半导体器件制造技术

将具有利用了基准电阻的振荡电路的半导体芯片(CP1)树脂封固而形成半导体器件。振荡电路利用基准电阻生成基准电流，根据该基准电流和振荡部的振荡频率生成电压，振荡部以与所生成的电压相应的频率进行振荡。在由半导体芯片(CP1)的主面的第1边(S1、S2、S3、S4)、连接第1边的一端与半导体芯片的主面的中心(CT1)而成的第1线(42、43、44、45)、连接第1边的另一端与半导体芯片的主面的中心而成的第2线(42、43、44、45)所包围的第1区域(RG1、RG2、RG3、RG4)内，通过在垂直于第1边的第1方向(Y)上延伸的多个电阻体形成基准电阻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及具有振荡电路的半导体器件。
技术介绍
在各种半导体器件中有时使用振荡电路。在日本特开2007-13119号公报(专利文献I)和日本特开2010-10168号公报(专利文献2)中，记载了关于具有振荡电路的半导体器件的技术。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-13119号公报专利文献2:日本特开2010-10168号公报
技术实现思路
为了使需要振荡电路的半导体器件系统整体小型化，使振荡电路内置在半导体芯片内是有效的。另外，在内置有振荡电路以外的各种电路的半导体芯片内，若也内置振荡电路，则能够使半导体器件系统更加小型化。 然而，根据本专利技术人的研究，发现了如下情况。为了提高振荡电路的性能，本专利技术人对利用了基准电阻的振荡电路进行了研究。具体而言，对如下振荡电路进行了研究:利用基准电阻生成基准电流，根据该基准电流和振荡部的振荡频率生成电压，以与所生成的电压相应的频率使振荡部振荡。在这种振荡电路中，由于根据基准电流和振荡频率生成电压，将所生成的电压输入到振荡部，且以与电压相应的频率使振荡部振荡，从而能够实现振荡频率的稳定化。然而，当基准电阻的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：堤聪明，船户是宏，奥平智仁，山形整人，内田明久，铃木智久，钟江义晴，寺崎健，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：
国别省市：