功率模块封装件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种功率模块封装件，所述功率模块封装件包括：基板；至少一个布置在所述基板上的电极；以及覆盖所述基板的至少一部分的封装构件，所述封装构件包括容纳所述至少一个电极的壳体单元。所述至少一个电极与所述封装构件间隔开。

【技术实现步骤摘要】
功率模块封装件及其制造方法相关申请本申请要求于2013年10月15日在韩国知识产权局(KoreanIntellectualPropertyOffice)提交的韩国专利申请No.10-2013-0122942的权益，该专利的公开内容全文以引用方式并入本文中。
技术介绍
1.
本专利技术概念的一个或多个实施例涉及功率模块封装件及其制造方法，并且更具体地讲，涉及具有简化结构的功率模块封装件及其制造方法。2.相关领域描述随着应用于车辆、工业机械和家电的功率器件的发展，对重量轻、尺寸小并具有极佳性能的功率器件的需求逐渐增加。因此，通常使用多个半导体芯片安装在一个芯片中的多芯片功率模块封装件，而且对简化多芯片功率模块封装件的结构和减小其尺寸的研究也在积极地进行。例如，建议的结构为其中将用于连接半导体芯片和外部端子的电极安装和模制在布置半导体芯片的基板上，而没有任何引线框架。具有上述结构的多芯片功率模块封装件可以具有简化的结构、重量轻并且尺寸小，因为在高集成过程中未使用引线框架。然而，多芯片功率模块封装件的电极在转移模制工艺过程中经常损坏，并因此会导致故障。
技术实现思路
本专利技术概念的一个或多个实施例包括具有简化的结构并可通过有效防止功率模块封装件电极的损坏而具有改善的可靠性的功率模块封装件及其制造方法。另外的方面将部分地在以下描述中阐述，将部分地通过该描述而变得显而易见，或者可通过实施本专利技术的实施例而了解。根据本专利技术概念的一个或多个实施例，功率模块封装件包括：基板；至少一个布置在基板上的电极；以及覆盖基板的至少一部分的封装构件，封装构件包括容纳至少一个电极的壳体单元，其中至少一个电极与封装构件间隔开并且不与封装构件接触。壳体单元可以具有布置在垂直于基板的上表面的第一方向上的封闭截面。壳体单元可以具有布置在垂直于基板的上表面的第一方向上的开放截面。壳体单元可以容纳两个或更多个电极。所述至少一个电极可以具有暴露的上表面和在封装构件的上表面上方延伸的暴露的侧面。所述至少一个电极的上表面可以布置为相对于基板的上表面高于封装构件的上表面。所述至少一个电极可以具有柱形状。所述至少一个电极可以具有在垂直于基板的上表面的第一方向上的截面积，并且该截面积可以是恒定的或根据第一方向变化的。所述至少一个电极可以包括接触基板并具有孔的插座构件，其中外部销轴构件可拆卸地布置在该孔中。插座构件可以包括：接触基板的上表面的基部单元；以及在垂直于基板的上表面的第一方向上从基部单元延伸的主体单元，所述主体单元包括孔。所述至少一个电极还可以包括连接到插座构件的销轴构件。销轴构件可以在垂直于基板上表面的第一方向上延伸，并且销轴构件的顶面的水平面可以高于插座构件的上表面的水平面。基板可以包括：绝缘体；在绝缘体的上表面上形成的上部导电图案；以及在绝缘体的下表面上形成的下部导电图案。所述至少一个电极设置在上部导电图案的一部分上。功率模块封装件还可以包括：至少一个布置在基板上的半导体芯片；以及电连接所述至少一个半导体芯片和所述至少一个电极的布线构件。所述至少一个半导体芯片和布线构件可以被封装构件覆盖。根据本专利技术概念的一个或多个实施例，一种制造功率模块封装件的方法，该方法包括：将至少一个半导体芯片布置在基板上；将至少一个电极布置在基板上；形成电连接所述至少一个半导体芯片和所述至少一个电极的布线构件；将基板安装在底模模具上并将底模模具连接到顶模模具上，顶模模具包括第一部件和第二部件，第一部件限定容纳所述至少一个半导体芯片和布线构件的第一空间，并且第二部件限定容纳所述至少一个电极的第二空间；以及将封装材料注入到第一空间内并覆盖基板的至少一部分、所述至少一个半导体芯片和布线构件。封装材料的注入可以包括将封装材料注入到第一空间内而不注射到第二空间内。第二部件可以与所述至少一个电极间隔开。第二部件的深度可以相对于基板的上表面大于第一部件的深度。根据本专利技术概念的一个或多个实施例，功率模块封装件包括：基板；布置在基板上的电极；以及封装基板的一部分和封装电极的一部分的封装构件；其中电极不接触封装构件，并且其中电极具有上表面和在封装构件上方延伸的侧面的一部分。电极的上表面可被设置为相对于基板的上表面高于封装构件的上表面。附图说明通过以下结合附图对本实施例进行的描述，使这些方面和/或其他方面将变得显而易见和更易于理解，其中：图1A为根据本专利技术概念的实施例的功率模块封装件的一部分的示意性透视图；图1B为沿着图1A的线AA-AA’截取的功率模块封装件的一些组件的剖视图；图1C至图1E为图1A的第一电极的结构的剖视图；图2A至图2G为示出了制造图1A的功率模块封装件的方法的剖视图；图3为根据本专利技术概念的实施例的功率模块封装件的一部分的示意性透视图；图4A为根据本专利技术概念的实施例的功率模块封装件的一部分的示意性透视图；图4B为沿着图4A的线BB-BB’截取的功率模块封装件的一些组件的剖视图；图4C至图4E为第一电极和第六外壳部件的结构的平面图；图5为根据本专利技术概念的实施例的功率模块封装件的一部分的示意性透视图；图6为根据本专利技术概念的实施例的功率模块封装件的一部分的示意性透视图；图7为根据本专利技术概念的实施例的功率模块封装件的一部分的示意性透视图；图8A为根据本专利技术概念的实施例的功率模块封装件的一部分的示意性透视图；图8B为沿着图8A的线CC-CC’截取的功率模块封装件的一些组件的剖视图；以及图8C至图8F为图8A的第三电极的结构的剖视图。具体实施方式在下文中，将通过参照附图说明本专利技术的优选实施例来详细描述本专利技术的概念。附图中相似的参考编号表示相似的元件，并且将省略其重复的描述。现在将详细参考实施例，附图中示出了它们的例子，其中相似的参考编号始终是指相似的元件。就这一点而言，本专利技术实施例可以具有不同的形式并且不应被理解为限于本文所述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施例，以解释本专利技术的各方面。如本文所用，术语“和/或”包括相关列出项目中的一者或多者的任何和所有组合。表达诸如“...中的至少一个”在元件列表之前时，修饰整个元件列表而不修饰列表中的单个元件。虽然此类术语，如“第一”、“第二”等可用于描述多个构件、区域、层、部件和/或组件，但此类构件、区域、层、部件和/或组件不一定限于上述术语。上述术语仅用于辨别一个构件、区域、层、部件和/组件与另一个构件、区域、层、部件和/组件。因此，在本专利技术的教导范围内，下文讨论的第一构件、构件、区域、层、部件和/或组件可以被称为第二构件、构件、区域、层、部件和/或组件，相似地，在不脱离本公开的教导的情况下，第二构件、构件、区域、层、部件和/或组件可以被称为第一构件、构件、区域、层、部件和/或组件。除非另有限定，否则本文中所用的所有术语(包括技术和科学术语)均具有与本专利技术所属领域中的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如常用词典中所定义的那些术语应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非本文中明确定义，否则将不会以理想化或过于正式的意义来解释这些术语。图1A为根据本专利技术概念的实施例的功率模块封装件10_1的一部分的示意性透视图，图1B为沿着图1A的线AA-AA’截取的功率模块封装件10_1的一些组件的剖视本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率模块封装件，包括：基板；至少一个布置在所述基板上的电极；以及覆盖所述基板的至少一部分的封装构件，所述封装构件包括容纳所述至少一个电极的壳体单元，其中所述至少一个电极与所述封装构件间隔开并且不与所述封装构件接触。

【技术特征摘要】
2013.10.15 KR 10-2013-01229421.一种功率模块封装件，包括：基板；至少一个布置在所述基板上的电极；以及覆盖所述基板的至少一部分的封装构件，所述封装构件包括容纳所述至少一个电极的壳体单元，其中所述至少一个电极与所述封装构件间隔开并且从所述至少一个电极的顶部到底部均不与所述封装构件接触，所述封装构件不从所述至少一个电极的侧面覆盖所述基板的边缘，使得所述至少一个电极具有开放截面。2.根据权利要求1所述的功率模块封装件，其中所述壳体单元容纳两个或更多个电极。3.根据权利要求1所述的功率模块封装件，其中所述至少一个电极具有暴露的上表面和在所述封装构件的上表面上方延伸的暴露的侧面。4.根据权利要求1所述的功率模块封装件，其中所述至少一个电极的上表面被设置为相对于所述基板的上表面高于所述封装构件的上表面。5.根据权利要求1所述的功率模块封装件，其中所述至少一个电极具有柱形状。6.根据权利要求5所述的功率模块封装件，其中所述至少一个电极具有在垂直于所述基板的上表面的第一方向上的横截面积，并且所述横截面积是恒定的或根据所述第一方向变化。7.根据权利要求1所述的功率模块封装件，其中所述至少一个电极包括接触所述基板并具有孔的插座构件，其中外部销轴构件可拆卸地布置在所述孔中。8.根据权利要求7所述的功率模块封装件，其中所述插座构件包括：接触所述基板的上表面的基部单元；以及在垂直于所述基板的所述上表面的第一方向从所述基部单元延伸的主体单元，所述主体单元包括所述孔。9.根据权利要求7所述的功率模块封装件，其中所述至少一个电极还包括连接到所述插座构件上的销轴构件，其中所述销轴构件在垂直于所述基板的上表面的第一方向上延伸，并且所述销轴构件的顶面的水平面高于所述插座构件的上表面的水平面。10.根据权利要求1所述的功...

【专利技术属性】
技术研发人员：李根赫，全五燮，孙焌瑞，林承园，
申请(专利权)人：快捷韩国半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR