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本发明涉及一种半导体器件以及这种半导体器件的制造方法。根据本发明实施例的半导体器件可以包括：衬底；位于所述衬底上的器件区；以及通过隔离结构与所述器件区分开的至少一个应力引入区，在所述至少一个应力引入区的至少一部分中引入了应力，其中，在所述至...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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