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本发明揭示了一种半导体器件的制造方法，通过在半导体器件的层间互连层上形成铝层，并利用阳极电解的方法将铝层的上部分区域形成具有垂向通孔的多孔氧化铝，利用多孔氧化铝作为硬掩膜，在所述层间互连层的介质层内形成气腔间隙(Air?Gap)，从而减小介...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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