用于转移单晶硅薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种源自单晶硅制成的供体衬底(1)的单晶硅薄层(3)的转移方法，此种转移方法包括：注入条件为使得薄层(3)的厚度小于10微米；以及用于将此薄层粘合到接收衬底的聚合物层(5)的厚度位于一个临界阈值之下，此临界阈值定义为注入的能量及剂量的函数，临界阈值小于或等于以下两个数量的最小的值：500纳米，以及此未来薄层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于一种用于将单晶硅(具有较佳为小于10微米，或甚至小于大约一微米的厚度)的薄层转移到聚合物层上的方法。本专利技术之方法能够特别应用于制作包含聚合物作为绝缘层的SOI (silicon-on-1nsulator,绝缘衬底上娃)型的结构。本专利技术之方法还旨在将一薄层的单晶硅转移到基于聚合物的衬底上。文档FR-2 681 472 (Bruel)描述了称为“Smart Cut ”的方法的基本原理。特别地，该文档描述了用于在支撑上获得单晶娃薄层以得到SOI (silicon-on-1nsulator)型衬底的方法。使用的标准方法包括三个连续的步骤。第一步骤是通过例如使用氢或氦的离子轰击的注入步骤，在注入的衬底(有时称为供体衬底)的体积中创建埋入的脆化区，此埋入的脆化区从所述衬底的注入面定义注入材料的一个薄层。第二步骤是将此注入面与接收衬底紧密接触。第三步骤是通过应用能够对注入离子产生的缺陷进行合并的热处理过程，在埋入的脆化区获得所得结构的分离(或断裂)。接收衬底在实际上具有两种功能。首先，在薄层的分离期间用作此薄层的加强件，以便防止通过缺陷的合并产生的气泡的形成，并且在沿着本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.22 FR 10549691.一种源自单晶硅制成的供体衬底的单晶硅薄层的转移方法，其中所述供体衬底(1、11)自一个自由面具有的至少一个厚度大于待转移的所述薄层(3、13)的厚度，该转移方法包括: -通过该自由面注入至少一个给定种类的离子，以便在所述单晶硅中形成一埋入的脆化层(2、12)， -利用聚合物层(5、15)，所述供体衬底通过所述自由面结合到接收衬底(4、14)，以及 -通过本质上的热断裂处理，源自所述供体衬底的该薄层的断裂在所述埋入的脆化层(2、12)促成， 其特征在于: -注入条件为使得所述薄层(3、13)的该厚度小于10微米，以及 -所述聚合物层(5、15)的该厚度位于一个临界阈值之下，该临界阈值定义为注入的该能量及剂量的函数，该临界阈值小于或等于以下两个数量的该最小的值: 500纳米，以及 该未来薄层的该厚度。2.根据权利要求1所述的源自单晶硅制成的供体衬底的单晶硅薄层的转移方法，其特征在于，所述聚合物层的该厚度的该临界阈值相比较于在使用注入的所述能量及所述剂量注入之后，并且在该相同热断裂处理之后但是没有该加强件的情况下，相同供体衬底中观察到的所述气泡的平行于所述自由面的该平均尺寸小15倍。3.根据权利要求1或2所述的 源自单...

【专利技术属性】
技术研发人员：马极米·阿尔顾德，修伯特·莫里西欧，克里思汀·佛里特格尼，
申请(专利权)人：法国原子能源和替代能源委员会，法国国家科学研究中心，
类型：
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