用于在光刻设备中使用的衬底支架制造技术

一种用于在光刻设备中使用并且被配置为支撑衬底的衬底支架，该衬底支架包括：具有主体表面的主体；从主体表面突出的多个主突节，其中每个主突节具有被配置为支撑衬底的远端表面；从主体表面突出并且具有上表面的第一密封构件，第一密封构件围绕多个主突节并且被配置为限制液体在衬底和主体表面之间径向向内经过第一密封构件的通道；以及从第一密封构件的上表面突出的多个小突节，其中每个小突节具有被配置为支撑衬底的远端表面。

Substrate support for use in lithography equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在光刻设备中使用的衬底支架相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月12日提交的EP申请17196086.7和于2018年3月26日提交的EP申请18163985.7的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及用于在光刻设备中使用的衬底支架。
技术介绍
光刻设备是被配置为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案化装置(例如，掩模)的图案(也通常称为“设计布局”或“设计”)投影到衬底(例如，晶片)上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。随着半导体制造工艺的不断发展，电路元件的尺寸不断减小，而每个器件的功能性元件(例如，晶体管)的数量在数十年间以通常被称为“摩尔定律”的趋势稳定增长。为了赶得上摩尔定律，半导体行业正在寻求能够创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影在衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比，使用具有在4nm至20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。在浸没式光刻设备中，将浸没液体置于设备的投影系统和衬底之间的空间中。该浸没液体可以找到其经过衬底边缘到达衬底下表面的方式。这可能是有害的，这是由于由该浸没液体引起的衬底下表面的污染，以及/或者由于浸没液体的蒸发而在靠近衬底边缘的位置处向衬底的下表面施加的热负荷。被配置为支撑衬底的衬底支架可以具有减小浸没液体沿着衬底的下表面径向向内移动的量和/或距离的特征。这样的特征可能有害地影响所实现的衬底的平坦度和清洁度以及移除的容易。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供衬底支架，其具有在衬底支架在衬底的平坦度和清洁度方面的性能与沿着衬底下表面的浸没液体经过的减少之间的可接受折衷。在本专利技术的一个实施例中，提供了一种用于在光刻设备中使用并且被配置为支撑衬底的衬底支架，该衬底支架包括：具有主体表面的主体；从主体表面突出的多个主突节，其中每个主突节具有被配置为支撑衬底的远端表面；从主体表面突出并且具有上表面的第一密封构件，第一密封构件围绕多个主突节并且被配置为限制液体在衬底和主体表面之间径向向内经过第一密封构件的通道；以及从第一密封构件的上表面突出的多个小突节，其中每个小突节具有被配置为支撑衬底的远端表面。在本专利技术的一个实施例中，提供了一种用于在光刻设备中使用并且被配置为支撑衬底的衬底支架，该衬底支架包括：具有主体表面的主体；从主体表面突出的多个主突节，其中每个主突节具有被配置为支撑衬底的远端表面；从主体表面突出并且具有上表面的第一密封构件，第一密封构件围绕多个主突节并且被配置为限制液体在衬底和主体表面之间径向向内经过第一密封构件的通道；从主体表面突出的第二密封构件，第二密封构件围绕第一密封构件并且被配置为限制液体在衬底和主体表面之间径向向内经过第二密封构件的通道；在第一密封构件和第二密封构件之间的主体中形成的多个抽取开口，用于将流体从主体和衬底之间抽取到主体中；以及从第一密封构件和第二密封构件之间的主体表面突出的多个外突节，每个外突节具有被配置为支撑衬底的远端表面；其中多个外突节和多个抽取开口在围绕第一密封构件和多个主突节的线上交替布置。在本专利技术的一个实施例中，提供了一种用于在光刻设备中使用并且被配置为支撑衬底的衬底支架，该衬底支架包括：具有主体表面的主体；从主体表面突出的多个主突节，其中每个主突节具有被配置为支撑衬底的远端表面；从主体表面突出并且具有上表面的第一密封构件，第一密封构件围绕多个主突节并且被配置为限制液体在衬底和主体表面之间径向向内经过第一密封构件的通道；从第一密封构件的上表面突出的多个小突节，其中每个小突节具有被配置为支撑衬底的远端表面；从主体表面突出的第二密封构件，第二密封构件围绕第一密封构件并且被配置为限制液体在衬底和主体表面之间径向向内经过第二密封构件的通道；从主体表面突出的第三密封构件，第三密封构件围绕第一密封构件和第二密封构件，并且被配置为限制液体在衬底和主体表面之间径向向内经过第三密封构件的通道；在第一密封构件和第二密封构件之间的主体中形成的多个入口开口；以及在第二密封构件和第三密封构件之间的主体中形成的多个抽取开口，用于将流体从主体和衬底之间抽取到主体中。在本专利技术的一个实施例中，提供了一种用于在光刻设备中使用并且被配置为支撑衬底的衬底支架，该衬底支架包括：具有主体表面的主体；从主体表面突出的多个主突节，其中每个主突节具有被配置为支撑衬底的远端表面；从主体表面突出并且具有上表面的密封构件，密封构件围绕多个主突节；在密封构件的上表面中的一个或多个第一凹部中形成的多个抽取开口；在密封构件的上表面中的一个或多个第二凹部中形成的多个入口开口；在一个或多个第一凹部和一个或多个第二凹部之间的阻挡件，阻挡件被配置为限制液体在衬底和主体表面之间径向向内经过阻挡件的通道。附图说明现在将仅通过示例的方式，参考所附的示意图来描述本专利技术的实施例，在附图中：图1描绘了光刻设备的示意性概图；图2a和图2b以截面图描绘了具有在左手侧和右手侧图示的不同特征的流体处理结构的两个不同版本，其可以围绕完整圆周延伸；图3描绘了根据本专利技术的衬底支架200的边缘的示意性概图；图4描绘了根据本专利技术的衬底支架200的边缘的示意性概图；图5描绘了根据本专利技术的衬底支架200的边缘的示意性概图；图6描绘了根据本专利技术的衬底支架200的边缘的示意性概图；图7描绘了根据本专利技术的衬底支架200的边缘的示意性概图；图9描绘了根据本专利技术的衬底支架200的边缘的示意性概图；图10描绘了根据本专利技术的衬底支架200的边缘的示意性概图；图11描绘了根据本专利技术的衬底支架200的边缘的示意性概图；图12描绘了根据本专利技术的衬底支架200的边缘的示意性概图；以及图13描绘了根据本专利技术的衬底支架200的边缘的示意性概图。具体实施方式在本文件中，术语“辐射”和“射束”用于涵盖包括紫外辐射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)的所有类型的电磁辐射。本文中使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案化装置”可以广义地解释为指代可以用于向传入的辐射束赋予经图案化的截面(对应于将在衬底的目标部分中创建的图案)的通用图案化装置。在该上下文中，也可以使用术语“光阀”。除了经典的掩模(透射型或反射型、二进制型、相移型、混合型等)之外，其他这样的图案化装置的示例还包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。图1示意性地描绘了光刻设备。光刻设备包括：被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)的照射系统(也称为照射器)IL；被构造为支撑图案化装置(例如，掩模MA)并连接到第一定位器PM的掩模支撑件(例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底支架，用于在光刻设备中使用并且被配置为支撑衬底，所述衬底支架包括：/n主体，具有主体表面；/n多个主突节，从所述主体表面突出，其中每个主突节具有被配置为支撑所述衬底的远端表面；/n第一密封构件，从所述主体表面突出并且具有上表面，所述第一密封构件围绕所述多个主突节，并且被配置为限制液体在所述衬底和所述主体表面之间径向向内经过所述第一密封构件的通道；以及/n多个小突节，从所述第一密封构件的所述上表面突出，其中每个小突节具有被配置为支撑所述衬底的远端表面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171012 EP 17196086.7;20180326 EP 18163985.71.一种衬底支架，用于在光刻设备中使用并且被配置为支撑衬底，所述衬底支架包括：
主体，具有主体表面；
多个主突节，从所述主体表面突出，其中每个主突节具有被配置为支撑所述衬底的远端表面；
第一密封构件，从所述主体表面突出并且具有上表面，所述第一密封构件围绕所述多个主突节，并且被配置为限制液体在所述衬底和所述主体表面之间径向向内经过所述第一密封构件的通道；以及
多个小突节，从所述第一密封构件的所述上表面突出，其中每个小突节具有被配置为支撑所述衬底的远端表面。


2.根据权利要求1所述的衬底支架，还包括多个抽取开口，所述多个抽取开口形成在所述主体中以用于将流体从所述主体和所述衬底之间抽取到所述主体中。


3.根据权利要求2所述的衬底支架，其中所述多个抽取开口被布置在所述第一密封构件的径向外侧，以及/或者其中所述衬底支架还包括从所述主体表面突出的第二密封构件，所述第二密封构件具有上表面并且围绕所述多个主突节，并且被配置用于限制液体在所述衬底和所述主体表面之间径向向内经过所述第二密封构件的通道。


4.根据权利要求3所述的衬底支架，其中所述第二密封构件围绕所述第一密封构件，并且优选地其中所述衬底支架还包括从所述第二密封构件的所述上表面突出的多个第二小突节，并且每个第二小突节具有被配置为支撑所述衬底的远端表面，并且优选地其中所述多个抽取开口在所述第二密封构件的所述上表面中。


5.根据权利要求4所述的衬底支架，其中每个抽取开口形成在所述第二密封构件中形成的抽取凹槽的底部表面处，或者其中每个抽取开口形成在所述第二密封构件的所述上表面中形成的对应凹部的底部表面处。


6.根据权利要求2所述的衬底支架，其中所述多个抽取开口被布置在所述第一密封构件的径向内侧。


7.根据权利要求2或6所述的衬底支架，还包括从所述主体表面突出的第二密封构件，所述第二密封构件围绕所述多个主突节，并且被配置用于限制液体在所述衬底和所述主体表面之间径向向内经过所述第二密封构件的通道。


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【专利技术属性】
技术研发人员：N·J·J·罗塞特，M·M·P·A·韦尔默朗，S·K·拉万斯贝根，M·C·J·巴格，G·克雷默，R·A·M·蒂默曼斯，F·P·A·范德贝克莫尔特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL