一种湿法腐蚀样品的Si衬底的方法技术

本发明专利技术提供一种湿法腐蚀Si衬底的方法，包括：1）在与Si衬底相反一侧的功能层上涂覆光刻胶层，并使其干燥；2）在Si衬底及功能层外周形成环氧树脂包裹层；3）在Si衬底侧的包裹层中形成开口，暴露硅衬底；4）利用刻蚀剂对暴露的硅衬底进行腐蚀；5）暴露出涂覆在功能层上的光刻胶层，使该光刻胶层溶解；6）使所述环氧树脂包裹层脱落。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种湿法腐蚀Si衬底的方法，包括：1）在与Si衬底相反一侧的功能层上涂覆光刻胶层，并使其干燥；2）在Si衬底及功能层外周形成环氧树脂包裹层；3）在Si衬底侧的包裹层中形成开口，暴露硅衬底；4）利用刻蚀剂对暴露的硅衬底进行腐蚀；5）暴露出涂覆在功能层上的光刻胶层，使该光刻胶层溶解；6）使所述环氧树脂包裹层脱落。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁伟，郭红莲，甘霖，李志远，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：