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本发明公开了一种检测半导体圆形接触孔圆度的方法，其属于半导体制造技术领域，在半导体晶圆上设置多个检测电路结构：在半导体晶圆上设置N型有源区和P型有源区；采用二氧化硅隔离N型有源区和P型有源区；N型有源区设置在P型阱中，P型有源区设置在N型阱...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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