例如可以使用波长为193nm的电磁辐射)小的特征。光刻设备包括图案化装置(例如掩模或掩模版)。辐射通过图案化装置而被提供或者被图案化装置反射，从而在衬底上形成图像。可以提供表膜来保护图形化装置免受空气中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于光刻设备的表膜，其中，所述表膜包括金属硅氧化物层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171110 EP 17201126.4;20180329 EP 18165122.51.一种用于光刻设备的表膜，其中，所述表膜包括金属硅氧化物层。


2.根据权利要求1所述的表膜，其中，所述表膜包括硅基底。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的表膜，其中，所述表膜包括金属层。


4.根据权利要求3所述的表膜，其中，所述金属硅氧化物层设置在所述硅基底与所述金属层之间。


5.根据权利要求4所述的表膜，其中，所述金属层中的金属和所述金属硅氧化物中的金属是相同的。


6.根据权利要求5所述的表膜，其中，所述金属选自钌、锆和/或铪。


7.根据权利要求6所述的表膜，其中，所述金属是钌。


8.根据权利要求3至7中任一项所述的表膜，其中，所述金属层的厚度小于或等于约6nm，优选地小于或等于约5nm，更优选地小于或等于约4.5nm，更优选地小于或等于约3.5nm。


9.根据权利要求3至8中任一项所述的表膜，其中，所述金属层在所述硅基底的单侧上。


10.根据权利要求1至9中任一项所述的表膜，其中，所述表膜包括氮氧化硅盖层。


11.根据权利要求10所述的表膜，其中，所述氮氧化硅盖层设置在一硅基底或所述硅基底上。


12.根据权利要求1至11中任一项所述的表膜，其中，所述表膜还包括钼层。


13.根据权利要求1至12中任一项所述的表膜，其中，所述表膜还包括氮氧化硅层。


14.根据从属于权利要求12时的权利要求13所述的表膜，其中，所述钼层设置在所述氮氧化硅层与所述钌层之间。


15.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：Z·S·豪厄林，C·K·安德，D·德格拉夫，T·卡特，M·A·J·库伊肯，M·瓦莱特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL