一种半导体器件的终止结构制造技术

一种超级结器件以及超级结器件的布局设计和制备方法，可以配置有源单元立柱结构的布局，使第一导电类型掺杂物的电荷，与有源单元区的掺杂层中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。设计终止立柱结构附近的有源单元立柱结构末端的布局，使末端里的第一导电类型掺杂物的电荷以及终止立柱结构中第一导电类型掺杂物的电荷，与掺杂层在终止立柱结构与末端之间的那部分中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要是关于金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)，更确切地说，是关于一种用于超级结型MOSFET器件的终止结构。
技术介绍
功率MOSFET典型应用于需要功率转换和功率放大的器件中。对于功率转换器件来说，市场上可买到的代表性的器件就是双扩散MOSFET (DMOSFEt)0在一个典型的晶体管中，大部分的击穿电压BV都由漂移区承载，为了提供较高的击穿电压BV，漂移区要轻掺杂。然而，轻掺杂的漂移区会产生高导通电阻Rdsm。对于一个典型的晶体管而言，Rdsm与BV2 5成正比。因此，对于传统的晶体管，随着击穿电压BV的增加，Rdson也急剧增大。超级结是一种众所周知的半导体器件。超级结晶体管提出了一种可以在维持很高的断开状态击穿电压(BV)的同时，获得很低的导通电阻(Rdsm)的方法。超级结器件含有形成在漂移区中的交替的P —型和N —型掺杂立柱。在MOSFET的断开状态时，在相对很低的电压下，立柱就完全耗尽，从而能够维持很高的击穿电压(立柱横向耗尽，因此整个p和n立柱耗尽)。对于超级结，导通电阻Rdsm的增加与击穿电压BV成正比，比传统的半导体结构增加地更加缓慢。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一个半导体器件的终止结构，其特征在于，包括：一个通道停止场板，位于半导体材料的边缘附近的半导体材料的表面上，其中通道停止场板利用半导体材料构成一个肖特基型停止通道。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：管灵鹏，安荷·叭剌，朱廷刚，马督儿·博德，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：