QFN封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种QFN封装结构，其特征在于，包括：一铜支架，中间设计有裸露的金属散热盘，四周设计有替代引脚的金属触点；上层芯片和下层芯片，堆叠于所述金属散热盘上；多根导线，电性连接于上层芯片和下层芯片之间、下层芯片和金属触点之间；封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。本实用新型专利技术所述QFN封装结构用金属触点代替传统的引脚，可减少阻抗，提高芯片信息处理频率，同时，铜支架中央底部设计有裸露的金属散热盘，以便芯片在工作时快速传导热量，散热效果好。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种QFN封装结构，其特征在于，包括：???一铜支架，中间设计有裸露的金属散热盘，四周设计有替代引脚的金属触点；???至少一个芯片，配置于所述铜支架上，所述金属散热盘粘贴于芯片下方；???多根导线，电性连接于芯片和金属触点之间；???封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。2．根据权利要求1所述的QFN封装结构，其特征在于，所述芯片和芯片或者芯片和铜支架用胶带粘接。3．根据权利要求2所述的QFN封装结构，其特征在于，所述芯片的尺寸≤3mm*3mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪婷，金若虚，陆春荣，胡立栋，
申请(专利权)人：力成科技苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：