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一种半导体器件的终止结构制造技术
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文档序号:8802176
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一种超级结器件以及超级结器件的布局设计和制备方法,可以配置有源单元立柱结构的布局,使第一导电类型掺杂物的电荷,与有源单元区的掺杂层中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。设计终止立柱结构附近的有源单元立柱结构末端的布局,使末端里的第一导电类型...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。
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