【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置以及温度特性测试方法，例如涉及包括带隙基准(bgr)电路的半导体装置，以及用于该半导体装置的温度特性测试方法。
技术介绍
1、近年来，具有导航功能、音频功能等的信息处理装置作为车载电子系统被安装在车辆上。在这种车载电子系统中使用的半导体装置需要符合iso(国际标准组织)26262的高安全级别。
2、因此，车载电子系统中使用的半导体装置具有温度传感器，用于监测半导体装置的内部温度，以便在保证操作温度范围(例如，-40℃至125℃)内实现高速处理。
3、下面列出了公开的技术。
4、[专利文献1]日本未审查专利申请公开号2017-198523
5、[专利文献2]日本未审查专利申请公开号2020-106362
6、专利文献1和专利文献2公开了一种具有bgr电路作为温度传感器的半导体装置。
7、bgr电路具有基于例如制造变化的温度特性变化。因此，在制造半导体装置时，需要对每个半导体装置中的bgr电路的温度特性进行测试，以便能够在保证操作温度的范围内准确地测量温度。
8、例如，其上形成大量作为半导体装置的ic(集成电路)芯片的半导体晶片被固定在温度可调整的晶片卡盘上，并且晶片卡盘的温度被设置为半导体装置的操作保证范围的下限温度和上限温度。在每个设定温度下，通过使探针卡的探针接触半导体晶片，来测试半导体装置中的每个半导体装置的操作，并且测试半导体装置中的每个半导体装置中的bgr电路的温度特性。
技术实现思路>
1、关于具有带隙基准电路的半导体装置，专利技术人发现以下问题。
2、在上述测试中，考虑了半导体晶片上的每个半导体装置的测量温度(通过接触探针来测试温度特性时的温度)，相对于晶片卡盘的设定温度，在例如大约±1℃的误差内。
3、然而，作为研究的结果，专利技术人发现半导体晶片上的半导体装置的测量温度会偏离晶片卡盘的设定温度，例如高达10℃。
4、具体地，当晶片卡盘的设定温度为125℃时，发现半导体装置的测量温度为大约115℃。另一方面，当晶片卡盘的设定温度是-40℃时，发现半导体装置的测量温度为大约-30℃。热量通过与半导体装置接触的探针(没有特别限制，例如大约数千个探针)从晶片卡盘传递到半导体装置，并且各种因素可能引起从晶片卡盘传递到半导体装置的热量的量的不稳定。
5、这里，在测试时，各种因素使得难以将探针的温度与晶片卡盘的设定温度相匹配。因此，在无法准确获知半导体装置的测量温度的环境中，对带隙基准电路的温度特性的测试需要更高的准确性。
6、半导体装置的测量温度的变化的原因不限于特定原因，而是可以想到除通过与半导体装置接触的探针的热传递之外的各种原因。本公开也不限于在车载电子系统中使用的半导体装置。
7、根据本说明书的描述和附图，其他目的和新颖特征将变得明显。
8、根据一个实施例，在测试带隙基准电路的温度特性之前，测量多个样本的基准电压和绝对温度比例电压的温度依赖性。在测试温度特性时，基于带隙基准电路在预定温度下的基准电压的中值与多个样本的基准电压之间的差异，来计算带隙基准电路在预定温度下的绝对温度比例电压与多个样本的绝对温度比例电压的中值之间的差异。
9、根据一个实施例，在不能准确地知道半导体装置的测量温度的环境中，可以实现一种能够更准确地测试带隙基准电路的温度特性的半导体装置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于半导体装置的温度特性测试方法，所述半导体装置包括用于输出基准电压和绝对温度比例电压的带隙基准电路，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的温度特性测试方法，
3.根据权利要求1所述的温度特性测试方法，
4.根据权利要求1所述的温度特性测试方法，
5.根据权利要求4所述的温度特性测试方法，
6.根据权利要求1所述的温度特性测试方法，
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体装置的温度特性测试方法，所述半导体装置包括用于输出基准电压和绝对温度比例电压的带隙基准电路，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的温度特性测试方法，
3.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：龟山祯史，川上史树，小山哲弘，南正隆，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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