具有无边界接触的取代金属栅极制造技术

本发明专利技术的实施例提供一种在取代金属栅极过程中形成用于晶体管的无边界接触(1001)的方法。该方法包括：在衬底上面形成栅极(102)，并且形成与栅极的侧壁相邻的间隔物(103)；降低间隔物的高度以暴露栅极的侧壁的顶部分；沉积覆盖间隔物和栅极的侧壁的上部分的蚀刻停止层(301)；在间隔物上方的层级并且在侧壁的上部分中制成开口(601)以暴露栅极；并且用新栅极材料(701)取代开口的栅极的材料，由此形成取代栅极。该方法还在包围栅极和间隔物的层级间电介质层中产生通路开口(901)，而通路开口暴露蚀刻停止层；去除蚀刻停止层并且用金属材料填充通路开口以形成无边界接触。

Substituted metal gate with borderless contact

Embodiments of the present invention provide a method of forming a borderless contact (1001) for a transistor in the process of replacing a metal gate. The method includes forming a gate electrode on a substrate (102), and a spacer is formed adjacent the side wall of the gate (103); the top part of the lower spacer height to expose the side wall of the gate; the side wall spacers and deposited over the gate electrode portion of the etch stop layer (301); in the spacer above level and opening made in the upper part of a side wall (601) to expose the gate; and the new gate material (701) instead of opening the gate material, thereby forming a gate to replace. The passage opening is surrounded by a gate spacer and method level between the dielectric layer (901), and the channel opening exposing the etch stop layer; removing the etch stop layer and fill the passage opening to form a borderless contact with metal materials.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有无边界接触的取代金属栅极
本专利技术总体上涉及半导体器件制造领域，并且具体地涉及形成具有无边界(borderless)接触的取代金属栅极的方法。
技术介绍
在半导体器件制造领域中，一般通过常称为前端线(FEOL)技术的过程制造或者制作例如比如晶体管的有源半导体器件。晶体管例如可以是场效应晶体管(FET)，并且可以更具体为互补金属氧化物半导体(CMOS)FET。FET也可以是P型掺杂剂掺杂的PFET或者η型掺杂剂掺杂的NFET。近来，已经由于高k金属栅极(HKMG)半导体晶体管较常规的基于多晶硅的CMOS-FET而言的优良性能而引入它们。此外，已经开发取代金属栅极(RMG)过程以进一步提高HKMG晶体管的性能。一般地，在形成晶体管的结构之后，形成用以连接到晶体管的源极、漏极和/或栅极的导电接触以使晶体管具有完善的功能。随着集成电路装置中的器件尺度持续按比例缩减，用于形成对应接触的有效面积也变得越来越小。作为结果，一般需要更少有效面积并且已经在动态随机存取存储器(DRAM)中暂时使用的与栅极无边界的接触正在融入比如晶体管的逻辑结构中。如本领域所知，为了形成用于通过非取代金属栅极(非R本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·V·霍拉克，范淑贞，T·E·斯坦戴特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：