【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体集成器件制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括有源区和隔离区、覆盖所述有源区和隔离区表面的电阻形成层和覆盖所述电阻形成层表面的牺牲层；去除部分牺牲层材料和电阻形成层材料，以在所述有源区表面上形成伪栅，在所述隔离区表面上形成电阻，其中，所述伪栅包括部分电阻形成层材料及位于其表面上的牺牲层材料，所述电阻仅包括部分电阻形成层材料，所述电阻的表面高度低于所述伪栅的表面高度；在基底表面上形成第一介质层；平坦化所述第一介质层，仅暴露出所述伪栅表面；以所述第一介质层为掩膜，去除伪栅区域的电阻形成层材料和牺牲层材料，在所述第一介质层表面内形成金属栅开口；填充所述金属栅开口，得到金属栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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