半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术是提供一种避免开关元件造成的高温的不良影响，且将防止失效的电路与开关元件配置在同一基板上的半导体装置。本发明专利技术在基板(5)上的导电体图案(51、52)上分别靠近地配置有N信道型的MOSFET(10)、以及N信道型且半导体材料由碳化硅构成的JFET(30)，且由引线(61)连接MOSFET(10)的栅电极(13)与JFET(30)的漏电极(31)。当对MOSFET(10)进行接通/断开控制的来自外部的驱动信号在JFET(30)的源电极(32)以及漏电极(31)间传播时，通过根据源电极(32)以及栅电极(33)间的栅极电压的低/高，使JFET(30)的信道电阻进行大/小变更，而使MOSFET(10)的漏电极(11)以及源电极(12)间的开关波形的前缘与后缘相比成为平缓的倾斜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在基板上具备绝缘栅型的开关元件和半导体电路的半导体装置。 现有技术近年来,在需要稳定化的直流电源的电子设备中，DC(direct current,直流)/DC 转换器被广泛地使用。降压型的DC/DC转换器利用开关元件使一次侧的直流电压接通/断开，并利用LC滤波器使产生的脉冲平滑化，从而获得稳定化的电压。此外，通过使开关元件断开的期间环流的电流导通至代替二极管的第2开关元件中而成为同步式的DC/DC转换器，从而提升电源的利用效率。然而，在同步式的DC/DC转换器中，当开关一次侧的直流电压的第I开关元件接通时，存在第2开关元件的端子电压急剧上升，并因寄生电容的影响，而使控制电极的电压上升，从而造成第2开关元件失效(自接通)的情况。图12是表示现有的开关元件的驱动电路的电路图。对于上述失效，例如图12所示，使用如下技术，即，对于将用以使第I开关元件IOa接通的速度降低的电阻器R9以及用以避免断开速度降低的肖特基势鱼二极管(SBD, Schottky barrier diode) D2a并联连接而成的电路，将该电路与第I开关元件的控制电极13a串联连接。通常在这样的并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽田研一，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：