用于制造具有贯通接触件的半导体部件的方法和具有贯通接触件的半导体部件技术

形成穿过衬底（1）的半导体材料和金属层间介电层（2）的接触孔，并且在接触孔中露出连接金属平面（3）的面向衬底的接触区域。施加金属层（11），该金属层（11）形成：在接触区域上的连接接触件（12）；在接触孔中的贯通接触件（13）；以及在面向背离衬底的接触区域上和/或在上部金属平面（24）的竖直导电连接件（15）上的连接接触件（20）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于制造具有穿过衬底的贯通接触件(through-contact)的半导体部件，其中该贯通接触件被称为穿过晶片的接触件，并且具体地被设置为用于不同芯片之间的竖直电气连接件。
技术介绍
DE102008033395B3描述了一种用于制造具有贯通接触件的半导体部件的方法，其中提供了一种由半导体材料制成的衬底，该衬底具有埋置的绝缘层并且具有布置在绝缘层中的、由导电材料制成的接触焊垫(contact pad)。从衬底的上侧制成向下到达在接触焊垫上方的绝缘层的开口。在已施加电介质之后，充分地移除开口内的介电层和绝缘层使得露出接触焊垫的上侧。以金属层(metallization)接触接触焊垫的方式施加金属层。在衬底的与开口相反的背面侧上制成向上到达接触焊垫的贯通接触件。不需要将衬底中被布置有金属层的贯通接触件完全填充。在接触孔具有大直径的情况下，那么如果金属层存在于接触孔的侧壁上也是足够的。因为利用例如光刻胶不能容易地填充接触孔的剩余开口，所以必须借助于被称为喷涂的昂贵工艺来制造在制造工艺中意在用于结构化的掩膜。
技术实现思路
本专利技术的问题为确定如何以最简单可行的方式在半导体元件的衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.10 DE 102010045055.31.一种用于制造具有贯通接触件的半导体部件的方法，其中， 对由半导体材料制成的衬底(I)布置金属层间介电层(2)并且布置金属平面(23、24)，所述金属平面(23、24)被布置在所述金属层间介电层(2)中并且包括面向背离所述衬底Cl)的接触区域(19)和/或竖直导电连接件(15)； 将基底衬底(10 )在所述衬底(I)的面向背离所述金属层间介电层(2 )的一侧上连接至所述衬底(1)，所述基底衬底(10)布置有连接金属平面(3)，所述连接金属平面(3)由电绝缘材料包围并且具有接触区域(9)，使得所述接触区域(9)面向所述衬底(I);以及 形成穿过所述衬底(I)的半导体材料和所述金属层间介电层(2)的接触孔(6)，并且露出在所述接触孔(6)中的所述连接金属平面(3)的所述接触区域(9);以及 施加金属层(11)，所述金属层(11)形成:在面向所述衬底(I)的所述接触区域(9)上的连接接触件(12);在所述接触孔(6)中的贯通接触件(13);以及在面向背离所述衬底(I)的所述接触区域(19 )上和/或直接在所述竖直导电连接件(15 )上的连接接触件(20 )。2.根据权利要求1所述的方法，其中， 所述金属层(11)形成在所述竖直导电连接件(15 )上的连接接触件(20 )，并且所述竖直导电连接件(15)为钨。3.根据权利要求1所述的方法，其中， 所述金属层(11)形成在面向背 离所述衬底(I)的所述接触区域(19)上的连接接触件(20)，包括面向背离所述衬底(I)的所述接触区域(19)的金属平面(23、24)被布置在所述金属层间介电层(2)中，并且在施加所述金属层(11)之前移除在所述接触区域(19)上方的所述金属层间介电层(2)。4.根据权利要求3所述的方法，其中， 在生成所述接触孔(6)之前，借助于掩模(4)来布置在所述金属层间介电层(2)中的开口(25)，所述掩模(4)在所述接触孔(6)的区域中布置有开口(5)； 扩大所述掩模(4)的所述开口(5)或者由具有更大开口(5)的另外的掩模(4)来替代所述掩模(4)，使得面向背离所述衬底(I)的所述接触区域(19)位于所述掩模(4)的所述更大开口(5)的区域中；以及 将所述金属层间介电层(2)用作硬掩膜来生成所述接触孔(6)，所述金属层间介电层(2)在所述掩模(4)的所述更大开口(5)的区域中被部分地移除。5.根据权利要求4所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：约亨·克拉夫特，斯特凡·耶瑟尼希，京特·科皮奇，弗朗茨·施兰克，霍尔迪·泰瓦，伯恩哈德·勒夫勒，约尔格·西格特，
申请(专利权)人：ams有限公司，
类型：
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