校准聚焦测量结果的方法、测量方法和量测设备、光刻系统以及器件制造方法技术方案

光刻设备的聚焦性能是使用已曝光(1110)后的多对目标利用像差设定(例如像散)来测量的，所述像差设定在所述多对目标之间引发相对最佳的聚焦偏移。通过在FEM晶片上曝光相似的目标(1174、1172)而预先获得校准曲线(904)。在设置阶段，使用多个像差设定来获得校准曲线，且记录锚点(910)，其中所有所述校准曲线在所述锚点处相交。当测量(1192)新校准曲线时，所述锚点用以产生经调整的更新后的校准曲线(1004’)以消除聚焦漂移且可选地测量像散的漂移。本发明专利技术的另一方面(图13至图15)在每个测量结果中使用两个像差设定(+AST、‑AST)，从而减小对像散漂移的灵敏度。另一方面(图16至图17)使用通过在一个抗蚀剂层中进行的双重曝光而被印制为具有相对聚焦偏移的多对目标。

Methods, measuring methods and measuring equipment for calibration of focusing measurement results, lithography system and device manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】校准聚焦测量结果的方法、测量方法和量测设备、光刻系统以及器件制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年8月21日提交的欧洲/美国申请17187069.4的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本专利技术中。
本专利技术涉及可以用以例如在通过光刻技术进行的器件制造中执行量测的检查设备和方法。本专利技术还涉及用于在光刻过程中监测聚焦参数这样的方法。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可以用以产生待形成在IC单层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的邻近目标部分的网络。在光刻过程中，经常期望进行对于所产生结构的测量，例如以用于过程控制和验证。用于进行这些测量的各种工具是已知的，包括常常用以测量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种监测光刻设备的聚焦参数的方法，所述方法包括：/n接收第一测量值，已从第一目标的检查获得所述第一测量值；/n接收第二测量值，已从第二目标的检查获得所述第二测量值；以及/n根据至少所述第一测量值和所述第二测量值确定所述聚焦参数，/n其中所述第一目标已使用相对于所述光刻设备的最佳聚焦设定的第一聚焦偏移来印制，/n其中所述第二目标已使用相对于所述光刻设备的所述最佳聚焦设定的第二聚焦偏移来印制，/n并且其中已通过在衬底上的同一抗蚀剂层中印制目标图案两次，改变聚焦偏移并且加上位置偏移，来印制所述第一目标和所述第二目标，使得所述第二目标邻近于所述第一目标但从所述第一目标偏移。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170821 EP 17187069.41.一种监测光刻设备的聚焦参数的方法，所述方法包括：
接收第一测量值，已从第一目标的检查获得所述第一测量值；
接收第二测量值，已从第二目标的检查获得所述第二测量值；以及
根据至少所述第一测量值和所述第二测量值确定所述聚焦参数，
其中所述第一目标已使用相对于所述光刻设备的最佳聚焦设定的第一聚焦偏移来印制，
其中所述第二目标已使用相对于所述光刻设备的所述最佳聚焦设定的第二聚焦偏移来印制，
并且其中已通过在衬底上的同一抗蚀剂层中印制目标图案两次，改变聚焦偏移并且加上位置偏移，来印制所述第一目标和所述第二目标，使得所述第二目标邻近于所述第一目标但从所述第一目标偏移。


2.根据权利要求1所述的方法，其中已根据从对应的目标散射的辐射的测量结果获得每个测量值，且其中每个测量结果表示从所述对应的目标散射的辐射的衍射阶的强度。


3.根据权利要求2所述的方法，其中所述衍射阶是较高的(非零)衍射阶。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括对所述第一目标和所述第二目标执行检查以获得所述第一测量值和所述第二测量值。


5.根据权利要求4所述的方法，其中至少通过单个检查步骤获得所述第一测量结果和第二测量结果。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述确定所述聚焦参数的步骤使用所述第一测量值与所述第二测量值之间的差。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，还包括：
接收第三测量值，已从第三目标的检查获得所述第三测量值；
接收第四测量值，已从第四目标的检查获得所述第四测量值；以及
在确定所述聚焦参数时使用所述第三测量值和所述第四测量值以及所述第一测量值和所述第二测量值，
其中已在与所述第一目标相同的印制步骤中使用所述第一聚焦偏移来印制所述第三目标，
其中已在与所述第一目标相同的印制步骤中使用所述第二聚焦偏移来印制所述第四目标，
且其中所述目标图案和所述位置偏移使得所述第二目标和第四目标邻近于所述第一目标和第三目标，但从所述第一目标和第三目标偏移。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述第一目标、第二目标、第三目标...

【专利技术属性】
技术研发人员：李发宏，M·加西亚格兰达，C·C·M·卢伊滕，B·P·B·西哥斯，C·A·F·J·范德普尔，弗兰克·斯塔尔斯，A·B·范奥斯汀，M·瑞达尼，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL