【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置，更详细而言涉及具备检测与内置的半导体晶体管的温度相关的信息的功能的半导体装置。
技术介绍
在电力变换装置等中使用的半导体晶体管中，流过几十A 几百A的电流，所以产生大的发热，半导体晶体管的温度上升。通过冷却装置抑制半导体晶体管的温度上升。但是，有时无法充分抑制半导体晶体管的温度上升。例如，在电力变换电路等中有可能产生的短路事故时，半导体晶体管中流过的电流急剧增大，而发·生过电流。如果在半导体晶体管由于短路等而发生过电流，则产生急剧的发热，半导体晶体管的温度急剧上升。半导体晶体管如果由于急剧的温度上升而成为过温度状态，则无法控制而有时被破坏。在该情况下，有时对电力变换电路造成重大的影响。为了防止急剧的温度上升所引起的半导体晶体管的破坏，需要迅速并且正确地检测半导体晶体管的温度或者半导体晶体管中流过的电流来控制半导体晶体管，从过温度状态保护半导体晶体管。作为能够检测半导体晶体管(以下有时简称为“晶体管”)的温度的以往技术的半导体装置，在例如专利文献I (第10页、图3)以及专利文献2 (第5 — 6页、图1)中公开了内置用于检测温度的元件(...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.03 JP 2010-197597;2010.09.03 JP 2010-197381.一种半导体装置(20、21、100)，其特征在于，具备: 半导体晶体管(1、101)，具有多个单元(110);以及 检测电路(10、144)，检测与所述半导体晶体管(1、101)的温度相关的温度信息， 所述半导体晶体管(1、101)具有包括所述多个单元(110)中的用于对负载(L)供给电流的单元的主单元群(2、102)、和包括用于检测所述温度信息的单元的传感单元群(3、104)， 对于所述主单元群(2、102)和所述传感单元群(3、104)，表示相对所述半导体晶体管(UlOl)的温度的变化的电气特性的变化的温度特性不同， 所述检测电路(10、144)根据所述传感单元群(3、104)中流过的传感电流的值，检测所述温度信息。2.根据权利要求1所述的半导体装置(20、21)，其特征在于， 所述检测电路(10)根据所述主单元群(2、102)中流过的主电流的值、和所述传感电流的值，检测所述温度信息。3.根据权利要求2所述的半导体装置(20、21)，其特征在于，还具备: 主电流信息检测部件(9 )，检测与所述主电流相关的主电流信息；以及 传感电流信息检测部件(5、6、8、12、13 )，检测与所述传感电流相关的传感电流信息， 所述检测电路(10) 预先取得表示所述主电流的值、所述传感电流的值以及所述半导体晶体管(I)的温度的关系的关系信息， 根据由所述主电流信息检测部件(9 )检测出的所述主电流信息求出所述主电流的值，并且根据由所述传感电流信息检测部件(5、6、8、12、13)检测的所述传感电流信息求出所述传感电流的值， 根据所求出的所述主电流的值以及所述传感电流的值、和 所述关系信息，检测所述半导体晶体管(I)的温度作为所述温 度 目息。4.根据权利要求1所述的半导体装置(20、21、100)，其特征在于， 所述传感单元群(3、104)被设定为相比于所述主单元群(2、102)阈值电压更高。5.根据权利要求1所述的半导体装置(20、21、100)，其特征在于， 所述主单元群(2、10...
【专利技术属性】
技术研发人员：木之内伸一，中武浩，海老池勇史，古川彰彦，今泉昌之，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。