制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种制作穿硅通孔(Through?Silicon?Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au-Au键合。待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。该方法操作简便，成本低，具有较高的可靠性和实用性。

【技术实现步骤摘要】
制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺
本专利技术涉及一种制作穿硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，该工艺操作十分简便，成本很低，具有较高的可靠性和实用性，属于圆片级TSV三维堆叠式互连封装

技术介绍
为了满足超大规模集成电路(VLSI)发展的需要，新颖的3D堆叠式封装技术应运而生。它用最小的尺寸和最轻的重量，将不同性能的芯片和多种技术集成到单个封装体中，是一种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制造垂直电学导通，实现芯片之间互连的最新的封装互连技术，与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同，所述的封装互连技术采用TSV(ThroughSiliconVia，穿硅通孔)代替了先前的2D-Cu互连，能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。因此，业内人士将TSV称为继引线键合(WireBonding)、载带自动焊(TAB)和倒装芯片(FC)之后的第四代封装技术。通常，晶圆TSV结构的制作方式主要为：(1)通孔制备。采用DRIE在晶圆上制备高深宽比的垂直Si通孔；(2)通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作穿硅通孔时采用的二次湿法腐蚀使支撑晶圆分离的工艺方法，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au?Au键合；待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种制作穿硅通孔时采用的二次湿法腐蚀使支撑晶圆分离的工艺方法，其特点在于，首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到厚度为150-200μm后，通过在已刻蚀TSV的晶圆的背面和已经过KOH腐蚀的裸支撑晶圆的一面分别先后溅射TiW和Au层，然后将两片晶圆的Au面进行Au-Au键合；再在TSV晶圆的正面进行TSV电镀填充，键合介质Au同时作为TSV电镀时的种子层，待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于具体步骤是：(1)将裸支撑晶圆放入KOH溶液中进行第一次KOH湿法腐蚀工艺，晶圆的两面同时腐蚀，厚度减薄至150-200μm；(2)在已刻蚀TSV的晶圆的背面和已经过KOH腐蚀的裸支撑晶圆的一面分别先后溅射TiW和Au层，Au-Au面对准置于键合机中升温加压进行Au-Au键合；键合温度为250-300℃；(3)裸支撑晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈骁，罗乐，汤佳杰，徐高卫，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：