一种提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法技术

本发明专利技术提供了一种提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，包括：第一步骤，用于形成闪存的存储器单元区域中的第一凹槽以及闪存的外围电路区域中的第二凹槽，其中第一凹槽的深宽比大于第二凹槽的深宽比；第二步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽进行化学气相沉积，从而在第一凹槽和第二凹槽的侧壁及底部形成电介质；第三步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽执行带角度的离子注入，其中所注入的离子增大了被注入电介质的刻蚀速度；第四步骤，用于对第二步骤沉积的电介质进行刻蚀；第五步骤，用于在第四步骤之后对第一凹槽和第二凹槽进行电介质填充。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及。
技术介绍
闪存一般包括存储器单元及其外围电路。而且，对于存储器单元区域和外围电路区域的浅槽隔离工艺，都会需要进行凹槽刻蚀以及后续的凹槽填充。图1示意性地示出了闪存的存储器单元区域Al中的第一凹槽I和外围电路区域A2中的第二凹槽2示意图。如图1所示，闪存的存储器单元区域Al中的第一凹槽I的深宽比(AspectRatio，即，凹槽的深度/凹槽的宽度)一般比闪存的外围电路区域A2中的第二凹槽2的深宽比大。凹槽的深宽比的值越大，后续的介质层(例如氧化硅)回填越困难，越容易形成空隙。由此，在后续对存储器单元区域Al中的第一凹槽I以及外围电路区域A2中的第二凹槽2进行电介质填充时，存储器单元区域Al中的第一凹槽I上容易形成填充缺陷，即，未完全填充电介质而形成的空隙，而这显然是不期望出现的。所以，希望能够提供一种能够有效提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的 技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够有效提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其包括第一步骤，用于形成闪存的存储器单元区域中的第一凹槽以及闪存的外围电路区域中的第二凹槽，其中第一凹槽的深宽比大于第二凹槽的深宽比；第二步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽进行化学气相沉积，从而在第一凹槽和第二凹槽的侧壁及底部形成电介质；第三步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽执行带角度的离子注入，其中所注入的离子增大了被注入电介质的刻蚀速度；第四步骤，用于对第二步骤沉积的电介质进行刻蚀；第五步骤，用于在第四步骤之后对第一凹槽和第二凹槽进行电介质填充。优选地，第三步骤中注入的尚子为Ar尚子。优选地，在第三步骤中，根据侧壁及底部形成有电介质之后的第一凹槽的凹槽深度和凹槽宽度来调节带角度的离子注入的角度，以使得仅仅第一凹槽的侧壁上部的电介质受到离子注入。优选地，在第二步骤中进行高密度等离子体化学气相沉积。优选地，在第四步骤中执行湿法蚀刻，例如腐蚀剂为稀释的HF。优选地，在第一步骤中，在形成闪存的存储器单元区域中的第一凹槽以及闪存的外围电路区域中的第二凹槽之后，还对第一凹槽和第二凹槽的侧壁及底部进行高温氧化处理。优选地，第一凹槽和第二凹槽为浅沟槽隔离的凹槽。根据本专利技术的提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法降低了存储单元区的凹槽的有效深宽比，从而使后续的电介质淀积工艺更容易实现没有空隙的填充效果。利用根据本专利技术的提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，可以调节凹槽中部分填充介质层的湿法蚀刻速率，形成顶部开口较大、下部较小的敞口型、有效深宽比较低的形状，从而提高后续制程的填充能力，达到实现消除或减少填充空隙的技术效果。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中图1示意性地示出了根据本专利技术实施例的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法的第一步骤。图2示意性地示出了根据本专利技术实施例的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法的第二步骤。图3示意性地示出了根据本专利技术实施例的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法的第三步骤。 图4示意性地示出了根据本专利技术实施例的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法的第四步骤。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施例方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。下面参考图1至图4来描述根据本专利技术实施例的提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法。如图1至图4所示，根据本专利技术实施例的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法包括第一步骤，用于形成闪存的存储器单元区域Al中的第一凹槽I以及闪存的外围电路区域A2中的第二凹槽2，其中第一凹槽I的深宽比大于第二凹槽2的深宽比，如图1所/Jn o例如，在某些工艺中，在形成闪存的存储器单元区域Al中的第一凹槽I以及闪存的外围电路区域A2中的第二凹槽2之后，还对第一凹槽I和第二凹槽2的侧壁及底部进行氧化。例如，第一凹槽I和第二凹槽2为浅沟槽隔离的凹槽。第二步骤，用于对第一凹槽I和第二凹槽2进行化学气相沉积，例如进行高密度等离子体化学气相沉积，从而在第一凹槽I和第二凹槽2的侧壁及底部形成电介质，例如所述电介质为氧化硅，如图2所示。第三步骤，用于对第一凹槽I和第二凹槽2执行带角度的离子注入，其中所注入的离子增大了被注入电介质的刻蚀速度，如图3所示；其中，由于离子注入是带角度的，所以凹槽上部电介质更容易受到离子注入，因此带角度的离子注入增加了凹槽上部介质层的蚀刻速率。优选地，第三步骤中注入的离子为Ar (氩)离子。并且，优选地，可根据侧壁及底部形成有电介质之后的第一凹槽I的凹槽深度和凹槽宽度来调节带角度的离子注入的角度，以使得仅仅第一凹槽I的侧壁上部的电介质受到离子注入。第四步骤，用于对第二步骤沉积的电介质进行刻蚀(例如湿法蚀刻)，如图4所示；由于第三步骤中带角度的离子注入增加了凹槽上部介质层的蚀刻速率，那么在第四步骤的湿法蚀刻中，上部的介质层被腐蚀的多，下面的比较少。例如，第四步骤中腐蚀剂为稀释的HF。第五步骤，用于在第四步骤之后对第一凹槽I和第二凹槽2进行电介质填充。填充空隙产生的原因是在向凹槽填充电介质的时候，凹槽的顶部总是比底部和侧壁形成更厚的介质层，如果顶部的介质层在侧面形成足够的厚度前就合拢了，空隙就会产程。如果深宽比越大，这种效应就越明显，即顶 部比底部和侧壁会淀积更厚的介质层。因此，与现有技术的直接对第一凹槽I和第二凹槽2进行电介质填充的工艺比，通过先沉积电介质并进行刻蚀，以使得凹槽上面部分的开口增加，从而形成上大下小的凹槽形状，可以使得凹槽(尤其是闪存的存储器单元区域Al中的第一凹槽I)有效的深宽比减小，这样凹槽的顶部不容易在下面填满之前封口，也就比较不容易产生填充空隙了。可以看出，根据本专利技术实施例的提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法降低了存储单元区的凹槽的有效深宽比，从而使后续的电介质淀积工艺更容易实现没有空隙的填充效果。利用根据本专利技术实施例的提高闪存工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，可以调节凹槽中部分填充介质层的湿法蚀刻速率，形成顶部开口较大、下部较小的敞口型、有效深宽比较低的形状，从而提高后续制程的填充能力，达到实现消除或减少填充空隙的技术效果。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于形成闪存的存储器单元区域中的第一凹槽以及闪存的外围电路区域中的第二凹槽，其中第一凹槽的深宽比大于第二凹槽的深宽比；第二步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽进行化学气相沉积，从而在第一凹槽和第二凹槽的侧壁及底部形成电介质；第三步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽执行带角度的离子注入，其中所注入的离子增大了被注入电介质的刻蚀速度；第四步骤，用于对第二步骤沉积的电介质进行刻蚀；第五步骤，用于在第四步骤之后对第一凹槽和第二凹槽进行电介质填充。

【技术特征摘要】
1.一种提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于包括 第一步骤，用于形成闪存的存储器单元区域中的第一凹槽以及闪存的外围电路区域中的第二凹槽，其中第一凹槽的深宽比大于第二凹槽的深宽比； 第二步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽进行化学气相沉积，从而在第一凹槽和第二凹槽的侧壁及底部形成电介质； 第三步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽执行带角度的离子注入，其中所注入的离子增大了被注入电介质的刻蚀速度； 第四步骤，用于对第二步骤沉积的电介质进行刻蚀； 第五步骤，用于在第四步骤之后对第一凹槽和第二凹槽进行电介质填充。2.根据权利要求1所述的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于，第三步骤中注入的离子为Ar离子。3.根据权利要求1或2所述的提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于，在第三步...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雄，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：