半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件以及这种半导体器件的制造方法。根据本发明专利技术实施例的半导体器件可以包括：衬底；位于所述衬底上的器件区；以及通过隔离结构与所述器件区分开的至少一个应力引入区，在所述至少一个应力引入区的至少一部分中引入了应力，其中，在所述至少一个应力引入区的至少一部分中引入的应力是通过利用激光照射包括在所述至少一个应力引入区中的非晶化的部分而使该非晶化的部分再结晶而产生的。根据本发明专利技术实施例的半导体器件以更为简单的方式产生了应力并由此改善了器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件。本专利技术还涉及这种半导体器件的制造方法。
技术介绍
随着半导体集成电路的发展，对于半导体器件的性能、特别是器件的速度提出了更高的要求。为了改善半导体器件的性能，已经提出了在半导体器件中、比如晶体管的沟道中引入机械应力的技术。这些引入应力的技术包括在顶部使用应力衬层(liner)以及在源/漏区中嵌入半导体。然而，这些引入应力的技术增加了半导体器件制造工艺的复杂度，同时由于工艺限制而不能应用于各种集成电路中。
技术实现思路
本专利技术的其中一个目的是克服以上缺点中的至少一些，并提供一种改进的。根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括提供衬底；在所述衬底上形成器件区并且形成与所述器件区分开的至少一个应力引入区；在所述器件区和所述至少一个应力引入区之间形成隔离结构；使所述至少一个应力引入区的至少一部分非晶化；以及利用激光照射所述至少一个应力引入区的非晶化的部分而使该非晶化的部分再结晶，从而在所述至少一个应力引入区中引入应力。在所述的制造半导体器件的方法中，使至少一个应力引入区的至少一部分非晶化并且利用激光照射所述至少一个应力引入区的非晶化的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成器件区并且形成与所述器件区分开的至少一个应力引入区；在所述器件区和所述至少一个应力引入区之间形成隔离结构；使所述至少一个应力引入区的至少一部分非晶化；以及利用激光照射所述至少一个应力引入区的非晶化的部分而使该非晶化的部分再结晶，从而在所述至少一个应力引入区中引入应力。

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括提供衬底；在所述衬底上形成器件区并且形成与所述器件区分开的至少一个应力引入区；在所述器件区和所述至少一个应力引入区之间形成隔离结构；使所述至少一个应力引入区的至少一部分非晶化；以及利用激光照射所述至少一个应力引入区的非晶化的部分而使该非晶化的部分再结晶， 从而在所述至少一个应力引入区中引入应力。2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述衬底为半导体衬底，并且其中在所述衬底上形成器件区并且形成与所述器件区分开的至少一个应力引入区包括使所述半导体衬底的上部的至少一部分图案化，从而形成所述器件区和与所述器件区分开的至少一个应力引入区。3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中在所述衬底上形成器件区并且形成与所述器件区分开的至少一个应力引入区包括在所述衬底上形成半导体层；以及使所述半导体层的至少一部分图案化，从而形成所述器件区和与所述器件区分开的至少一个应力引入区。4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中在所述器件区和所述至少一个应力引入区之间形成隔离结构包括利用电介质填充所述器件区和所述至少一个应力引入区之间的间隔。5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中通过将离子选择性注入到所述至少一个应力引入区的至少一部分而使所述至少一个应力引入区的所述至少一部分非晶化。6.根据权利要求1-5中任何一项所述的制造半导体器件的方法，其中在使所述至少一个应力引入区的至少一部分非晶化的步骤之前，形成至少覆盖所述器件区的盖层。7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其中所述盖层包括能够反射激光的金属层。8.根据权利要求7所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁擎擎，殷华湘，钟汇才，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：