【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及。
技术介绍
随着半导体工艺的发展和器件特征尺寸的缩小，对生产工艺精确度和稳定性的要求也愈发苛刻，甚至是几个纳米的误差也会造成良率损失，其中尤以多晶硅栅和圆形接触孔的特征尺寸更为敏感。圆度作为圆形接触孔工艺标准的技术参数之一，其重要性在65纳米甚至是45纳米以下的工艺中越来越高。 在45纳米以下的工艺中，圆形精度缺失可能间接导致半导体器件工作性能偏离正常值，例如漏电等；更严重情况下会导致器件无法工作，例如接触孔间距太小引起短路。在现有技术下，对圆形接触孔的圆度测量一般采取抽样的方法，根据接触孔的形状和尺寸，在晶圆的各个位置随机选取一定比例的接触孔，以局部测量的平均值代表晶圆上接触孔的整体圆度测量值。这种局部选点、随机抽样的测量方法经常造成以偏概全的现象，无法全面地反映出接触孔的工艺水平。其一，在形成接触孔的工艺中，无法保证在曝光、刻蚀和清洗的步骤中由于杂质等影响，造成的单个、偶发的圆形接触孔圆度不达标的现象被检测到，接触孔圆度达标不能代表所有接触孔都符合工艺要求；其二，在接触孔比较密集的区域，由于间距较小，对圆度的精确度...
【技术保护点】
一种检测半导体圆形接触孔圆度的方法，采用电子束扫描设备对半导体晶圆上的圆形接触孔进行扫描；所述半导体晶圆下包括衬底，所述衬底与低电位相接；其特征在于，在所述半导体晶圆上设置多个检测电路结构，设置一个所述检测电路结构的具体步骤包括：步骤a，在所述半导体晶圆上设置N型有源区和P型有源区；步骤b，采用二氧化硅隔离所述N型有源区和所述P型有源区；所述N型有源区设置在P型阱中，所述P型有源区设置在N型阱中；步骤c，采用多晶硅栅桥接所述N型有源区和所述P型有源区，在两个有源区和所述多晶硅栅之间用栅氧化层隔离以形成互不导通的各自独立部分；步骤d，在所述N型有源区上连接有圆形接触孔，在所述...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王恺，陈宏璘，龙吟，倪棋梁，郭明升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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