一种具有高透过率的液晶组合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种高透过率液晶组合物及其应用。所述液晶组合物包含通式I-通式V所代表的化合物。其中，通式I和通式II结构如下。本发明专利技术所提供的液晶组合物有效地降低了液晶组合物的ε∥/ε⊥(平行介电与垂直介电的比值)，起到了良好提升透过率的效果。确切地说本发明专利技术所提供的液晶组合物具有大的垂直介电，进而具有高的透过率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶组合物，具体地说是一种向列相液晶组合物，属于液晶材料及其应用领域。
技术介绍
目前，LCD产品技术已经成熟，成功地解决了视角、分辨率、色饱和度和亮度等技术难题，其显示性能已经接近或超过CRT显示器。大尺寸和中小尺寸LCD在各自的领域已逐渐占据平板显示器的主流地位。液晶属于被动发光显示，也就是说，液晶面板起到的是光开关的作用，光线通过液晶面板后透过率为6％左右，为了提升亮度，需要加强背光亮度，进而需要消耗更多的电能用于提升背光亮度。这大大提升了背光的成本。所以提升液晶面板的透过率成为目前液晶显示的难点。具体而言，对于IPS(面内转换)和FFS(边缘场效应)模式显示器，降低液晶组合物的ε∥/ε⊥(平行介电与垂直介电的比值)可有效地提升液晶显示器的透过率。
技术实现思路
本专利技术所提供的液晶组合物有效地降低了液晶组合物的ε∥/ε⊥(平行介电与垂直介电的比值)，起到了良好提升透过率的效果。确切地说本专利技术所提供的液晶组合物具有大的垂直介电，进而具有高的透过率。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种高透过率液晶组合物，其特点在于：至少包含一种通式I所代表的化合物：以及至少一种通式II所代表的化合物：以及至少一种通式III所代表的化合物：以及至少包含一种通式IV所代表的化合物：以及至少一种通式V所代表的化合物：其中，R1代表C1～C12的直链烷基，其中一个或多个不相邻的CH2可以被O、S或CH＝CH所取代；n代表0或1；R2、R3各自独立地代表C1～C12的直链烷基、烷氧基或C2～C12的直链烯基；R4、R5各自独立地代表C1～C12的直链烷基，其中一个或多个不相邻的CH2可以被O、S或CH＝CH所取代；R6代表C1～C12的直链烷基或C2～C12的直链烯基；R7代表C1～C12的直链烷基；R8代表C1～C12的直链烷基或C2～C12的直链烯基；A、B、C各自独立地代表反式1,4-环己基或1,4-亚苯基；D代表反式1,4-环己基或1,4-亚苯基；所述液晶组合物包括以下质量百分比的组分：(1)、5～30％的通式I所代表的化合物；(2)、3～30％的通式II所代表的化合物；(3)、20～70％的通式III所代表的化合物；(4)、3～25％的同时IV所代表的化合物；(5)、3～25％的通式V所代表的化合物。本专利技术提供的通式I所代表的化合物为含有2-甲基-3,4,5-三氟苯结构与二氟甲氧基桥键的极性化合物，该结构具有大的介电各向异性。具体的，通式I所代表的化合物选自式I-A～式I-B所代表的化合物的一种或几种：其中，R1代表C1～C7的直链烷基。优选的，通式I所代表的化合物选自式IA1～式IB4所代表的化合物的一种或几种：本专利技术提供的通式II所代表的化合物含有2，3-二氟苯结构，该结构具有大的垂直介电，具体的，所述通式II所代表的化合物选自如下化合物的一种或多种：其中，R2代表C1～C7的直链烷基，R3代表C1～C7的直链烷基或直链烷氧基。优选的，通式II所代表的化合物选自式IIA1～式IIB20所代表的化合物的一种或几种：本专利技术提供的通式III所代表的化合物双环结构，该结构具有低的旋转粘度，具体的，所述通式III所代表的化合物选自如下化合物的一种或多种：其中，R4代表C1～C7的直链烷基；R5代表C1～C7的直链烷基、直链烷氧基或C2～C7的直链烯基。优选的，通式III所代表的化合物选自式III-A-1～式III-C-24所代表的化合物的一种或几种：通式IV所代表的化合物选自式IVA、式IVB所代表的化合物的一种或多种：其中，R6代表C2～C7的直链烷基或直链烯基；R7代表C1～C7的直链烷基。优选地，通式IV所代表化合物选自式IVA1～式IVB22结构中的一种或多种：本专利技术提供的通式V所代表的化合物为氟代三联苯结构，具体的，所述通式V所代表的化合物选自如下化合物的一种或多种：其中R8代表C2～C7的直链烷基，K代表H或CH3。优选地，通式V所代表的化合物选自式VA-1～式VB-2中的一种或多种：优选地，本专利技术所提供的液晶化合物包含以下质量百分比的组分：(1)、5～20％的通式I所代表的化合物；(2)、5～20％的通式II所代表的化合物；(3)、40～60％的通式III所代表的化合物；(4)、5～20％的同时IV所代表的化合物；(5)、4～20％的通式V所代表的化合物。更优选地，本专利技术所提供的液晶化合物包含以下质量百分比的组分：(1)、8～18％的通式I所代表的化合物；(2)、6～19％的通式II所代表的化合物；(3)、52～58％的通式III所代表的化合物；(4)、6～19％的同时IV所代表的化合物；(5)、5～15％的通式V所代表的化合物。特别优选地，本专利技术所提供的液晶化合物包含以下质量百分比的组分：(1)、8～11％的通式I所代表的化合物；(2)、10～14％的通式II所代表的化合物；(3)、56～58％的通式III所代表的化合物；(4)、11～15％的同时IV所代表的化合物；(5)、6～9％的通式V所代表的化合物。本专利技术所提供的液晶组合物通过添加第II类化合物增加液晶组合物的垂直介电，通过I类化合物提升介电各项异性，进而得到具有大的垂直介电的液晶组合物，提升液晶显示器透过率。通过各组分的优化组合，进而得到具有快响应的高透过率的液晶组合物。本专利技术所述液晶组合物具有大的垂直介电常数，进而具有低的平行介电与垂直介电常数的比值。本专利技术所述液晶组合物的制备方法无特殊限制，可采用常规方法将两种或多种化合物混合进行生产，如通过在高温下混合不同组分并彼此溶解的方法制备，其中，将液晶组合物溶解在用于该化合物的溶剂中并混合，然后在减压下蒸馏出该溶剂；或者本专利技术所述液晶组合物可按照常规的方法制备，如将其中含量较小的组分在较高的温度下溶解在含量较大的主要组分中，或将各所属组分在有机溶剂中溶解，如丙酮、氯仿或甲醇等，然后将溶液混合去除溶剂后得到。本专利技术还提供上述液晶组合物在IPS或FFS模式显示器中的应用。其在IPS或FFS模式显示器中的使用能明显改善液晶显示器的透过率，有效地改善显示效果和降低能耗。附图说明图1为实施例1和对比例1的透过率模拟曲线图。具体实施方式以下实施例用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高透过率液晶组合物，其特征在于，至少包含一种通式I所代表的化合物：以及至少一种通式II所代表的化合物：以及至少一种通式III所代表的化合物：以及至少包含一种通式IV所代表的化合物：以及至少一种通式V所代表的化合物：其中，R1代表C1～C12的直链烷基，其中一个或多个不相邻的CH2可以被O、S或CH＝CH所取代；n代表0或1；R2、R3各自独立地代表C1～C12的直链烷基、烷氧基或C2～C12的直链烯基；R4、R5各自独立地代表C1～C12的直链烷基，其中一个或多个不相邻的CH2可以被O、S或CH＝CH所取代；R6代表C1～C12的直链烷基或C2～C12的直链烯基；R7代表C1～C12的直链烷基；R8代表C1～C12的直链烷基或C2～C12的直链烯基；A、B、C各自独立地代表反式1,4‑环己基或1,4‑亚苯基；D代表反式1,4‑环己基或1,4‑亚苯基；所述液晶组合物包括以下质量百分比的组分：(1)、5～30％的通式I所代表的化合物；(2)、3～30％的通式II所代表的化合物；(3)、20～70％的通式III所代表的化合物；(4)、3～25％的同时IV所代表的化合物；(5)、3～25％的通式V所代表的化合物。...

【技术特征摘要】
1.一种高透过率液晶组合物，其特征在于，至少包含一种通式I所代表的
化合物：
以及至少一种通式II所代表的化合物：
以及至少一种通式III所代表的化合物：
以及至少包含一种通式IV所代表的化合物：
以及至少一种通式V所代表的化合物：
其中，R1代表C1～C12的直链烷基，其中一个或多个不相邻的CH2可以被O、S
或CH＝CH所取代；n代表0或1；
R2、R3各自独立地代表C1～C12的直链烷基、烷氧基或C2～C12的直链烯基；
R4、R5各自独立地代表C1～C12的直链烷基，其中一个或多个不相邻的CH2可
以被O、S或CH＝CH所取代；
R6代表C1～C12的直链烷基或C2～C12的直链烯基；
R7代表C1～C12的直链烷基；
R8代表C1～C12的直链烷基或C2～C12的直链烯基；
A、B、C各自独立地代表反式1,4-环己基或1,4-亚苯基；
D代表反式1,4-环己基或1,4-亚苯基；
所述液晶组合物包括以下质量百分比的组分：
(1)、5～30％的通式I所代表的化合物；
(2)、3～30％的通式II所代表的化合物；
(3)、20～70％的通式III所代表的化合物；
(4)、3～25％的同时IV所代表的化合物；
(5)、3～25％的通式V所代表的化合物。
2.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式I所代表的化
合物选自式I-A～式I-B所代表的化合物的一种或几种：
其中，R1代表C1～C7的直链烷基。
3.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式II所代表的化
合物选自如下化合物的一种或多种：
其中，R2代表C1～C7的直链烷基，R3代表C1～C7的直链烷基或直链烷氧基。
4.根据权利要求2所述的液晶组合物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海光，
申请(专利权)人：北京市金讯阳光电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11