一种液晶组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种液晶组合物，由以下重量百分比的组分组成：(1)第一组分包含通式I所代表的化合物，其含量为5-30％；(2)第二组分包含通式II所代表的化合物，其含量为20-65％；(3)第三组分包含通式III所代表的化合物，其含量为5-40％；(4)第四组分包含通式IV所代表的化合物，其含量为10-35％。通过本发明专利技术得到的液晶组合物性能优异，具有较低的粘度、高的电阻率及电压保持率、抗高温和紫外性能优越；解决了现有技术中存在的TFT液晶显示器响应速度不够快、电荷保持率不够高、抗高温紫外性能差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有极低阈值电压以及快的响应时间的液晶组合物及其应用，属于液晶材料领域。
技术介绍
含氟类液晶由于其具有低粘度、适中的△ε、高电阻率、高电荷保持率等特点是RFT液晶显示用混合液晶的主要成分。已经发现的具有特别高电阻率的混合液晶化合物是在分子框架中含有含氟集团的化合物。例如欧洲专利EP0844229A1公开的含-OCF2-桥的液晶化合物。但由于受液晶材料本身的限制，目前TFT-LCD仍然存在着相应不够快，电压不够低，电荷保持率不够高等诸多缺陷。较为理想的液晶组合物应具有可使用的温度范围广、响应时间短、对比度大、临限电压低、电压保持率大、寿命长等特性。较理想为响应时间短于1毫秒。因此，有必要对这类液晶组合物作深入研究，以期进一步缩短其响应时间。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种极低阈值电压的液晶组合物，该组合物同时具有快的响应时间。为了实现本专利技术的目的，本专利技术采用如下技术方案：一种液晶组合物，由以下重量百分比的组分组成：(1)第一组分包含通式I所代表的化合物，其含量为5-30％；(2)第二组分包含通式II所代表的化合物，其含量为20-65％；(3)第三组分包含通式III所代表的化合物，其含量为5-40％；(4)第四组分包含通式IV所代表的化合物，其含量为10-35％；其中，通式I类液晶化合物结构如下：通式II类液晶化合物结构如下：通式III类液晶化合物结构如下：通式IV类液晶化合物结构如下：各式中：R1，R2，R3，R4，R5分别独立选自C1～C7的烷基、烷氧基或者氧烷基或C2～C7的链烯基、链烯氧基或氧链烯基；b代表0或1；Y选自卤素或者-CN、OCF3、OCHF2或C1～C7的烷基、烷氧基或氧烷基或C2～C7的链烯基、链烯氧基或氧链烯基；L1、L2，L3，L4，L5，L6，L7，L8分别独立的选自H或F；分别独立的代表苯基、环己烷基、二氧六环基、氟代亚苯基或二氟代亚苯基，环己烯基。在本专利技术的实施方案中，所述通式I所代表的化合物优选选自式I-A至式I-D中的一种或几种：其中，R1各自独立地代表C2-C5的烷基；更优选地，通式I所代表的化合物选自式I-A-1-式I-A-4、式IB-1-式IB-4、式IC-1-式IC-4、式ID-1-式ID-4中的一种或几种：通式II所代表的化合物所代表的化合物选自式II-A至式II-C中的一种或几种：其中，R2各自独立地代表C2-C5的烷基；更优选地，通式II所代表的化合物选自式II-A-1-式II-A-4、式II-B-1-式II-B-4、式II-C-1-式II-C-4中的一种或几种：通式III所代表的化合物所代表的化合物选自式III-A至式III-B中的一种或几种：其中，R3各自独立地代表C2-C5的烷基；更优选地，通式III所代表的化合物选自式III-A-1-式III-A-4、式III-B-1-式III-B-4中的一种或几种：通式IV所代表的化合物所代表的化合物选自式IV-A至式IV-B中的一种或几种：式中：R4代表C1～C8的烷基；R5代表C1～C8的烷基、C1～C8的烷氧基或C2～C8的烯基。更优选地，本专利技术所述液晶组合物中，通式IV所代表的化合物具体为下述式IV-A-1～IV-B-17所表示化合物中的一种或多种:优选地，本专利技术所提供的液晶组合物，由以下重量百分比的组分组成：(1)第一组分包含通式I所代表的化合物，其含量为13-25％；(2)第二组分包含通式II所代表的化合物，其含量为15-58％；(3)第三组分包含通式III所代表的化合物，其含量为9-33％；(4)第四组分包含通式IV所代表的化合物，其含量为15-30％。进一步优选，所述本专利技术所提供的液晶组合物，由以下重量百分比的组分组成：(1)第一组分包含通式I所代表的化合物，其含量为13-25％；(2)第二组分包含通式II所代表的化合物，其含量为20-58％；(3)第三组分包含通式III所代表的化合物，其含量为9-33％；(4)第四组分包含通式IV所代表的化合物，其含量为17-30％。为了提高液晶组合物对于热及光特别是紫外光的稳定性，也可根据情况加入紫外线吸收剂，例如：苯并三唑类、二苯甲酮类、三嗪类、苯甲酸酯类；受阻胺类光稳定剂；受阻酚类抗氧化剂。本专利技术所述的液晶组合物可采用常规方法制备，例如将两种或多种液晶化合物在高温下混合并彼此溶解，即将液晶化合物溶解在用于该化合物的溶剂中并混合，然后在减压下蒸馏出该溶剂；或者将其中含量较小的组分在较高的温度下溶解在含量较大的主要组分中，或将各所属组分在有机溶剂中溶解，然后将溶液混合后去除溶剂后得到。其中，所用溶剂可以是丙酮、氯仿或甲醇等常用有机溶剂。本专利技术所述液晶组合物可用于液晶显示装置，尤其适用于各种快速响应的TFT显示器，如TN型、IPS型、FFS型TFT液晶显示器。通过本专利技术得到的液晶组合物性能优异，具有较低的粘度、高的电阻率及电压保持率、抗高温和紫外性能优越；解决了现有技术中存在的TFT液晶显示器响应速度不够快、电荷保持率不够高、抗高温紫外性能差的问题。具体实施方式以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。本专利技术的液晶组合物采用本领域内普遍存在的方法―—热溶解法制备。首先用天平按重量百分比称量各液晶化合物，其中称量加入顺序无特定要求，通常以液晶化合物熔点由高到低的顺序依次称量混合，在60～100℃下加热搅拌使得各组分熔解均匀，再经过滤、脱气，最后封装即得目标样品。除此之外，也可用专利CN101502767A所公开的方法进行均匀液晶的制备。除非另有说明，上下文中，百分比为质量百分比，所有的温度以摄氏度给出。在实施例中需要测定的参数特性采用如下缩写：△n为光学各向异性(20℃)，Δε为介电各向异性(25℃，1000Hz)，V10为阈值电压，是在相对透过率改变10％时的特征电压(V，25℃)，γ1为旋转粘度(mm2/s，25℃)，Cp为液晶组合物的清亮点(℃)除非另有说明，所有光学数据均在25℃下测量。在下述实施例中，各结构单元缩写如下面表1所示。例如：2HHGUF表示：实施例1取以下重量百分比的液晶化合物并以本专利技术中所述方法配制液晶组合物，具体的配比见表2，以下所有结构式中的环己基均为反式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶组合物，其特征在于，由以下重量百分比的组分组成：(1)第一组分包含通式I所代表的化合物，其含量为5‑30％；(2)第二组分包含通式II所代表的化合物，其含量为20‑65％；(3)第三组分包含通式III所代表的化合物，其含量为5‑40％；(4)第四组分包含通式IV所代表的化合物，其含量为10‑35％；其中，通式I类液晶化合物结构如下：通式II类液晶化合物结构如下：通式III类液晶化合物结构如下：通式IV类液晶化合物结构如下：各式中：R1，R2，R3，R4，R5分别独立选自C1～C7的烷基、烷氧基或者氧烷基或C2～C7的链烯基、链烯氧基或氧链烯基；b代表0或1；Y选自卤素或者‑CN、OCF3、OCHF2或C1～C7的烷基、烷氧基或氧烷基或C2～C7的链烯基、链烯氧基或氧链烯基；L1、L2，L3，L4，L5，L6，L7，L8分别独立的选自H或F；分别独立的代表苯基、环己烷基、二氧六环基、氟代亚苯基或二氟代亚苯基，环己烯基。

【技术特征摘要】
1.一种液晶组合物，其特征在于，由以下重量百分比的组分组
成：
(1)第一组分包含通式I所代表的化合物，其含量为5-30％；
(2)第二组分包含通式II所代表的化合物，其含量为20-65％；
(3)第三组分包含通式III所代表的化合物，其含量为5-40％；
(4)第四组分包含通式IV所代表的化合物，其含量为10-35％；
其中，通式I类液晶化合物结构如下：
通式II类液晶化合物结构如下：
通式III类液晶化合物结构如下：
通式IV类液晶化合物结构如下：
各式中：
R1，R2，R3，R4，R5分别独立选自C1～C7的烷基、烷氧基或者
氧烷基或C2～C7的链烯基、链烯氧基或氧链烯基；
b代表0或1；
Y选自卤素或者-CN、OCF3、OCHF2或C1～C7的烷基、烷氧基
或氧烷基或C2～C7的链烯基、链烯氧基或氧链烯基；
L1、L2，L3，L4，L5，L6，L7，L8分别独立的选自H或F；
分别独立的代表苯基、环己
烷基、二氧六环基、氟代亚苯基或二氟代亚苯基，环己烯基。
2.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式
I所代表的化合物优选选自式I-A至式I-D中的一种或几种：：
其中，R1各自独立地代表C2-C5的烷基。
3.根据权利要求2所述的液晶组合物，其特征在于，通式I所
代表的化合物选自式I-A-1-式I-A-4、式IB-1-式IB-4、式IC-1-式IC-4、
式ID-1-式ID-4中的一种或几种：
4.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式
II所代表的化合物所代表的化合物选自式II-A至式II-C中的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：李青华，陈海光，姜天孟，田会强，陈卯先，张琳，袁瑾，郭云鹏，储士红，苏学辉，
申请(专利权)人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11