一种阵列基板制备方法及阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板制备方法及阵列基板和显示装置，涉及液晶显示技术领域，用于减少阵列基板制备过程中的构图工艺次数。该阵列基板的制备方法包括：形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶；依次形成栅绝缘薄膜、半导体薄膜和源漏极金属薄膜；去除所述保留在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处的光刻胶，形成栅极引线孔；形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形；形成包括像素电极层和沟道的图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板制备方法及阵列基板和显示装置。
技术介绍
现有技术中，TFT-LCD由TFT阵列基板和彩膜基板对盒而形成，阵列基板和彩膜基板之间滴注有液晶。一般地，TFT阵列基板包括基板，基板上设置有栅极金属层、栅极绝缘层、非晶半导体层、掺杂半导体层、源漏极金属层和像素电极层，源漏极金属层和像素电极层之间还间隔有绝缘层。栅极金属层中包括TFT的栅极和栅线，源漏极金属层中包括TFT的源极、漏极以及数据线，像素电极层中包括像素电极。通常情况下，TFT的漏极通过穿过源漏极金属层和像素电极层之间的绝缘层的过孔而与像素电极电连接。此外，TFT阵列基板上还设置有栅极引线孔和源漏极引线端，栅极引线孔穿过栅极金属层之上的各层而延伸至栅级金属层，用于栅线与外部信号输入设备的连接从而为栅线提供电信号，而源漏极引线端延伸至源漏极金属层，用于数据线与外部信号输入设备的连接从而为 数据线提供电信号。目前，通常情况下，在这种TFT-1XD的阵列基板的制备过程中，至少需要四次构图工艺，第一次构图工艺形成栅极金属层，第二次构图工艺形成非晶半导体层、掺杂半导体层和源漏极金属层，第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶；依次形成栅绝缘薄膜、半导体薄膜和源漏极金属薄膜；去除所述保留在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处的光刻胶，形成栅极引线孔；形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形；形成包括像素电极层和沟道的图形。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括: 形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶； 依次形成栅绝缘薄膜、半导体薄膜和源漏极金属薄膜； 去除所述保留在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处的光刻胶，形成栅极引线孔； 形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形； 形成包括像素电极层和沟道的图形。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成包括像素电极层和沟道的图形包括: 形成包括像素电极层和沟道的图形，并保留所述像素电极层的图形上的光刻胶； 在所述形成包括像素电极层和沟道的图形后，所述方法还包括: 形成绝缘保护薄膜； 去除保留在所述像素电极层的图形上的光刻胶，一并将形成在所述光刻胶上的绝缘保护薄膜一起剥离，以在所述沟道上方形成绝缘保护结构。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅 极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶的步骤包括: 在基板上形成栅极金属薄膜； 涂覆光刻胶； 在所述栅极金属薄膜的与栅极引线孔对应的位置处形成第一子光刻胶，在所述栅极金属薄膜除与所述栅极引线孔对应的位置之外的位置形成第二子光刻胶，且所述第一子光刻胶的厚度大于所述第二子光刻胶的厚度； 形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形； 去除部分厚度的所述第一子光刻胶，去除全部的所述第二子光刻胶。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于， 所述第一子光刻胶的厚度为1-4微米，所述第二子光刻胶的厚度为0.5-2微米。5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形的步骤包括: 涂覆光刻胶； 在所述栅极引线孔中的栅极金属层的图形上保留第二光刻胶； 形成所述半导体层图...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦纬，赵家阳，张元波，邹祥祥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：