半导体发光元件的封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体发光元件的封装结构，其包括一半导体发光元件、一导线架、一静电放电保护元件以及一封装胶体。导线架承载半导体发光元件，且导线架具有一缺口。静电放电保护元件固定于缺口中以电连接导线架。封装胶体包覆导线架、半导体发光元件与静电放电保护元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装结构，且特别是涉及一种半导体发光元件的封装结构。
技术介绍
发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)为常用的半导体发光元件，其具有寿命长、耗电量低、能源利用率高等优点，近年来发光二极管已广泛应用在荧幕、照明装置、大型显示看板、交通号志以及车辆上，成为新一代的省电型光源。然而，发光二极管的封装结构容易受到静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)的影响而损坏。因此，加强静电放电的防护，对发光二极管而言非常的重要，特别是在不影响发光二极管的封装结构的出光效率下，如何妥善设置静电放电的防护元件，以使发光二极管发出的光不易被静电放电的防护元件吸收或阻挡，是业界亟欲解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提 供一种半导体发光元件的封装结构，可保护半导体发光元件免受静电放电的影响，更可在减少打线制作工艺及减少光被静电放电保护元件吸收的情况下，提高半导体发光元件的封装结构的出光效率。为达上述目的，根据本专利技术的一实施例，提出一种半导体发光元件的封装结构，其包括一半导体发光元件、一导线架、一静电放电保护元件以及一封装胶体。导线架承载半导体发光元件，且导线架具有一缺口。静电放电保护元件固定于缺口中以电连接导线架。封装胶体包覆导线架、半导体发光元件与静电放电保护元件。根据本专利技术的另一实施例，提出一种半导体发光元件的封装结构，其包括一半导体发光元件、一导线架、一静电放电保护元件以及一封装胶体。导线架承载半导体发光元件。导线架包括一正极导电架与一负极导电架。静电放电保护兀件位在正极、负极导电架之间，并电连接正极、负极导电架。封装胶体包覆导线架、半导体发光元件与静电放电保护元件。根据本专利技术的另一实施例，提出一种半导体发光元件的封装结构，其包括多个半导体发光元件、一导线架、多个静电放电保护元件以及一封装胶体。导线架具有多个承载座以分别承载此些半导体发光元件，且导线架具多个缺口，每一缺口分别设在两相邻的承载座之间。静电放电保护元件分别固定于此些缺口中以电连接导线架。封装胶体包覆导线架、此些半导体发光元件与此些静电放电保护元件。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下:附图说明图1为本专利技术一实施例的半导体发光元件的封装结构的剖面示意图；图2为本专利技术另一实施例的半导体发光元件的封装结构的剖面示意图。主要元件符号说明100、200:半导体发光元件的封装结构102、202、203:半导体发光元件106,206:封装壳体107、207:开口110、210:导线架111,211:缺口112:正极导线架114:负极导线架120、220:静电放电保护元件122,222:P型半导体层124、224:N型半导体层126、226:导电胶130、230、231、232:导线140、240:封装胶体 212:第一承载座214:第二承载座E1:P 型电极E2:N 型电极具体实施例方式本实施例提出一种半导体发光元件的封装结构，在导线架中形成一缺口以埋入静电放电保护元件，或在两导线架之间埋入静电放电保护元件，并以导电胶(例如银胶)固着静电放电保护元件，以使静电放电保护元件与导线架电连接。由于静电放电保护元件为内埋式元件，不仅能减少打线制作工艺，还可避免半导体发光元件发出的光被静电放电保护元件吸收或阻挡，以提高半导体发光元件的封装结构的出光效率。以下提出各种实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并非用以限缩本专利技术欲保护的范围。请参照图1，其绘示依照本专利技术一实施例的半导体发光元件的封装结构的剖面示意图。此封装结构100包括一半导体发光元件102、一导线架110、一静电放电保护元件120、多数条导线130以及一封装胶体140。封装胶体140例如为透明胶体，其填充于由一杯状的封装壳体106所形成的一开口 107中，并覆盖位于开口 107中的导线架110、半导体发光元件102、静电放电保护元件120以及多条导线130，但本专利技术不以此为限，封装胶体140也可直接覆盖在没有封装壳体106的导线架110上。在图1中，导线架110用以承载半导体发光元件102，且导线架110具有一缺口111。静电放电保护元件120可通过导电胶126固定于缺口 111中，以电连接导线架110。此外，导线130例如为金线，其以打线接合制作工艺电连接于半导体发光元件102与导线架110之间，并传输电子信号至半导体发光兀件102,以使半导体发光兀件102电致而发光。本专利技术不限定为打线接合型态的半导体发光元件102，也可为倒装型态的半导体发光元件，其通过导电凸块(未绘示)与导线架110电连接。在本实施例中，半导体发光元件102可为发光二极管，其具有一 P型半导体层、一有源层以及一 N型半导体层(均未绘示)。有源层位于P型半导体层与N型半导体层之间，以形成一 PN接合。P型半导体层上方具有一 P型电极E1，N型半导体层上方具有一 N型电极E2，当施加电压于半导体发光元件102的P型电极El与N型电极E2时，电子将与空穴在有源层内结合，再以光的形式发出。此外，静电放电保护元件120例如为齐纳二极管。请参照图1，静电放电保护元件120包括一 P型半导体层122与一 N型半导体层124。静电放电保护元件120位于正极导线架112与负极导线架114之间，且N型半导体层124接触正极导线架112，P型半导体层122接触负极导线架114。为了避免半导体发光元件102遭受静电放电的破坏，半导体发光元件102与静电放电保护元件120彼此以并联方式反向电连接。也就是说，半导体发光元件102的P型半导体层与静电放电保护元件120的N型半导体层124连接，而半导体发光元件102的N型半导体层与静电放电保护元件120的P型半导体层122连接。在正常情况下，当输入正向工作电压时，此输入电压仅会让半导体发光元件102导通而发光，而不会通过静电放电保护元件120 (齐纳二极管)。但有静电放电现象时，将会带来异常大的输入电压，这电压将会使得静电放电保护元件120(齐纳二极管)击穿，进而使大部分的电流均由静电放电保护元件120(齐纳二极管)通过，而不由半导体发光元件102通过，故可避免半导体发光元件102遭到静电放电的破坏。在本实施例中，静电放电保护元件120的两端分别以导电胶126固着在缺口 111中或固定在该正极导线架112与负极导线架114之间，不需采用传统的打线接合制作工艺，故可提高制作工艺的效率。此外，半导体发光元件102发出的光不会被静电放电保护元件120吸收或阻挡，换言之，半导体发光元件的封装结构100的出光效率相对提高。第二实施例 请参照图2，其绘示依照本专利技术另一实施例的半导体发光元件的封装结构100的剖面示意图。此封装结构200包括二个半导体发光元件202及203、一导线架210、一静电放电保护元件220、多条导线230以及一封装胶体240。封装胶体240例如填充于由一杯状的封装壳体206所形成的一开口 207中，并覆盖位于开口 207中的导线架210、半导体发光元件202及203、静电放电保护元件220以及多条导线230。本实施例与第一实施例不同之处在于:导线架210具有一第一承载座21本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件的封装结构，包括：半导体发光元件；导线架，承载该半导体发光元件，且该导线架具有一缺口；静电放电保护元件，固定于该缺口中以电连接该导线架；以及封装胶体，包覆该导线架、该半导体发光元件与该静电放电保护元件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈明煌，徐汇凯，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：