薄芯片在载体衬底上的低共熔压焊制造技术

本发明专利技术涉及一种用于制造半导体元器件(166)的方法。该方法包括下列步骤：a)在初始衬底(112)上制造半导体芯片(110)，其中所述半导体芯片在至少一个支撑点(116)上与所述初始衬底(112)连接，其中所述半导体芯片(110)具有背离所述初始衬底(112)的正面(130)和朝向所述初始衬底(112)的背面(132)，b)在至少一个贯穿接触步骤中，将至少一个贯穿接触部填充材料(142)施加到所述半导体芯片(110)上，其中所述背面(132)的至少一个部分区域(140)被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)，c)将所述半导体芯片(110)与所述初始衬底(112)分离，以及d)将所述半导体芯片(110)施加到至少一个载体衬底(150)上，其中所述半导体芯片(110)的背面(132)的被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)的部分区域(140)与所述载体衬底(150)上的至少一个焊盘(152)连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种薄芯片在载体衬底上的低共熔压焊。
技术介绍
由现有技术已知用于制造薄芯片的所谓的芯片膜工序。这种芯片膜工序例如在M.Zimmermann 等人于 2006 年的 Tech.Dig.1EDM 的 1010-1012 页上发表的文章“A SeamlessUltra-Thin Chip Fabrication and Assembly Technology” 中进行了描述。芯片膜技术指通过特殊的蚀刻法在初始衬底，特别是由常规的硅制成的载体晶片上产生凹陷部，该凹陷部也被称为“空穴”。这些空穴通过制造多孔硅以及随后除去多孔硅(APSM-工序)制成。随后通过外延法在这些空穴上施加对于电路适合的硅。这些施加的涂层随后形成超薄的微芯片。随后通过常规方法在这些面上加工所希望的电路结构。接着，可以通过也被称为“拾取、破裂、放置(Pick, Crack and place) ”的技术通过真空吸管吸取(拾取)芯片，使其与初始衬底裂开(破裂)并随后放置(放置)到任一其他载体衬底上。同样地，由现有技术还已知制造在晶片或芯片上或者穿过晶片或芯片的电触点的方法。在此，例如可以在晶片中产生具有几乎本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：A·普吕姆，KH·克拉夫特，T·迈尔，A·霍伊查斯特，C·舍林，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：
国别省市：