用于半导体器件的封装方法和结构技术

公开了用于半导体器件的封装方法和结构。在一个实施例中，封装的半导体器件包括再分布层(RDL)，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。至少一个集成电路连接至RDL的第一表面，以及多个金属凸块连接至RDL的第二表面。模塑料被设置在至少一个集成电路和RDL的第一表面的上方。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及用于半导体器件的封装方法和结构。
技术介绍
作为实例，在诸如个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备的各种电子应用中使用半导体器件。半导体工业通过连续减小最小部件的尺寸来连续改进各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这使得更多的部件被集成到给定面积中。在一些应用中，这些更小的电子部件还要求更小的封装，其与过去的封装相比利用更小的面积。用于半导体的一些较小类型的封装包括方扁形封装(QFP)、插针网格阵列(PGA)、球栅阵列(BGA)、倒装芯片(FC)、三维集成电路(3DIC)、晶片级封装(WLP)、迹线上接合(B0T, bond-on-trace)封装以及封装层叠(PoP)结构。然而,这些封装技术要求具有高成本和大形状因数的有机衬底。本领域需要的是用于半导体器件的改进封装结构和方法。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种封装半导体器件，包括再分布层(RDL)，RDL包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；至少一个集成电路，连接至RDL的第一表面；多个金属凸块，连接至RDL的第二表面；以及模塑料，设置在至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装半导体器件，包括：再分布层(RDL)，所述RDL包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；至少一个集成电路，连接至所述RDL的所述第一表面；多个金属凸块，连接至所述RDL的所述第二表面；以及模塑料，设置在所述至少一个集成电路和所述RDL的所述第一表面的上方。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，郑明达，吕文雄，林修任，张博平，刘重希，李明机，余振华，陈孟泽，林俊成，蔡钰芃，黄贵伟，林威宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：