一种再布线高密度AAQFN封装器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种再布线高密度AAQFN封装器件及其制造方法。制造形成的再布线高密度AAQFN封装器件的引脚在封装工艺过程中采用蚀刻或者电镀方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用蚀刻方法制作再布线层，并形成独立的引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用化学镀方法在引脚表面制作第二金属材料层。制造形成的再布线高密度AAQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及QFN元器件制造
，尤其涉及到具有高I/O密度的四边扁平无引脚封装件及其制造方法。
技术介绍
随着电子产品如手机、笔记本电脑等朝着小型化，便携式，超薄化，多媒体化以及满足大众化所需要的低成本方向发展，高密度、高性能、高可靠性和低成本的封装形式及其组装技术得到了快速的发展。与价格昂贵的BGA等封装形式相比，近年来快速发展的新型封装技术，即四边扁平无引脚QFN (Quad Flat Non一lead Package)封装，由于具有良好的热性能和电性能、尺寸小、成本低以及高生产率等众多优点，引发了微电子封装
的一场新的革命。由于IC集成度的提高和功能的不断增强，IC的I/O数随之增加，相应的封装器件的I/o引脚数也相应增加，但是传统的QFN封装件器件的引脚围绕芯片载体周边呈单圈排列，限制了 I/O数量的提高，满足不了高密度、具有更多I/O数的IC的需要，因此出现了呈多圈引脚排列的QFN封装器件，其中引脚围绕芯片载体呈多圈排列，显著提高了封装器件的I/O引脚数。图1A和图1B分别为具有多圈引脚排列的QFN封装器件的背面示意图和沿1-1剖面的剖面示意图。该多圈引脚排本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种再布线高密度AAQFN封装器件，其特征在于，包括：引脚在封装器件中呈面阵排列；绝缘填充材料配置于引脚与引脚之间；IC芯片通过粘贴材料配置于封装器件的中心位置；第一金属材料层围绕IC芯片排列；引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接；第二金属材料层配置于引脚的下表面；IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层；塑封材料包覆密封上述IC芯片、粘贴材料、金属导线、第一金属材料层和再布线层，仅仅暴露出配置于引脚下表面的第二金属材料层。

【技术特征摘要】
1.一种再布线高密度AAQFN封装器件，其特征在于，包括引脚在封装器件中呈面阵排列；绝缘填充材料配置于引脚与引脚之间；IC芯片通过粘贴材料配置于封装器件的中心位置；第一金属材料层围绕IC芯片排列；引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接；第二金属材料层配置于引脚的下表面；IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层；塑封材料包覆密封上述IC芯片、粘贴材料、金属导线、第一金属材料层和再布线层，仅仅暴露出配置于引脚下表面的第二金属材料层。2.一种再布线高密度AAQFN封装器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤(a)采用曝光显影方法，在金属基材下表面形成具有窗口的掩膜材料层；(b)以具有窗口的掩膜材料层作为抗蚀层，对金属基材下表面进行蚀刻，形成引脚和凹槽，或以具有窗口的掩膜材料层作为抗镀层，对金属基材下表面进行电镀，形成引脚和凹槽；(C)移除配置于金属基材下表面的掩膜材料层；(d)采用注塑或者丝网印刷方法在引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料；(e)采用曝光显影方法，在金属基材上表面位置制作具有窗口的掩膜材料层；Cf)以具有窗口的掩膜材料层作为抗蚀层...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦飞，夏国峰，安彤，刘程艳，武伟，朱文辉，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：