低剂量带电粒子量测系统技术方案

公开了用于进行临界尺寸量测的系统和方法。带电粒子束装置产生用于对第一区域540和第二区域541‑547成像的束。获取对应于第一区域中的第一特征的测量结果，并且获取对应于第二区域中的第二特征测量结果。第一区域和第二区域位于样品上的分离位置处。组合的测量结果基于第一特征的测量结果和第二特征的测量结果进行计算。

Low dose charged particle measurement system

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低剂量带电粒子量测系统相关申请的交叉引用本申请要求2017年10月10日提交的美国申请62/570624的优先权，并且其全部内容通过引用并入本文。
本公开总体上涉及带电粒子束成像领域，并且更具体地，涉及用于带电粒子量测的系统和方法。
技术介绍
带电粒子束量测系统可以用于一些半导体制造工艺的工艺控制中。例如，临界尺寸扫描电子显微镜(CDSEM)可以用作用于测量在半导体晶片上形成的精细图案的尺寸的专用系统。为了确定特定的CDSEM是否可以适于控制特定工艺，高准确度和高精确度是必须的。高分辨率SEM工具已被确立为许多先进半导体制造工艺中的直接临界尺寸测量的标准。然而，如在SEM工具中使用的高能粒子对晶片表面上的敏感材料(诸如，在光刻图案化中使用的光致抗蚀剂)的轰击可能对测量产生负面影响。例如，电子对电子敏感材料的轰击可能会损坏目标形貌并且引入测量不确定性。在一些技术中，SEM量测的基本精确度应当为例如约0.1nm，以便量化SEM图像中表示的特征的质量。但是，由电子撞击引入的测量不确定性可能在过程随机性的数量级，例如可能为约0.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量测系统，包括：/n带电粒子束装置，被配置成产生带电粒子束；以及/n控制器，被配置成：/n基于所述带电粒子束获取样品的一个或多个图像，并且将所述一个或多个图像存储在存储装置中；/n获取与所述样品的第一特征相关联的第一多个测量结果；/n获取与所述样品的第二特征相关联的第二多个测量结果，所述第二特征与所述第一特征位于所述样品上的分离位置处；以及/n基于所述第一多个测量结果和所述第二多个测量结果来确定组合的测量结果。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171010 US 62/570,6241.一种量测系统，包括：
带电粒子束装置，被配置成产生带电粒子束；以及
控制器，被配置成：
基于所述带电粒子束获取样品的一个或多个图像，并且将所述一个或多个图像存储在存储装置中；
获取与所述样品的第一特征相关联的第一多个测量结果；
获取与所述样品的第二特征相关联的第二多个测量结果，所述第二特征与所述第一特征位于所述样品上的分离位置处；以及
基于所述第一多个测量结果和所述第二多个测量结果来确定组合的测量结果。


2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一特征和所述第二特征相同。


3.根据权利要求1所述的系统，其中所述组合的测量结果是所述第一特征和所述第二特征的临界尺寸。


4.根据权利要求1所述的系统，其中所述组合的测量结果的精确度小于或等于0.1nm。


5.根据权利要求1所述的系统，其中所述组合的测量结果包括所述第一多个测量结果中的每个测量结果与所述第二多个测量结果中的每个测量结果的平均值。


6.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置成在不移动保持所述样品的样品台的情况下获取所述一个或多个图像。


7.根据权利要求1所述的系统，其中所述带电粒子束被设置为小于或等于250pA的电流。


8.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个图像包括分离地存储在所述存储装置中的多个图像，所述多个图像中的第一图像包括所述第一特征，并且所述多个图像中的第二图像包括所述第二特征。


9.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个图像是存储在所述存储装置中的单个图像，并且所述控制器被配置成将所述单个图像划分为多个区域，所述多个区域中的第一区域包括所述第一特征，并且所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，方伟，刘国狮，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL