封装结构制造技术

一种封装结构，包括：第一导线架、第二导线架、两接地引脚、两第一引脚、多个第一导线、多个第二导线与封装体；第一导线架用以置放集成电路；第二导线架用以耦接第一功率晶体管与第二功率晶体管的漏极；两接地引脚彼此相邻且耦接至第一导线架；两第一引脚用以耦接第二功率晶体管的源极；两第一引脚通过可提升负载电流的导电区域彼此连接；多个第一导线用以耦接于第二功率晶体管的源极与第一引脚之间，以减少第二功率晶体管的内阻值；多个第二导线用以耦接于第一导线架与第一功率晶体管的源极之间，以减少第一功率晶体管的内阻值。本发明专利技术提供的封装结构，能提高锂电池保护电路的工作稳定性与制造合格率，并降低封装及测试成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装结构，特别涉及一种锂电池保护电路的封装结构。
技术介绍
请参照图1，图1为现有的单节锂电池保护电路的电路图。目前市面上的单节锂电池主要是由单节锂电池(或称为电池芯)加上单节锂电池保护板所组成，而单节锂电池保护板I主要是由电阻Rl、R2、电容Cl以及一颗集成电路10搭配具有第一功率晶体管Ml 与第二功率晶体管M2的芯片焊接在电路板上所组成，如图1所示。集成电路10的封装结构11以六个引脚的小外型晶体管封装(Small Outline Transistor 26, S0T26)(以下简称 S0T26)较为常见。第一功率晶体管Ml与第二功率晶体管M2为功率金氧半场效晶体管，第一功率晶体管Ml与第二功率晶体管M2的封装结构12以八个引脚的薄型紧缩小外型封装 (Thin-Shrink Small Outline Package_8PIN，TSS0P-8)(以下简称 TSS0P-8)较为常见。负载则电性耦接至引脚BATP、BATN以获得电力。封装结构11所封装的集成电路10与封装结构12所封装的第一功率晶体管Ml与第二功率晶体管M2的耦接方式如下述。集成电路10具有引脚￥本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征在于，包括：一第一导线架，用以置放一集成电路；一第二导线架，用以置放一第一功率晶体管以及一第二功率晶体管，且用以电性耦接该第一功率晶体管以及该第二功率晶体管的漏极；两接地引脚，电性耦接至该第一导线架，该两接地引脚彼此相邻；两第一引脚，用以电性耦接至该第二功率晶体管的源极，该两第一引脚通过一导电区域彼此连接，该导电区域用以提升该两第一引脚所能负载的电流；多个第一导线，用以电性耦接于该第二功率晶体管的源极与该两第一引脚之间，以减少该第二功率晶体管的内阻值；多个第二导线，用以电性耦接于该第一导线架与该第一功率晶体管的源极之间，以减少该第一功率晶体管的内阻值；以及一封装体，用以覆盖...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国强，容绍泉，刘振兴，陈宴毅，
申请(专利权)人：富晶电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：