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本发明涉及一种源自单晶硅制成的供体衬底(1)的单晶硅薄层(3)的转移方法，此种转移方法包括：注入条件为使得薄层(3)的厚度小于10微米；以及用于将此薄层粘合到接收衬底的聚合物层(5)的厚度位于一个临界阈值之下，此临界阈值定义为注入的能量及剂...该专利属于法国原子能源和替代能源委员会;法国国家科学研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过法国原子能源和替代能源委员会;法国国家科学研究中心授权不得商用。