本发明专利技术公开了一种阵列基板制备方法及阵列基板和显示装置，涉及液晶显示技术领域，用于减少阵列基板制备过程中的构图工艺次数。该阵列基板的制备方法包括：形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶；依次形成栅绝缘薄膜、半导体薄膜和源漏极金属薄膜；去除所述保留在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处的光刻胶，形成栅极引线孔；形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形；形成包括像素电极层和沟道的图形。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板制备方法及阵列基板和显示装置。
技术介绍
现有技术中，TFT-LCD由TFT阵列基板和彩膜基板对盒而形成，阵列基板和彩膜基板之间滴注有液晶。一般地，TFT阵列基板包括基板，基板上设置有栅极金属层、栅极绝缘层、非晶半导体层、掺杂半导体层、源漏极金属层和像素电极层，源漏极金属层和像素电极层之间还间隔有绝缘层。栅极金属层中包括TFT的栅极和栅线，源漏极金属层中包括TFT的源极、漏极以及数据线，像素电极层中包括像素电极。通常情况下，TFT的漏极通过穿过源漏极金属层和像素电极层之间的绝缘层的过孔而与像素电极电连接。此外，TFT阵列基板上还设置有栅极引线孔和源漏极引线端，栅极引线孔穿过栅极金属层之上的各层而延伸至栅级金属层，用于栅线与外部信号输入设备的连接从而为栅线提供电信号，而源漏极引线端延伸至源漏极金属层，用于数据线与外部信号输入设备的连接从而为 数据线提供电信号。目前，通常情况下，在这种TFT-1XD的阵列基板的制备过程中，至少需要四次构图工艺，第一次构图工艺形成栅极金属层，第二次构图工艺形成非晶半导体层、掺杂半导体层和源漏极金属层，第三次构图工艺形成包括用于漏极与像素电极电连接的过孔、栅极引线孔、源漏极引线端的保护层，第四次构图工艺形成像素电极层。但是，由于构图工艺的次数直接影响着制作成本与良品率，因此，构图工艺次数越多，则生产周期越长，制作成本越高，良品率越低。因此，如何减少TFT-LCD的阵列基板的制备过程中所采用的构图工艺次数，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的主要目的在于，提供一种阵列基板制备方法及阵列基板和显示装置，用于减少TFT-LCD的阵列基板的制备过程中所采用的构图工艺的次数，从而有效降低制作成本，提闻良品率。为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案:一方面，本专利技术提供一种阵列基板的制备方法，包括:形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶；依次形成栅绝缘薄膜、半导体薄膜和源漏极金属薄膜；去除所述保留在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处的光刻胶，形成栅极引线孔；形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形；形成包括像素电极层和沟道的图形。—方面,本专利技术提供一种阵列基板,包括:基板，所述基板上设置有包括栅线和栅电极的栅极金属层，所述栅极金属层上设置有栅极绝缘层、半导体层、包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层、像素电极层，所述基板上设置有栅极引线孔和源漏极引线端；所述栅极弓丨线孔通过所述像素电极层与所述栅极金属层相连接。一方面，本专利技术提供一种显示装置，所述显示装置包括本专利技术实施例提供的阵列基板。本专利技术实施例提供的一种阵列基板制备方法及阵列基板和显示装置，在TFT阵列基板的制备过程中，在形成源漏极金属层和半导体层的图形后直接形成包括像素电极层和沟道的图形，即，栅极引线孔通过像素电极层与栅极金属层相连接。本专利技术实施例所述的TFT阵列基板的制备方法及阵列基板和显示装置采用较少的构图工艺，有效降低成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付 出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板的一个平面示意图；图2为图1中F-F向、G-G向和H-H向的第七状态剖视图；图3为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板制备方法的一种流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板的第一次构图工艺后的平面示意图；图5为图4所示A-A向和B-B向的第一状态剖视图；图6为图4所示A-A向和B-B向的第二状态剖视图；图7为图4所示A-A向和B-B向的第三状态剖视图；图8为图4所示A-A向和B-B向的第四状态剖视图；图9为图4所示A-A向和B-B向的第五状态剖视图；图10为图4所示A-A向和B-B向的第六状态剖视图；图11为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板的第二次构图工艺后的平面示意图；图12为图11所示C-C向、D-D向和E-E向的第一状态剖视图；图13为图11所示C-C向、D-D向和E-E向的第二状态剖视图；图14为图11所示C-C向、D-D向和E-E向的第三状态剖视图；图15图1所示F-F向、G-G向和H-H向的第一状态剖视图；图16为图1所示F-F向、G-G向和H-H向的第二状态剖视图；图17为图1所示F-F向、G-G向和H-H向的第三状态剖视图；图18为图1所示F-F向、G-G向和H-H向的第四状态剖视图；图19为图1所示F-F向、G-G向和H-H向的第五状态剖视图；图20为图1所示F-F向、G-G向和H-H向的第六状态剖视图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法，具体可以包括:形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶；依次形成栅绝缘薄膜、半导体薄膜和源漏极金属薄膜；去除保留在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处的光刻胶，形成栅极引线孔；形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形；形成包括像素电极层和沟道的图形。本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法，由于在形成源漏极金属层和半导体层的图形后直接形成包括像素电极层和沟道的图形，即像素电极层直接设置在源漏极金属层上，像素电极层直接与源 漏极金属层电连接而不需要通过过孔相连接，而且，栅极引线孔通过像素电极层与栅极金属层相连接，源漏极引线端通过像素电极层与源漏极金属层相连接。本专利技术实施例所述的TFT阵列基板的制备方法采用三次构图工艺，有效降低成本。进一步的，在本专利技术的一个实施例中，形成包括像素电极层和沟道的图形的步骤包括:形成包括像素电极层和沟道的图形，并保留像素电极层的图形上的光刻胶；在形成包括像素电极层和沟道的图形的步骤后，该方法还包括:形成绝缘保护薄膜；去除保留在像素电极层的图形上的光刻胶，一并将形成在光刻胶上的绝缘保护薄膜一起剥离，以在所述沟道上方形成绝缘保护结构。进一步的，在本专利技术的一个实施例中，所述形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶的步骤包括:在基板上形成栅极金属薄膜；涂覆光刻胶；在所述栅极金属薄膜的与栅极引线孔对应的位置处形成第一子光刻胶，在所述栅极金属薄膜除与所述栅极引线孔对应的位置之外的位置形成第二子光刻胶，且所述第一子光刻胶的厚度大于第二子光刻胶的厚度；形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形；去除部分厚度的第一子光刻胶，去除全部的第二子光刻胶。可选的，所述第一子光刻胶的厚度为1-4微米，所述第二子光刻胶的厚度为0.5-2微米。可选的，在本专利技术的一个实施例中，所述形成包括源极、漏极和数据本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶；依次形成栅绝缘薄膜、半导体薄膜和源漏极金属薄膜；去除所述保留在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处的光刻胶，形成栅极引线孔；形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形；形成包括像素电极层和沟道的图形。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括: 形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶； 依次形成栅绝缘薄膜、半导体薄膜和源漏极金属薄膜； 去除所述保留在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处的光刻胶，形成栅极引线孔； 形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形； 形成包括像素电极层和沟道的图形。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成包括像素电极层和沟道的图形包括: 形成包括像素电极层和沟道的图形，并保留所述像素电极层的图形上的光刻胶； 在所述形成包括像素电极层和沟道的图形后，所述方法还包括: 形成绝缘保护薄膜； 去除保留在所述像素电极层的图形上的光刻胶，一并将形成在所述光刻胶上的绝缘保护薄膜一起剥离，以在所述沟道上方形成绝缘保护结构。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅 极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶的步骤包括: 在基板上形成栅极金属薄膜； 涂覆光刻胶； 在所述栅极金属薄膜的与栅极引线孔对应的位置处形成第一子光刻胶，在所述栅极金属薄膜除与所述栅极引线孔对应的位置之外的位置形成第二子光刻胶，且所述第一子光刻胶的厚度大于所述第二子光刻胶的厚度； 形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形； 去除部分厚度的所述第一子光刻胶，去除全部的所述第二子光刻胶。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于， 所述第一子光刻胶的厚度为1-4微米，所述第二子光刻胶的厚度为0.5-2微米。5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形的步骤包括: 涂覆光刻胶； 在所述栅极引线孔中的栅极金属层的图形上保留第二光刻胶； 形成所述半导体层图...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦纬，赵家阳，张元波，邹祥祥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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