半导体器件制造技术

在半导体器件中，有源区域（AR12）包含：施加预定的电压的第一杂质区域（NI11）、构成一个绝缘栅型的场效应晶体管（MN12a）的一对导通电极的第二和第三杂质区域（NI13、NI14）、以及在第一和第二杂质区域之间配置的至少一个杂质区域（NI12）。向在第二和第三杂质区域之间配置的栅极电极（G13）施加使第二和第三杂质区域之间电气导通的电压。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的栅极电极（G11、G12）成为一直与第一杂质区域（NI11）电气连接的结构。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的杂质区域（NI12）从第一和第二杂质区域电气分离而维持在浮置状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：出口和亮，森本康夫，伊藤正雄，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：
国别省市：