TFT-LCD阵列基板及其制造方法、液晶显示器技术

本发明专利技术提供了一种TFT-LCD阵列基板及制造方法、液晶显示器。该方法包括在第一次构图工艺期间一次形成栅极扫描线和栅极、在与栅极扫描线相交的位置处断裂的数据信号线、公共电极和遮光条；在第二次构图工艺期间，形成用于对断裂的数据信号线进行连接的过孔和在栅极扫描线上形成沟道位置；在第三次构图工艺期间，形成像素电极、数据信号线连接线、源极和漏极，其中数据信号线连接线通过过孔将断裂的数据信号线连接起来，以及TFT处于栅极扫描线上与数据信号线相交的位置，其源极位于数据信号连接线上，其漏极与像素电极为一整体。本发明专利技术采用三次掩膜工艺减小了生产周期，降低成本，同时改善了TFT-LCD阵列基板的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，具体地讲，涉及TFT-1XD阵列基板制造方法及TFT-1XD阵列基板、和包括TFT-1XD阵列基板的液晶显示器。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占了主导地位。TFT-LCD中的薄膜晶体管阵列基板(TFT-LCD阵列基板)控制液晶显示器的工作状态，具有重要的作用。如图1所示，当前TFT-1XD阵列基板包括栅极扫描线2'、数据线3'和像素电极12'，栅极扫描线2'和数据线3'限定了像素区域，并在交叉处在栅极扫描线2'和数据线3'所限定的区域内部形成TFT，TFT包括与栅极扫描线2'连接的栅电极4'、TFT沟道15'、源极5'和漏极6'，其中源极5'与数据线3'连接，而漏极6'通过接触孔16'与像素电极12'连接。图2为图1所示的当前TFT-1XD阵列基板的L-L向截面图。当前TFT-1XD阵列基板的制造方法使用四次掩膜板的4mask工艺，其具体包括:第一次构图工艺，沉积金属层，形成栅线、栅电极4'本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造TFT?LCD阵列基板的方法，包括步骤：通过第一次构图工艺，在基板上形成栅极扫描线和栅极、数据信号线和公共电极，其中数据信号线在与栅极扫描线相交的位置断裂；依次形成绝缘层、有源层和欧姆接触层，然后通过第二次构图工艺，形成用于连接在与栅极扫描线相交的位置断裂的数据信号线的数据线连接过孔以及在栅极扫描线上通过刻蚀掉有源层上的欧姆接触层、漏出下面的有源层以形成沟道；以及形成透明导电薄膜，通过第三次构图工艺，形成像素电极、数据信号线连接线、源极和漏极，其中数据信号线连接线通过数据信号线连接过孔将断裂的数据信号线连接起来，以及TFT处于栅极扫描线上与数据信号线相交的位置，其源极位于数据信号连接线...

【技术特征摘要】
1.一种制造TFT-1XD阵列基板的方法，包括步骤: 通过第一次构图工艺，在基板上形成栅极扫描线和栅极、数据信号线和公共电极，其中数据信号线在与栅极扫描线相交的位置断裂； 依次形成绝缘层、有源层和欧姆接触层，然后通过第二次构图工艺，形成用于连接在与栅极扫描线相交的位置断裂的数据信号线的数据线连接过孔以及在栅极扫描线上通过刻蚀掉有源层上的欧姆接触层、漏出下面的有源层以形成沟道；以及 形成透明导电薄膜，通过第三次构图工艺，形成像素电极、数据信号线连接线、源极和漏极，其中数据信号线连接线通过数据信号线连接过孔将断裂的数据信号线连接起来，以及TFT处于栅极扫描线上与数据信号线相交的位置，其源极位于数据信号连接线上，其漏极与像素电极为一整体。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在第一次构图工艺期间在基板上形成遮光条的步骤，所述遮光条(6)为不闭合的半包围结构、与公共电极线形成一个闭合结构，该闭合结构形成在要形成的像素电极的周边。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中第二次构图工艺中采用的掩模板为带有狭缝的半色调或灰色调掩模板。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成栅极扫描线、数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥春，曹占峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：