一种1,3-二氧杂环戊烷类液晶化合物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种1,3-二氧杂环戊烷类液晶化合物，具体结构通式如式（I）所示。本发明专利技术还提供其其制备方法和应用。加入了本发明专利技术化合物的液晶组合物，响应时间短、Δn数值适中、电荷保持率高，并且具有较低的阈值电压，应用前景广阔。

【技术实现步骤摘要】
,3-二氧杂环戊烷类液晶化合物及其制备方法和应用的制作方法【专利摘要】本专利技术涉及,3-二氧杂环戊烷类液晶化合物，具体结构通式如式（I）所示。本专利技术还提供其其制备方法和应用。加入了本专利技术化合物的液晶组合物，响应时间短、Δn数值适中、电荷保持率高，并且具有较低的阈值电压，应用前景广阔。【专利说明】, 3- 二氧杂环戊烷类液晶化合物及其制备方法和应用
本专利技术涉及一种液晶化合物以及包括所述液晶化合物的液晶组合物，更具体地说，本专利技术涉及，3-二氧杂环戊烷类液晶化合物以及制备方法和应用。
技术介绍
近年来，液晶化合物的应用领域越来越广，已经广泛用于各种类型的显示设备、电光学器件、传感器等。其中，在显示装置中向列相液晶有着最宽广的用途。向列相液晶已经广泛应用于无源TN或STN矩阵显示器和具有TFT有源矩阵的系统中。液晶材料要求具备良好的化学和热稳定性，良好的对电场和电磁辐射的稳定性，较宽的向列相温度范围，适当的折射率、介电各向异性，较快的响应速度和高的电压保持率。随着显示技术的发展，对液晶材料也提出了更高的要求，尤其是在快速响应，降低驱动电压，降低功耗等方面。因此，需要开发更多改进性能的新型液晶化合物。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，3- 二氧杂环戊烷类液晶化合物。本专利技术的另一目的是提供，3- 二氧杂环戊烷类液晶化合物的制备方法。本专利技术的再一目的是提供，3- 二氧杂环戊烷类液晶化合物的应用。为解决上述问题，本专利技术采用如下技术方案:，3- 二氧杂环戊烷类液晶化合物，具有如下结构通式(I):【权利要求】1.，3-二氧杂环戊烷类液晶化合物，其特征在于，具有如下结构通式(I): 2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R1表示-H，具有1-8个碳原子的烷基或烷氧基；其中，烷基或烷氧基中的H可以被卤素取代，一个或多个-CH2-可以各自独立地被-CH=CH-或-O-取代，但要求O原子彼此不直接连接。3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R2表示-H，-F，-Cl，-CN,-CF3, -OCF3，-OCF2Cl,具有1-8个碳原子的烷基或烷氧基；其中，烷基或烷氧基中的H可以被卤素取代，一个或多个-CH2-可以各自独立地被-CH=CH-或-O-取代，但要求O原子彼此不直接连接。4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述ApA3、A4、A5相同或不同，各自独立地表示^^^^ ~^ ^^ 5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述ZpZ2、Z3相同或不同，各自独立地表示碳碳单键、-C0-0-, -CF2O-, -CH2O-, -CH2CH2-, -C = C-、-CH=CH-, -CF=CF-, -C2F4-?6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述a、b、c相同或不同，各自独立地表不 O、I，且 I≤ a+b+c ≤3 ο7.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述通式(I)的化合物为下述化合物的一种或多种: 8.权利要求1-7任一所述结构通式(I)的化合物的制备方法，其特征在于，合成路线如下所示: 9.一种液晶组合物，其特征在于，包含质量百分比为1-50%的权利要求1-7任一所述的通式(I)的化合物。10.权利要求9所述液晶组合物在TN、IPS、FFS、ADS-TFT模式中的应用。【文档编号】C07D317/46GK103555346SQ201310546010【公开日】2014年2月5日 申请日期:2013年11月6日 优先权日:2013年11月6日【专利技术者】储士红, 班全志, 齐秀梅, 杭德余, 田会强, 姜天孟, 陈海光, 高立龙, 梁现丽, 苏学辉 申请人:北京八亿时空液晶科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种1,3?二氧杂环戊烷类液晶化合物，其特征在于，具有如下结构通式（I）：式中：R1表示?H，具有1?12个碳原子的烷基或烷氧基；其中，烷基或烷氧基中的H可被卤素取代，一个或多个?CH2?可以各自独立地被?C≡C?、?CH=CH?、?CF=CF?、?CF=CH?、?CO?O?、?O?CO?或?O?取代，但要求O原子彼此不直接连接；R2表示?H，?F，?Cl，?CN，?NCS，?CF3，?OCF3，?OCF2Cl，具有1?12个碳原子的烷基或烷氧基；其中，烷基或烷氧基中的H可以被卤素取代，一个或多个?CH2?可以各自独立地被?C≡C?、?CH=CH?、?CF=CF?、?CF=CH?、?CO?O?、?O?CO?或?O?取代，但要求O原子彼此不直接连接；A2表示1,4?亚苯基或环己基，其中，1,4?亚苯基或环己基中的H可以被氟原子取代或1?2个?CH?基团可以被氮原子取代；A1、A3、A4、A5相同或不同，各自独立地表示1,4?亚环己基，1,4?亚环己烯基或1,4?亚苯基；其中，1,4?亚环己基和1,4?亚环己烯基中的1?4个H可以被氟原子取代，1?2个?CH2?基团可以被氧原子取代；1,4?亚苯基中的1?4个H可以被氟原子取代，1?2个?CH?基团可以被氮原子取代；Z1、Z2、Z3相同或不同，各自独立地表示碳碳单键、?CO?O?、?O?CO?、?CF2O?、?OCF2?、?CH2O?、?OCH2?、?CH2CH2?、?C≡C?、?CH=CH?、?CF=CF?、?CF=CH?、?CF2CH2?、?CH2CF2?、?C2F4?、?CH2CHF?、?CHFCH2?；a、b、c相同或不同，各自独立地表示0、1、2。FDA0000409086260000011.jpg...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：储士红，班全志，齐秀梅，杭德余，田会强，姜天孟，陈海光，高立龙，梁现丽，苏学辉，
申请(专利权)人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：