封装件及其形成方法技术

技术编号:8627250 阅读:147 留言:0更新日期:2013-04-26 00:41
一种器件包括:封装部件,具有顶面上方的导电部件,以及聚合物区域,模制在第一封装部件的顶面上方。多个开口从聚合物区域的顶面延伸到聚合物区域中,其中,导电部件中的每一个通过多个开口中的一个露出。多个开口包括:第一开口,具有第一水平尺寸;以及第二开口,具有第二水平尺寸,第一水平尺寸不同于第二水平尺寸。本发明专利技术还提供了封装件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体领域,更具体地来说,涉及。
技术介绍
在传统的叠层封装(package-on-package, POP)工艺中,其中,将接合第一器件管芯的顶部封装件接合至底部封装件。底部封装件还可以具有封装在其中的器件管芯。通过采用PoP工艺,可以增加封装的集成级别。由于顶部封装件和底部封装件的每一个都包括具有不同热膨胀系数(CTE)的不同材料,所以在形成顶部封装件和底部封装件之后,可以在顶部封装件和底部封装件的任一个或两个中发生翘曲。翘曲可以为正翘曲,其中,封装件的中心部分大于边缘部分。相反,翘曲可以为负翘曲,其中,翘曲的中心部分低于边缘部分。在接合顶部封装件和底部封装件之后,作为翘曲结果可以发生虚焊(cold joint),并且一些连接可能失败。当顶部封装件的翘曲与底部封装件的翘曲与不匹配时,情况恶化。例如,当顶部封装件具有正翘曲且底部封装件具有负翘曲时或者顶部封装件具有负翘曲且底部封装件具有正翘曲时,增加了虚焊发生的机会。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷,根据本专利技术的一方面,提供了一种器件,包括第一封装部件,包括顶面上方的导电部件;聚合物区域,模制在所述第一封装部件的所述顶面上方;以及多个开口,从所述聚合物区域的顶面延伸到所述聚合物区域中,其中,通过所述多个开口的每一个露出所述导电部件的一个,以及其中,所述多个开口包括第一开口,具有第一水平尺寸;和第二开口,具有第二水平尺寸,所述第一水平尺寸不同于所述第二水平尺寸。 在该器件中,所述第一水平尺寸大于所述第二水平尺寸,以及其中,所述第一开口比所述第二开口更接近所述第一封装部件的中心。在该器件中,所述第一水平尺寸小于所述第二水平尺寸,以及其中,所述第一开口比所述第二开口更接近所述第一封装部件的中心。在该器件中,所述第一水平尺寸在所述第二水平尺寸的大约50%至大约90%之间。该器件还包括器件管芯,接合至所述第一封装部件并模制在所述聚合物区域中。该器件还包括第二封装部件,通过多个包含焊料的连接件接合至所述第一封装部件,其中,每一个包含焊料的连接件都包括延伸到所述多个开口中的一个的部分。在该器件中,在从所述第一封装部件的中心延伸到所述第一封装部件的边缘的方向上,所述多个开口的水平尺寸逐渐增加或减小。根据本专利技术的另一方面,提供了一种器件,包括封装件,包括第一封装部件,包括所述第一封装部件的顶面上方的导电部件;器件管芯,接合至所述第一封装部件的顶面;模塑料,模制在所述第一封装部件的顶面上方,其中,所述器件管芯模制在所述模塑料中;以及多个开口,位于所述模塑料中,其中,所述导电部件的每一个通过所述多个开口的一个露出,以及其中,所述多个开口具有彼此不同的至少两个水平尺寸;以及第二封装部件,位于所述封装件的上方并通过多个焊料区域接合至所述导电部件,其中,所述多个焊料区域的部分延伸到所述多个开口中。在该器件中,与所述多个开口中更接近所述封装件的边缘和角部的外侧开口相t匕,所述多个开口中更接近所述封装件的中心的内侧开口具有更大的尺寸。在该器件中,所述封装件和所述第二封装部件具有负翘曲。在该器件中,与所述多个开口中更接近所述封装件的边缘和角部的外侧开口相t匕,所述多个开口中更接近所述封装件的中心的内侧开口具有更小的尺寸。在该器件中,所述封装件和所述第二封装部件具有正翘曲。在该器件中,所述封装件包括多个环形区域,通过所述多个环形区域的外侧区域围绕所述多个环形区域的内侧区域,以及其中,所述多个环形区域中的同一区域中的多个开口的部分具有相同的水平尺寸,以及其中,所述多个环形区域中的不同区域中的多个开口部分具有不同的水平尺寸。`在该器件中,所述至少两个水平尺寸包括第一水平尺寸和第二水平尺寸,所述第一水平尺寸小于所述第二水平尺寸的大约90%。根据本专利技术的又一方面,提供`了一种方法,包括评估第一封装部件和封装件,以确定包括所述第一封装部件和所述封装件的组合封装件的翘曲状态,其中,所述翘曲状态包括正翘曲和负翘曲,以及其中,所述封装件包括器件管芯和第二封装部件,其中,所述器件管芯接合至所述第二封装部件的顶面;和聚合物区域,模制在所述第二封装部件的顶面上方,其中,所述器件管芯模制在所述聚合物区域中;以及在所述聚合物区域中形成多个开口以露出所述第二封装部件的顶面上方的导电部件,其中,形成所述多个开口的步骤包括响应于所述正翘曲,使所述多个开口中更接近所述封装件的中心的内侧开口比所述多个开口的外侧开口具有更小的水平尺寸;以及响应于所述负翘曲,使所述多个开口中更接近所述封装件的中心的内侧开口比所述多个开口的外侧开口具有更大的水平尺寸。该方法包括响应于作为评估步骤结果的在所述第一封装部件和所述封装件之间没有翘曲,形成具有基本上相等的水平尺寸的多个开口。该方法还包括通过包含焊料的区域将所述第一封装部件接合至所述封装件,其中,所述包含焊料的区域延伸到所述多个开口中。在该方法中,所述聚合物区域包括模塑料,以及其中,所述模塑料的顶面不低于所述器件管芯的顶面。在该方法中,形成所述多个开口的步骤包括将所述封装件划分为多个环状区域,所述多个环形区域的外侧区域围绕所述多个环形区域的内侧区域,以及其中,将所述多个环形区域的同一区域中的多个开口形成为具有相同的水平尺寸,并且其中,将所述多个环形区域的不同区域中的多个开口形成为具有不同的水平尺寸。在该方法中,所述多个开口中的内侧开口和外侧开口包括较小的开口和较大的开口,以及其中,所述多个开口中的较小开口具有第一水平尺寸,所述第一水平尺寸小于所述多个开口的较大开口的大约90 %。附图说明为了更完整地理解本实施例及其优点,现在结合附图进行以下描述作为参考,其中图1至图6是根据各个实施例的制造封装件过程中的中间阶段的截面图和俯视图。具体实施例方式以下详细讨论本专利技术的实施例的制造和使用。然而,应该理解,本专利技术提供了许多可以在各种具体环境下实现的可应用专利技术概念。所讨论的具体实施例仅仅示出了制造和使用本专利技术的具体方式,而不用于限制本专利技术的范围。根据各个实施例提供了封装件及其制造方法。示出了形成封装件的中间阶段。讨论了实施例的变型例。在各个附图和说明性实施例中,类似的标号用于表示类似元件。参照图1,提供封装部件10。在实施例中,封装部件10包括插入板(interposer)。在可选实施例中,封装部件10包括封装基板。封装部件10可以包括由半导体材料形成的基板11,诸如硅、硅锗、碳化硅、砷化镓或其他通用的半导体材料。可选地,基板11由介电材料形成。基板11还可以为层压基板,该层压基板包括层压电介质膜。封装部件10被配置为将第一表面IOA上的连接件12电连接至第二表面IOB上的导电部件16,其中,表面IOA和IOB是封装部件10的相对表面。在一些实施例中,连接件12可以包括诸如焊球、金属柱、凸块底部金属化层的导电部件。可选地,连接件12包括金属柱和相邻焊料区域。例如,导电部件16可以为金属焊盘。封装部件10其中可以包括金属线/通孔14,并且还可以包括形成在基板11中的通孔。封装部件20通 过连接件12接合至封装部件10。封装部件20可以为管芯,因此可选地,在本文中将在以后称为管芯20,但是该封装部件还可以为另一种类型的封装部件(诸如封装件)。管芯20可以为其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件,包括:第一封装部件,包括顶面上方的导电部件;聚合物区域,模制在所述第一封装部件的所述顶面上方;以及多个开口,从所述聚合物区域的顶面延伸到所述聚合物区域中,其中,通过所述多个开口的每一个露出所述导电部件的一个,以及其中,所述多个开口包括:第一开口,具有第一水平尺寸;和第二开口,具有第二水平尺寸,所述第一水平尺寸不同于所述第二水平尺寸。

【技术特征摘要】
2011.10.24 US 13/280,1571.一种器件,包括 第一封装部件,包括顶面上方的导电部件; 聚合物区域,模制在所述第一封装部件的所述顶面上方;以及多个开口,从所述聚合物区域的顶面延伸到所述聚合物区域中,其中,通过所述多个开口的每一个露出所述导电部件的一个,以及其中,所述多个开口包括 第一开口,具有第一水平尺寸;和 第二开口,具有第二水平尺寸,所述第一水平尺寸不同于所述第二水平尺寸。2.根据权利要求1所述的器件,其中,所述第一水平尺寸大于所述第二水平尺寸,以及其中,所述第一开口比所述第二开口更接近所述第一封装部件的中心。3.根据权利要求1所述的器件,其中,所述第一水平尺寸小于所述第二水平尺寸,以及其中,所述第一开口比所述第二开口更接近所述第一封装部件的中心。4.根据权利要求1所述的器件,其中,所述第一水平尺寸在所述第二水平尺寸的大约50%至大约90%之间。5.根据权利要求1所述的器件,还包括器件管芯,接合至所述第一封装部件并模制在所述聚合物区域中。6.根据权利要求1所述的器件,还包括第二封装部件,通过多个包含焊料的连接件接合至所述第一封装部件,其中,每一个包含焊料的连接件都包括延伸到所述多个开口中的一个的部分。7.根据权利要求1所述的器件,其中,在从所述第一封装部件的中心延伸到所述第一封装部件的边缘的方向上,所述多个开口的水平尺寸逐渐增加或减小。8.一种器件,包括 封装件,包括 第一封装部件...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈孟泽林俊成蔡钰芃林修任郑明达刘重希
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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