优化测量照射光斑相对于衬底上的目标的位置和/或尺寸的方法和相关设备技术

披露了一种在检查设备内优化测量照射光斑相对于衬底上的目标的位置和/或大小(以及因此聚焦)的方法。所述方法包括：针对所述照射光斑相对于所述目标的不同大小和/或位置，检测因照射所述目标而产生的来自至少所述目标的散射辐射；以及基于所检测到的散射辐射的特性，针对所述照射光斑相对于所述目标的不同大小和/或位置，优化所述测量照射光斑相对于所述目标的位置和/或大小。

Methods and related equipment for optimizing the measurement of the position and / or size of the light spot relative to the target on the substrate

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】优化测量照射光斑相对于衬底上的目标的位置和/或尺寸的方法和相关设备相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月30日提交的欧洲申请17178949.8的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及一种监测来自量测设备的照射的特性的方法。例如，本专利技术可应用于检查设备中。
技术介绍
光刻过程是将所需的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的过程。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成在IC的单层上的电路图案。可以将此图案转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像到设置于所述衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。可涉及步进和/或扫描运动，以在跨越所述衬底的连续目标部分处重复所述图案。也有可能通过将所述图案压印到所述衬底上，来将所述图案从所述图案形成装置转印到所述衬底上。在光刻过程中，需要频繁地进行所产生的结构的测量，例如以进行过程控制以及验证本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在检查设备内对测量照射光斑相对于衬底上的目标的位置和/或大小进行优化的方法，所述方法包括：/n针对所述照射光斑相对于所述目标的不同大小和/或位置，检测因照射所述目标而产生的来自至少所述目标的散射辐射；以及/n基于所检测到的散射辐射的特性，针对所述照射光斑相对于所述目标的不同大小和/或位置，优化所述测量照射光斑相对于所述目标的位置和/或大小。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171011 EP 17195853.11.一种在检查设备内对测量照射光斑相对于衬底上的目标的位置和/或大小进行优化的方法，所述方法包括：
针对所述照射光斑相对于所述目标的不同大小和/或位置，检测因照射所述目标而产生的来自至少所述目标的散射辐射；以及
基于所检测到的散射辐射的特性，针对所述照射光斑相对于所述目标的不同大小和/或位置，优化所述测量照射光斑相对于所述目标的位置和/或大小。


2.根据权利要求1所述的方法，其中优化步骤包括优化所述测量照射光斑相对于所述目标的大小，所述测量照射光斑的大小取决于所述测量光斑在所述目标上的聚焦，所述方法还包括：
针对所述测量照射光斑在所述目标上的不同聚焦设置来检测所述散射辐射；和
基于针对不同聚焦设置中每个聚焦设置所检测到的散射辐射的特性的比较来选择最佳聚焦设置。


3.根据权利要求2所述的方法，其中所检测到的散射辐射的特性是强度。


4.根据权利要求2或3所述的方法，其中最佳聚焦设置对应于针对所检测到的散射辐射的特性的最高值或最低值。


5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中所述方法还包括执行针对所述测量照射光斑在所述目标上的不同聚焦设置来检测所述散射辐射的所述步骤；以及基于来自不同部位的所检测到的散射辐射的特性来选择所述最佳聚焦设置。


6.根据权利要求5所述的方法，还包括：针对不同聚焦设置中每个聚焦设置，确定在所检测到的散射辐射的特性与所述测量照射光斑相对于所述目标的位置之间的关系的峰值的宽度；以及
基于针对不同聚焦设置中每个聚焦设置的所述峰值的宽度的比较来选择最佳聚焦设置。


7.根据权利要求1所述的方法，其中所述检测步骤包括针对所述照射光斑在衬底的平面上相对于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·M·范博克斯梅尔，M·J·M·范达姆，K·范贝尔克，谢特·泰门·范德波斯特，J·H·A·范德里德，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL