【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置以及温度特性测试方法，例如涉及包括带隙基准(bgr)电路的半导体装置，以及用于该半导体装置的温度特性测试方法。
技术介绍
1、近年来，具有导航功能、音频功能等的信息处理装置作为车载电子系统被安装在车辆上。在这种车载电子系统中使用的半导体装置需要符合iso(国际标准组织)26262的高安全级别。
2、因此，车载电子系统中使用的半导体装置具有温度传感器，用于监测半导体装置的内部温度，以便在保证操作温度范围(例如，-40℃至125℃)内实现高速处理。
3、下面列出了公开的技术。
4、[专利文献1]日本未审查专利申请公开号2017-198523
5、[专利文献2]日本未审查专利申请公开号2020-106362
6、专利文献1和专利文献2公开了一种具有bgr电路作为温度传感器的半导体装置。
7、bgr电路具有基于例如制造变化的温度特性变化。因此，在制造半导体装置时，需要对每个半导体装置中的bgr电路的温度特性进行测试，以便能够在保证操作温度的范围内准确地测
【技术保护点】
1.一种用于半导体装置的温度特性测试方法，所述半导体装置包括用于输出基准电压和绝对温度比例电压的带隙基准电路，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的温度特性测试方法，
3.根据权利要求1所述的温度特性测试方法，
4.根据权利要求1所述的温度特性测试方法，
5.根据权利要求4所述的温度特性测试方法，
6.根据权利要求1所述的温度特性测试方法，
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体装置的温度特性测试方法，所述半导体装置包括用于输出基准电压和绝对温度比例电压的带隙基准电路，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的温度特性测试方法，
3.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：龟山祯史，川上史树，小山哲弘，南正隆，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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