【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种能够改进具有气腔间隙的。
技术介绍
随着集成电路技术的进步，半导体器件的集成度越来越高，限制半导体器件的速度的主要因素已不再是晶体管延迟，而是与导电材料(例如金属)互连相关联的电阻-电容(RC)延迟。认识到这一点之后，为了减小导电材料互连的电容从而减小RC延迟,业界技术人员已进行了大量工作用于研发新的材料和制造工艺。例如，将作为导电材料互连层中的电介质材料，选择采用具有低介电常数的电介质材料。在所有材料中，介电常数最低的当属空气，因此，技术人员开始关注在导电材料之间做出气腔间隙(Air Gap)，以进一步减小介电常数，以减小导电材料之间的电容的方法。形成具有气腔间隙的半导体器件主要有以下两种方法:首先，可以利用化学气相沉积(CVD)的选择性沉积的特性，在层间互连层中的金属互连线之间形成气腔间隙，其次，在构造有一个或更多个金属互连线的层间互连层中，在特定工艺的操作期间去除预先形成的牺牲层，以形成气腔间隙。对于上述第二种制造方法，随着特征尺寸不断缩小，金属互连线以及层间互连层之间的尺寸越来越小，因此，预先形成牺牲层的尺寸以及牺牲层之间...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供一基底，在其上形成有层间互连层，所述层间互连层包括介质层和位于介质层中的金属布线；在所述层间互连层上依次形成阻挡层和铝层；对所述铝层进行阳极氧化，使铝层的上部分区域形成多孔氧化铝层，所述多孔氧化铝层具有垂向通孔；以所述多孔氧化铝层为掩膜，刻蚀所述铝层和所述阻挡层；去除所述多孔氧化铝层和铝层；以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述介质层，以在所述介质层中形成气腔间隙。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括: 提供一基底，在其上形成有层间互连层，所述层间互连层包括介质层和位于介质层中的金属布线； 在所述层间互连层上依次形成阻挡层和铝层； 对所述铝层进行阳极氧化，使铝层的上部分区域形成多孔氧化铝层，所述多孔氧化铝层具有垂向通孔； 以所述多孔氧化铝层为掩膜，刻蚀所述铝层和所述阻挡层； 去除所述多孔氧化铝层和铝层； 以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述介质层，以在所述介质层中形成气腔间隙。2.按权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述铝层进行阳极氧化的步骤之前，形成的所述铝层的厚度为100 500埃。3.按权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述铝层进行阳极氧化的步骤中，将所述铝层浸泡于质量百分比为2 4%的草酸溶液、温度为5 TC中，并与电解设备的阳极相连，通入20 70V的电压。4.按权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成的所述多孔氧化铝层的孔径为小于200埃。5.按权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述铝层进行阳极氧化的步骤中，形成的所述多孔氧化铝层的厚度为50 300埃。6.按权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多孔氧化铝层和铝层利用质量百分比为I 2%的草酸溶液和质量百分比为3 8%的磷酸溶液，在50 70°C的溶液温度中，浸泡30 60分钟去除。7.按权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述铝层和所述阻挡层的步骤中，刻蚀气体包括BC13、Cl2和n2。8.按权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述介质层的步骤中，采用干法刻蚀，刻蚀气体为SF6、CF4和CHF3，气体流量分别为10 50sccm、50 200sccm和10 lOOsccm，刻蚀偏压为OV 300V，刻蚀环境压力为40 150mtorr。9.按权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或非晶态碳中的一种或其组合。10.一种半导体器件的制造方法，包括: 提供一基底，在其上形成有层间互连层，所述层间互连层包括介质层和位于介质层中的金属布...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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