带电粒子束装置以及操作该装置的系统和方法制造方法及图纸

一种带电粒子束装置包括子束形成单元，该子束形成单元被配置为在样品(440)上形成子束阵列(410)并且对其进行扫描。子束阵列的第一部分被聚焦到焦平面(430)上，并且子束阵列的第二部分具有至少一个子束，该至少一个子束相对于焦平面具有离焦水平(490)。该带电粒子束装置还包括检测器，其被配置为检测由子束阵列形成的样品的图像；以及处理器，其被配置为基于检测的图像来估计焦平面与样品之间的分隔水平，并且然后基于估计水平来减小分隔水平。

Charged particle beam device and system and method of operating the device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带电粒子束装置以及操作该装置的系统和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年9月19日提交的美国申请62/560,622的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本公开总体上涉及带电粒子束装置以及操作该装置的系统和方法。
技术介绍
在集成电路(IC)的制造过程中，对未完成或已完成的电路部件进行检查以确保它们根据设计制造并且没有缺陷。利用光学显微镜的检查系统通常具有低至几百纳米的图像分辨率；并且图像分辨率受到光波长的限制。随着IC部件的物理尺寸不断降低到小于100纳米或甚至小于10纳米，需要具有能够比利用光学显微镜的系统更高图像分辨率的检查系统。能够将图像分辨率降低到小于纳米的基于电子束的显微镜(诸如扫描式电子显微镜(SEM)或透射式电子显微镜(TEM))用作检查特征尺寸小于100纳米的IC部件的实用工具。为了提高基于电子束的显微镜的吞吐量，采用了各自具有相对较小电流的多个电子束。多个电子束可以分别并且同时扫描样品表面上的多个扫描区域。为了确保多个电子束在检查期间提供高图像分辨率，期望将多个电子束保持聚焦在样品表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带电粒子束装置，包括：/n子束形成单元，其被配置为在样品上形成子束阵列并且对其进行扫描，所述子束阵列的第一部分被聚焦到焦平面上，并且所述子束阵列的第二部分具有至少一个子束，所述至少一个子束相对于所述焦平面具有离焦水平；/n检测器，其被配置为检测由所述子束阵列形成的所述样品的图像；以及/n处理器，其被配置为基于所检测的图像来估计所述焦平面和所述样品之间的分隔水平，并且然后基于所估计的水平来减小所述分隔水平。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170919 US 62/560,6221.一种带电粒子束装置，包括：
子束形成单元，其被配置为在样品上形成子束阵列并且对其进行扫描，所述子束阵列的第一部分被聚焦到焦平面上，并且所述子束阵列的第二部分具有至少一个子束，所述至少一个子束相对于所述焦平面具有离焦水平；
检测器，其被配置为检测由所述子束阵列形成的所述样品的图像；以及
处理器，其被配置为基于所检测的图像来估计所述焦平面和所述样品之间的分隔水平，并且然后基于所估计的水平来减小所述分隔水平。


2.根据权利要求1所述的装置，其中所述检测器包括检测元件阵列，所述检测元件阵列分别检测由所述子束阵列形成的所述图像的信号。


3.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理器还被配置为调整所述子束形成单元中的聚焦元件的聚焦力，以减小所述分隔水平。


4.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理器还被配置为移动所述样品，以减小所述分隔水平。


5.根据权利要求1所述的装置，其中所述子束阵列的所述第二部分的一个子束被聚焦在所述焦平面上。


6.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理器还被配置为：
控制所述子束形成单元以使用所述子束阵列中的至少第一子束子集执行所述样品的第一扫描，以形成所述样品的图像；
基于所述样品的所述图像来减小分隔水平；以及
控制所述子束形成单元以使用所述子束阵列中的至少第二子束子集执行所述样品的第二扫描。


7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一子束子集包括所述第二部分中的子束子集，
其中所述第一子束子集包括所述第一部分中的子束和所述第二部分中的子束子集，
其中所述第二子束子集包括所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·G·M·J·玛森，P·P·亨佩尼尤斯，任伟明，陈仲玮，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL