一种制备钨通孔的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备钨通孔的方法，通过采用氮化硅膜作为金属钨研磨工艺的停止层，以代替传统工艺中的氧化硅膜，由于在研磨工艺中氮化硅膜相对氧化硅具有更高研磨选择比，在完成钨金属研磨工艺后，使得晶圆的表面的厚度具有较好的均匀性，并通过后续高选择比湿法刻蚀工艺，将在钨金属研磨中产生的缺陷如晶圆表面的微划伤、残留的微粒等及剩余的氮化硅膜完全去除，使得在不同密度通孔区域形成的钨栓突出高度近似，便于后续工艺的进行，进而提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
目前，在层间介电质研磨工艺后，通过沉积氧化硅膜等工艺，以进行钨通孔的制备，在工艺完成后，得到晶片表面厚度的均匀性都较差，且存在微划伤、表面残留有微粒等缺陷，尤其是通孔密度不同的区域，钨栓的突出高度差异非常大，不仅增大了后续工艺难度，甚至会造成致命的缺陷，进而大大降低了产品的良率。图1-4为现有技术中制备钨通孔的工艺流程结构图，如图1-4所示，进行通孔制备时，于层间介电质层研磨工艺后形成半导体结构1，沉积氧化硅膜11覆盖该半导体结构I的上表面，继续通孔光刻和刻蚀工艺，刻蚀氧化硅膜11至半导体结构I中，于剩余的氧化硅膜12及半导体结构I中形成多个通孔13 ;依次沉积粘着层(图中未标示)和钨金属层充14满所述通孔13，沉积工艺中通孔13的存在导致制备的钨金属层14的上表面上位于通孔13上方的部位形成凹槽15，即钨金属层14的上表面凹凸不平，相应的在后续研磨工艺中会造成晶片表面厚度(残余的氧化硅膜16的厚度)的均匀性较差，且存在微划伤17、表面残留有微粒18等缺陷，尤其是通孔密度不同的区域，钨栓19的突出高度差异非常大，进而会增大后续工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备钨通孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：于一半导体结构上沉积一氮化物膜，所述氮化物膜覆盖所述半导体结构的上表面；依次采用光刻、刻蚀工艺，回蚀所述氮化物膜至所述半导体结构中，于剩余的氮化物膜和剩余的半导体结构中形成多个通孔；制备粘着层和钨金属层充满所述通孔，并覆盖所述剩余的氮化物膜；继续研磨工艺，部分去除所述粘着层、钨金属层和所述剩余的氮化物膜；去除残余的氮化物膜，形成多个钨栓。

【技术特征摘要】
1.一种制备钨通孔的方法，其特征在于，包括以下步骤: 于一半导体结构上沉积一氮化物膜，所述氮化物膜覆盖所述半导体结构的上表面；依次采用光刻、刻蚀工艺，回蚀所述氮化物膜至所述半导体结构中，于剩余的氮化物膜和剩余的半导体结构中形成多个通孔； 制备粘着层和钨金属层充满所述通孔，并覆盖所述剩余的氮化物膜； 继续研磨工艺，部分去除所述粘着层、钨金属层和所述剩余的氮化物膜； 去除残余的氮化物膜，形成多个钨栓。2.根据权利要求1所述的制备钨通孔的方法，其特征在于，所述氮化物膜的材质为氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明华，严钧华，黄耀东，方精训，彭树根，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：