芯片封装构造及其制造方法技术

一种芯片封装构造及其制造方法，所述芯片封装构造包含：一具有有源表面的芯片；一包覆芯片且使芯片的有源表面裸露出的封胶层；至少一成形于所述封胶层的第一表面的第一孔洞；至少一成形于所述封胶层的第二表面、对应连通所述第一孔洞且具有大于第一孔洞的孔径的第二孔洞；以及一设于所述第一孔洞内的导电柱。所述第二孔洞用低精度的封胶通孔成形工艺来成形，可相对减少使用成本较高的高精度钻孔设备，并加快制作封胶通孔的速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装构造，特别是有关于一种可避免电磁干扰的。
技术介绍
现今的半导体芯片封装构造，例如扇出型晶圆级封装构造(Fan-OutWafer-Level-Package),为实现垂直导通,常常需要进行垂直封胶层的穿胶导通孔(Through Molding Via, TMV)等封胶通孔制作工艺。现有产生封胶通孔的技术包括机械式钻孔(mechanical drilling)、激光钻孔(laser drilling)、化学蚀刻(chemicaletching)等等。目前的封胶通孔 制作工艺都是一次形成穿透整个封胶层的封胶通孔。然而，对于具有一定厚度(例如大于100微米)的封胶层欲成形微通孔而言，不管形成封胶通孔或是后续进行通孔电镀的制作工艺等因为封胶通孔深度较大的关系而需要耗费一定成本。例如以激光钻孔而言，欲制作微通孔势必要采用高精度的激光设备，当微通孔的深度因为基材厚度的关系而过深，钻孔时间就会变长，导致激光成本的提高。再者，微通孔过深，在微通孔的孔壁上设置种子层进而电镀导电柱的难度与制程时间都会大幅提升。故，有必要提供一种，以解决现有技术所存在的问题。专利
技术实现思路
本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装构造，其特征在于：所述芯片封装构造包含︰一芯片，具有一有源表面；一封胶层，具有一第一表面及一相对的第二表面，并包覆所述芯片且使所述芯片的有源表面裸露出所述第一表面；至少一第一孔洞，成形于所述封胶层的第一表面；至少一第二孔洞，成形于所述封胶层的第二表面而对应连通所述第一孔洞，并具有大于第一孔洞的孔径；至少一导电柱，设于所述第一孔洞内；以及一重布线层，电性连接所述芯片与所述至少一导电柱。

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装构造，其特征在于所述芯片封装构造包含一芯片，具有一有源表面；一封胶层，具有一第一表面及一相对的第二表面，并包覆所述芯片且使所述芯片的有源表面裸露出所述第一表面；至少一第一孔洞，成形于所述封胶层的第一表面；至少一第二孔洞，成形于所述封胶层的第二表面而对应连通所述第一孔洞，并具有大于第一孔洞的孔径；至少一导电柱，设于所述第一孔洞内；以及一重布线层，电性连接所述芯片与所述至少一导电柱。2.如权利要求1所述的芯片封装构造，其特征在于所述导电柱的一底端贴齐或凸伸入所述第二孔洞。3.如权利要求1所述的芯片封装构造，其特征在于所述第二孔洞的孔径大于150微米，及深度介于50 500微米之间。4.如权利要求1所述的芯片封装构造，其特征在于所述第一孔洞的孔径小于或等于150微米，及深度介于50 200微米之间。5.如权利要求2所述的芯片封装构造，其特征在于所述第二孔洞的孔壁上设有一金属导电层，所述金属导电层与所述导电柱相连接。6.如权利要求5所述的芯片封装构造，其特征在于所述第二孔洞内设有一导电件；所述导电件连接所述金属导电层；所述导电件为柱状金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇仁，黄敏龙，丁一权，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：